高速InGaAs光电二极管-FD100系列
fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商，用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司，我们专注于质量、及时交付和客户设计要求，致力于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。
Fermionics FD100 系列为 100 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管，面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试，以大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心，适合 10G/25G/40G ROSA、高速光模块与仪器接收端，兼顾耦合容差与成本。
（FD100W图片）
高速InGaAs光电二极管FD-100系列核心原理与结构：
平面钝化 PIN，宽带增透膜，响应 900–2600 nm，典型 1310/1550 nm。
反向偏置耗尽层吸收光子，低电容支撑 GHz 级带宽与亚纳秒上升 / 下降。
速度由结电容与负载决定，50 μm 较 80 μm 更小，带宽更高、耦合更精准。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列性能优势：
超高速低噪声：0.25–0.4 pF、100–200 ps，适合 40G/100G/200G 与高速测试。
低回损可选：尾纤端面斜切（如 8°），回损≥40 dB，减少系统反射噪声。
灵活集成：TO、陶瓷衬底、表面贴装、尾纤 / 连接器，适配原型到量产。
工业可靠：-40 至 + 85 °C，高稳定性，适合户外与数据中心。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列应用场景：
超高速光通信：40G/100G/200G ROSA、相干接收、数据中心 DCI，1310/1550 nm 链路。
微波光子学：光生微波、光电混频、ROF 系统，低电容与高线性。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列选型建议：
超高速通信：选 FD50S8‑F/F8，尾纤 / 连接器耦合，低回损，适配 ROSA 与相干接收。
测试仪器：FD50W/FD50L，平窗 / 球透镜，易与准直光 / 自由空间系统对接。
高频 PCB：FD50S2/S3，陶瓷衬底，低热阻、低寄生，支持表面贴装。
低回损：指定尾纤端面斜切（如 8°），回损≥40 dB，减少系统抖动与误码。
FD100系列产品类型：
| FD100W | 100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口内，配有平坦的AR涂层窗口 |
| FD100L | 100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内，带球形透镜 |
| FD100S2 | 100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷子支架上 |
| FD100S3 | 100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷子支架上 |
| FD100FC | 100微米有源直径InGaAs光电二极管，置于TO46插头，带对焦镜头，校准于带2孔法兰的FC连接器插座内 |
| FD100FCB | 100微米有源直径InGaAs光电二极管，置于TO46接口，带对焦镜头，并安装在PCB/面板安装的FC连接器插座中 |
| FD100SC | 100微米有源直径InGaAs光电二极管，置于TO46插头，带对焦镜头，并对齐于PCB/面板式SC连接器插座中 |
| FD100ST | 100微米主动直径InGaAs光电二极管，置于TO46头段，带对焦镜头，校准于Radiall ST插座 |
| FD100F-（光纤类型/连接器） | TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。可选定制光纤和连接器终端。 |
| FD100F8-（光纤类型/连接器） | TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。内部纤维尖端抛光角度为8°，以实现低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。 |
FD100 芯片系列规格表：
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.90 0.95 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.5 | 3 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 0.3 | 0.7 | ns | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 1.1 | 1.5 | pF | |
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