近紫外/可见光波长铌酸锂（掺MgO）相位调制器-Covesion/AdvR
目前多数商用和文献报道的器件仍集中在通信波段（如1550 nm）。在近紫外到可见光波段，实现兼具高带宽和高功率承受能力的相位调制器，一直是技术难点。这主要是因为短波长光子能量更高，对材料的损伤更敏感，且波导设计与制造工艺面临更大挑战。
Covesion/AdvR推出的基于MgO:LN波导的相位调制器在紧凑和低损耗的光纤耦合配置下提供低Vpi的高速运行。该器件中使用的极化波导提供了比其他宽带光纤耦合器件更高的功率处理改进的PER(偏振消光比）。该相位调制器可用于客户定义的波长范围从大约370 nm到850nm。
宽波段覆盖：专门针对近紫外到可见光波段进行了波导与材料优化，能在此波段内实现低损耗、高效率的相位调制。
高带宽性能：借助精密的波导结构和电极设计，器件支持高速信号调制，满足从精密测量到量子光学实验的严苛要求。
高功率耐受：利用高掺杂MgO:LN材料优异的抗光折变特性，器件可在高功率光输入下长期稳定工作，无需担心性能劣化。
近紫外/可见光波长铌酸锂（掺MgO）相位调制器-Covesion/AdvR主要的特点
宽波段： 370nm-850nm范围内可选
低半波电压: Vpi@1Ghz：3V@532nm,5V@780nm
高功率阈值： 780nm@50mw
低插损： ≤4dB
高带宽： 10Ghz/20Ghz
近紫外/可见光波长铌酸锂（掺MgO）相位调制器-Covesion/AdvR主要的应用
量子光学
冷原子/分子/离子
激光频率锁定
近紫外/可见光波长铌酸锂（掺MgO）相位调制器-Covesion/AdvR的规格清单：
| 波长（nm） | 780 | 630 | 532 | 488 |
| 3dB带宽（Ghz） | >10 | |||
| 半波电压Vpi@1GHz（V） | ~5 | ~4 | ~3 | ~3 |
| 半波电压Vpi@10GHz（V） | ~9.5 | ~7 | ~5 | ~5 |
| Max功率（mw） | 50 | 30 | 25 | 20 |
| 插入损耗（dB） | ≤ 4 | |||
| 尾部光纤型号 | PM850 | PM630 | PM480 | |
| 光纤连接器规格 | FC/APC | |||
| 射频RF连接器输入规格 | F SMA | |||
备注：自定义波长范围约370纳米至850纳米
带宽可选20ghz
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