自动非接触式晶圆成像设备
昊量光电代理的德国 Suragus 公司研发的全自动晶圆成像设备，专为半导体行业设计，通过非接触式涡流技术与光学传感结合，实现晶圆基板及涂层的全区域表征，核心价值在于保障半导体制造的工艺可靠性与质量管控，广泛适配 Si、SiC、GaN 等主流及宽禁带半导体材料，是兼顾高采样率、高精度与空间优化的一体化检测解决方案。
一、全自动非接触晶圆电阻率成像系统核心的技术与测量的能力
设备以双非接触式涡流传感器（透射模式） 为核心，搭配光学传感模块，可同步完成电性能与物理形态的多参数测量，覆盖半导体制造关键检测需求：
1. 电性能参数
电阻率：测量范围 0.1–100 mOhm・cm，精度 1–5%（低阻值区间精度更高），适配低阻半导体材料检测；
薄层电阻：覆盖 0.0001–100,000 Ohm/sq（部分版本可扩展至 200,000 Ohm/sq），支持 6 个数量级测量，满足从金属薄膜到高阻涂层的多样化需求；
金属层厚度：基于薄层电阻推导，范围 2 nm–1 mm，可精准检测铝、铜等金属薄膜及厚膜涂层，适配半导体封装、晶圆 metallization 等工艺。
2. 物理形态参数
总厚度变化（TTV）：300–1,000 μm，通过光学传感器捕捉晶圆厚度均匀性，排查基板制造缺陷；
翘曲（Bow/Warpage）：±1 mm，检测晶圆弯曲程度，避免后续光刻、键合工艺中的对准偏差；
缺陷识别：可捕捉微观裂纹、薄膜厚度不均等问题，替代多台单一功能设备，简化质检流程。
二、全自动非接触晶圆电阻率成像系统的核心优势
1. 全自动化与高 throughput
配备全自动晶圆盒（Cassette）搬运系统，支持 150 mm（6 英寸）、200 mm（8 英寸）晶圆盒（单盒容量 25 片），2–4 英寸晶圆可通过标准适配器兼容；
检测效率达 60 片 / 小时（约 1,000 片 / 天），单晶圆测量时间 30–90 秒（可根据测量点数调整），适配量产型半导体产线节奏；
全程非接触式操作：仅在晶圆侧面施加微小作用力，避免基板表面划伤、污染，保障晶圆完整性。
2. 高分辨率与全区域表征
支持 22,000–100,000 个测量点的全表面 mapping，可生成电阻率、薄层电阻等参数的高分辨率图像，直观呈现材料均匀性；
配套软件提供直方图、线扫描、3D 视图等分析工具，支持局部区域精准复扫，助力工艺问题定位（如离子注入不均、薄膜沉积异常）。
3. 空间与成本优化
超小占地面积：设备尺寸仅 785 mm×1,170 mm×666 mm（约 0.93 ㎡），可直接放置于洁净室工作台，节省昂贵的洁净室空间；
一体化设计：集成电性能、物理形态检测功能，替代 3–4 台单一设备，降低设备采购、维护及空间占用成本。
4. 宽材料适配性
兼容硅（Si）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等主流及宽禁带半导体材料，适配功率半导体、射频器件、航天级芯片等高端应用；
支持透明导电膜（如 ITO）、石墨烯、导电聚合物等新型材料检测，拓展至光伏、柔性电子等领域。
三、全自动非接触晶圆电阻率成像系统的适用场景
半导体晶圆制造：Si/SiC/GaN 晶圆电阻率、TTV 检测，保障基板质量；
晶圆工艺监控：离子注入后电阻率验证、金属层沉积厚度管控、退火工艺效果评估；
质量 assurance（QA）：量产晶圆批次抽检、异常晶圆失效分析，符合 SEMI 行业标准；
高端材料研发：宽禁带材料（SiC/GaN）、新型导电薄膜的均匀性表征，助力研发迭代。
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