大范围可调谐窄线宽激光器
结合III-V族材料直接带隙高效率发光的特性和硅基波导结构紧凑低损耗的优势，III-V族硅基外腔芯 片集成激光器具有大调谐范围、窄线宽和高输出功率。
产品性能：
· 波长调谐范围:O、S、C、L波段可选，780nm、850nm等其他波段可定制；
· 输出功率：输出功率大于20mW@C波段，可集成BOA，功率大于100mW；
· 线宽：瞬时线宽和积分线宽分别kHz和百kHz量级，可定制更窄线宽；
· 强度噪音：小于<-145dBc/Hz@3M-26GHz。
单波长超窄线宽激光器
将高Q值的无源波导谐振腔芯片和III-V族有源芯片耦合，输出的一部分激光经谐振腔延时后至反馈回有源芯片，实现自注入锁定，有效压缩激光线宽，提高激光器的稳定性。
产品性能：
·工作波长：1550nm、1310nm，其他波长可定制；
·激光器本征线宽为百Hz量级（SYCATUS A0040测试）;
·可集成BOA，功率大于200 mW。
增益芯片、助推放大芯片
增益芯片可配合光栅、标准具和波导平台等构成外腔 激光器，实现窄线宽和大调谐范围的激光输出。助推放大 芯片可以将激光器功率放大至百mW以上，满足激光雷 达、微波光子等高功率应用需求。
产品性能：
·可提供芯片粒、COC贴装；
·工作波段中心波长：1580nm、1550nm、1310nm；
·增益芯片支持>100nm调谐范围@1580nm；
·助推放大芯片输出功率大于100mW@C+L波段。
1550nm 大功率激光器芯片
| 参数 | 测试条件 | 蕞小 | 典型 | 蕞大 | 单位 |
| 输出功率P。 | 300mA@25C | 80 | 90 | _ | mW |
| 阈值电流 Ith | 25C | _ | 15 | 30 | mA |
| 正向电压V | 250mA | _ | 1.5 | 2.1 | V |
| 斜率效率SE | 60mW/25C | 0.3 | 0.4 | _ | W/A |
| 中心波长λ。 | 50mW/25C | -0.5 | _ | ±0.5 | nm |
| -20dB 带宽Δλ | 50mW/25'C | _ | _ | 0.1 | nm |
| 温度系数 dλ/dT | IOP= 300mA | _ | 0.08 | _ | nm/C |
| SMSR | 50mW/25'C | 40 | _ | _ | dB |
| 快轴角度 (FWHM) | θ⊥ | _ | 28 | _ | deg. |
| 慢轴角度 (FWHM) | θ⊥ | _ | 23 | _ | deg. |
注：本产品只提供封装好的芯片，并非为裸片
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