光谱椭偏仪 M-2000

光谱椭偏仪 M-2000

高速宽谱薄膜表征与光学常数测量系统

光谱椭偏仪M-2000产品简介

昊量光电新推出的M-2000® 系列光谱椭偏仪是一款面向薄膜材料研发、半导体工艺监控、光学镀膜分析、光伏器件检测和显示面板质量控制的高性能光谱椭偏测量系统。该系列产品融合 RCE 旋转补偿器椭偏技术、高速 ccd 全光谱检测和宽光谱覆盖能力，可在极短时间内完成多波长同步采集，为用户提供快速、稳定、精准的薄膜厚度、折射率 n、消光系数 k 及多种材料光学参数测量结果。资料第2页显示，M-2000 可在不到一秒的时间内采集整个光谱，适用于原位监测、过程控制、大面积均匀性映射及通用薄膜表征等应用。

在薄膜研发与生产过程中，薄膜厚度、光学常数、均匀性、界面状态和材料结构变化都会直接影响产品性能。M-2000 可对从亚纳米级到数十微米厚度的透明薄膜进行测量，同时也适用于电介质、有机物、半导体、金属及多层复合膜结构。M-2000 对小于单分子层的表面材料具有灵敏响应，并可测量不同类型材料的 n 和 k 光学常数。

M-2000® 系列光谱椭偏仪通过分析入射光与薄膜多界面反射后的干涉信息，判断薄膜厚度及材料光学响应。对于透明薄膜，数据振荡特征可反映厚度变化；对于吸收薄膜，消光系数 k 会影响光谱形状。薄膜厚度、折射率和吸收特性对光谱数据的影响， M-2000 不仅可以测厚，还能深入分析材料的光学特性与结构变化。

光谱椭偏仪M-2000核心特点：

1.RCE 旋转补偿器椭偏技术

M-2000 采用 RCE 技术，可实现高准确度和高精度椭偏测量。相比传统单波长或慢速扫描方式，RCE 技术配合高速 CCD 检测，可同步采集多个波长数据，大幅提升测量效率，尤其适合需要快速反馈的工艺监控和批量检测场景。

2.高速CCD全光谱采集

系统可同时测量全部波长，不需要逐点扫描。M-2000 数据采集率可达每秒20次，为获得更佳信噪比，典型全光谱测量时间为0.5至5秒。对于研发测试、生产抽检、原位监测和在线过程控制，这种高速采集能力能够显著提高测试效率。

3.宽光谱范围，多种型号灵活选择

M-2000 提供多种光谱范围配置，可覆盖从深紫外到近红外的不同需求。列出了多个型号：M-2000D 覆盖193–1000nm，M-2000U 覆盖245–1000nm，M-2000V 覆盖370–1000nm，NIR 扩展模块可延伸至1690nm。列出 M2000DI 可覆盖193–1690nm、690个波长，适合半导体、透明导电氧化物、厚膜、多层膜和复杂材料分析。

4.薄膜厚度与光学常数同步分析

M-2000 不仅用于薄膜厚度测量，还可同时分析折射率 n、消光系数 k 以及材料光学响应。对于光学镀膜、半导体薄膜、OLED、有机光伏、透明导电膜等材料，用户可通过光谱椭偏数据建立模型，获得更完整的薄膜参数结果。

5.可分析多种材料特性

基于光学常数变化，M-2000 还可间接分析材料成分、结晶度、电导率、各向异性、表面粗糙度及界面粗糙度等参数。资料第4页中以不同结晶度的锗薄膜为例，展示了材料晶体结构变化对吸收峰和光学常数的影响。

光谱椭偏仪M-2000核心参数

光谱椭偏仪M-2000光谱范围选择

典型应用领域

光学镀膜

M-2000 可用于单层和多层光学镀膜的厚度、折射率和光学性能分析，适合增透膜、高反射膜、装饰膜、滤光片、窗口镀膜及功能性光学膜层检测。资料第5页指出，该系统可表征单层及多层镀膜，并可计算不同光照条件下镀膜结构的颜色坐标。

半导体材料与器件

在半导体制造与研发中，M-2000 可用于光刻胶、光掩模、SiON、ONO 堆栈、低 k 介电材料、高 k 栅极、SOI、SiGe、II-VI 族和 III-V 族化合物等材料分析。其深紫外光谱能力对超薄膜和光刻相关材料尤为重要，可满足半导体工艺表征需求。

