高速InGaAs光电二极管-FD50系列高速InGaAs光电二极管FD-80系列高速InGaAs光电二极管FD-100系列高速InGaAs光电二极管FD-150系列高速InGaAs光电二极管FD-300系列NIR单光子探测器模块UPD高速光电探测器超快高灵敏热释电探测器SiPM单光子探测器Scontel超导纳米线单光子探测器(需要制冷腔)800~1700nm光电探测器InSb中红外探测器高量子效率(HQE)平衡探测器光电倍增管模块PMT红外热电堆阵列传感器
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高速InGaAs光电二极管-FD50系列
fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,致力于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。
Fermionics公司推出的这款高速InGaAs光电二极管-FD50系列产品是一款50µm有源直径InGaAs光电二极管,安装在带球透镜的TO46顶盖中。
可以用于高速模拟和数字通信系统、局域网、FDDI、仪器和传感应用的高速InGaAs光电二极管。所有设备都是fabrica采用平面钝化技术;光敏表面是宽带AR涂层。
Fermionics FD50 系列为 50 μm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,以超低电容(0.25–0.4 pF)、亚纳秒响应(100–200 ps)与低暗电流(0.1–1 nA)为核心,适配 1310/1550 nm 超高速通信与测试,支持 TO / 陶瓷 / 光纤耦合封装,适合 40G/100G/200G ROSA 与高速仪器接收端。

(FD50L产品图片)
核心原理与结构:
平面钝化 PIN,宽带增透膜,响应 900–2600 nm,典型 1310/1550 nm。
反向偏置耗尽层吸收光子,低电容支撑 GHz 级带宽与亚纳秒上升 / 下降。
速度由结电容与负载决定,50 μm 较 80 μm 更小,带宽更高、耦合更精准。
性能优势:
超高速低噪声:0.25–0.4 pF、100–200 ps,适合 40G/100G/200G 与高速测试。
低回损可选:尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统反射噪声。
灵活集成:TO、陶瓷衬底、表面贴装、尾纤 / 连接器,适配原型到量产。
工业可靠:-40 至 + 85 °C,高稳定性,适合户外与数据中心。
应用场景:
超高速光通信:40G/100G/200G ROSA、相干接收、数据中心 DCI,1310/1550 nm 链路。
微波光子学:光生微波、光电混频、ROF 系统,低电容与高线性。
传感与医疗:近红外光谱、光纤传感、激光雷达,宽波长与低暗电流。
选型建议:
超高速通信:选 FD50S8‑F/F8,尾纤 / 连接器耦合,低回损,适配 ROSA 与相干接收。
测试仪器:FD50W/FD50L,平窗 / 球透镜,易与准直光 / 自由空间系统对接。
高频 PCB:FD50S2/S3,陶瓷衬底,低热阻、低寄生,支持表面贴装。
低回损:指定尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统抖动与误码。
FD50系列产品类型:
| FD50W | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口上,配有平坦的AR涂层窗口 |
| FD50L | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内,带球形透镜 |
| FD50S2 | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷底座上 |
| FD50S3 | 50µm有源直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷底座上 |
| FD50S8-F-(光纤类型/连接器) | 50µm有源直径InGaAs光电二极管水平安装S8陶瓷封装尾尾组件。定制光纤和连接器终端可用。 |
| FD50S8-F8-(光纤类型/连接器) | 50µm有源直径InGaAs光电二极管水平安装S8陶瓷封装尾尾组件。内部纤维尖端角在8°抛光低背反射。定制单模光纤和连接器终端可用。 |
FD50 芯片系列规格表:
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 100 | 200 | ps | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF | |
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