光伏材料

薄膜厚度和光学常数会直接影响太阳能器件性能。M-2000 可用于 a-Si、μc-Si、多晶硅、SiNx、AlNx、ITO、ZnOx、AZO、CdS、CdTe、CIGS、有机光伏材料及染料敏化薄膜的开发和监控。资料第6页明确指出，椭偏仪可用于所有光伏材料的开发和监测。

显示器件

在显示领域，M-2000 可用于 a-Si、多晶硅、微晶硅、OLED 层、彩色滤光片、ITO、MgO、聚酰亚胺和液晶材料测量。无论是研发阶段的膜层优化，还是生产中的工艺质量控制，都可通过光谱椭偏数据获得可靠的材料信息。

化学与生物材料

M-2000 可作为独立工具，也可配合液体池、温控平台、QCM-D 等附件，用于液体环境、高温、低温或液固界面下的材料研究。资料第5页和第10页显示，该系统支持化学/生物应用，并可结合 QCM-D 测量以检测亚单层级厚度和质量变化。

灵活配置，适配不同实验和生产环境

M-2000 可提供固定角度、水平自动角度和垂直自动角度等配置。固定角度系统结构简单、经济实用，适合常规薄膜测量；自动角度系统则兼具灵活性和自动化能力，可满足不同反射、透射和复杂样品测量需求。资料第8页显示，水平系统适合大面积映射、液体池和加热台等扩展应用，垂直系统可提供更宽角度范围，并支持样品角度和探测器角度独立控制。

丰富附件，拓展更多测量能力

M-2000 可搭配多种附件使用，包括映射平台、对焦与相机系统、自动准直、样品旋转、透射附件、液体池、加热台、低温恒温器、多孔样品吸盘、QCM-D 安装台等。资料第9页和第10页展示了这些附件，可覆盖薄膜均匀性映射、光斑定位、样品旋转、透射测量、液体环境测量、变温测量和液固界面实时监测等需求。

大尺寸面板映射能力

M-2000 常用于显示器和光伏领域的大尺寸面板薄膜均匀性测量。对于透明导电氧化物、非晶硅、纳米晶硅、CdTe、CIGS 以及氧化物和氮化物减反射涂层等材料，M-2000 可提供在线和离线映射方案。资料第11页显示，该系统可在1.1×1.3米面板上进行数百点映射，并获得整板厚度和折射率分布图。

原位监测与过程控制

M-2000 是薄膜沉积、刻蚀和工艺过程控制的理想工具。资料第12页显示，该系统已应用于 MBE、溅射、等离子体刻蚀、ECR、ALD、电子束蒸发、MOCVD、PECVD、PLD、液体池、加热台和低温恒温器等多种工艺场景，可实时确定生长速率或蚀刻速率，测量不同工艺条件下的厚度、n、k，并以亚单层灵敏度监测液体中的吸附现象。

测量功能

除了常规椭偏测量，M-2000 还支持强度反射率与透射率、多角度测量、各向异性分析、广义椭偏测量、穆勒矩阵测量和退偏振测量。资料第13页显示，M-2000 可测量11个穆勒矩阵元素，适用于各向异性、退偏振、厚度不均匀、图形化层和复杂背面反射样品分析。

产品价值总结

M-2000® 光谱椭偏仪集高速采集、宽光谱覆盖、高精度建模和灵活系统集成于一体，既适用于科研实验室的材料机理研究，也适用于工业生产中的薄膜质量控制、在线监测和大面积均匀性检测。对于需要快速获得薄膜厚度、折射率、消光系数、材料结构和工艺变化信息的用户，M-2000 提供了一套成熟、可靠且可扩展的光学表征解决方案。

问答小贴士

1. M-2000主要用途？
   测量薄膜厚度和光学常数，支持原位监测、工艺控制及大面积均匀性映射

2. 适合哪些材料？
   电介质、有机物、半导体、金属及多层复合薄膜。

3. 采集速度如何？
   CCD 可每秒采集 20 次全光谱，典型全光谱测量 0.5–5 秒完成

4. 可配合哪些附件？
   热台、低温恒温器、液体池、QCM-D、旋转样品台及大面板映射系统等

M-2000® 光谱椭偏仪结合高速 CCD、宽光谱与 RCE 技术，实现薄膜厚度及光学常数快速精准测量。

适用于科研与工业薄膜研发、光学涂层、半导体、光伏及显示器件，提供高效可靠的表征方案

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关于昊量光电：

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