GGB Picoprobe高频射频探针
GGB Industries是射频半导体、毫米波雷达、高校微波实验室行业标准测试探头,对标 FormFactor、MPI 探针,以独立弹簧针尖、低损耗同轴结构、超高测试重复性为核心优势,国内科研院所、晶圆厂、雷达企业主流采购进口高频探针。
用于裸片 / 晶圆在片射频 S 参数表征,搭配射频探针台 + 矢量网络分析仪 VNA,完成射频 IC、MMIC、毫米波雷达、高速无源器件、太赫兹芯片的高频电性能测试,标准阻抗 50Ω 同轴体系。

核心专利技术与结构优势:
独立弹簧加载三针尖:GSG 三针每根触点独立弹性缓冲,下压时自动微量擦拭焊盘氧化层,消除接触电阻波动;即使晶圆凹凸、陶瓷基板、激光二极管非平面结构,仍能实现均匀稳定接触,测试重复性可达 - 80dB 级别,大幅降低多次测试数据漂移。
全段低损耗同轴腔体:从仪器同轴接口直达针尖,全程受控阻抗传输,无分段信号断点,全频段插损、驻波控制优异,高频信号完整性远优于普通平面共面探针。
可视针尖设计:显微镜下可直接观察针尖与焊盘接触位置,微小焊盘精准对位,适配 LRM/SOLT 射频校准,降低校准误差。
模块化可替换针尖:底座通用,仅更换针尖即可切换不同针距、材质、针尖粗细,降低多规格测试采购成本。
典型应用场景:
半导体射频芯片:MMIC 单片微波集成电路、功率放大器 PA、射频开关、滤波器、耦合器、5G/6G 射频前端、射频阻抗匹配、S 参数 / 插入损耗 / 回波损耗 / 隔离度测试。
车载毫米波雷达:24GHz、60GHz、77GHz 雷达收发芯片、雷达天线阵列、毫米波无源器件 W 波段在片表征。
高校 / 国防科研:微波实验室、太赫兹器件、量子射频、二维材料、激光二极管、陶瓷高频基板、毫米波成像器件。
失效分析与可靠性:晶圆级失效诊断、高低温循环射频性能、器件耐压 / 功率耐受测试。
Model40A 采用单独弹簧加载的铍铜、钨或镍触头,即使在探测非平面结构时也能提供可靠的接触。这种可靠的低电阻接触是提供高度可重复测量结果的关键之一。
Model40A微波探针还提供探头尖端的直接可视性,以实现精确定位。可通过多种适配器进行安装,适用于与标准的微波探针站配套使用,或可与薄刀片相连,用于与探针卡或多触点楔形器上的直流探针针头配合使用。此外还可提供定制安装方案。

产品特点:
耐用的射频探头
任意间距从25到2540微米直流至40GHZ
插入损耗小于0.8分贝
回波损耗大于18分贝测量重复性优于-80dB独立弹簧加载触点提供铍铜、钨或镍尖端
多种焊盘设计
专利同轴设计
部分参数:
频段范围:DC~40GHz
射频母接口:2.9mm K 型(兼容 3.5mm/SMA)
典型插损:<0.8dB@40GHz
回波损耗:>18dB
测试重复性:-80dB
可选针距 Pitch:25~2540μm
Model 50A:
50A 探针组在微波探测性能方面树立了新的标准。通过采用低损耗同轴技术,该型号50A实现了插入损耗低于 1.0 分贝以及回波损耗在 50 GHz 范围内超过 18 分贝的性能。
凭借其独立的弹簧加载、铍铜或可选钨制探头,型号 50A 即使在探测非平面结构时也能提供可靠的触点。这种可靠的低电阻触点是实现高度可重复测量的关键之一。型号 50A还提供对探针触点的直接观察,便于进行精确定位。

产品特点:
直流到50 GHz
任何音高范围为25到1250微米
插入损耗小于1.0 dB
回波损耗大于18分贝
测量重复性 -80分贝
单个弹簧加载触点
有BeCu或钨钢的建议
部分参数:
频段范围:DC~50GHz
射频母接口:2.4mm V 型
典型插损:<1.0dB@50GHz
回波损耗:>18dB
测试重复性:-80dB
可选针距 Pitch:25~1250μm
Model 110H:
MODEL 110H是一款高性能微波探头,采用专利的同轴设计技术,并具有固有的低损耗和低色散特性。
与所有 Picoprobe 微波探头一样,型号 110H 具备客户青睐的特性,例如:单独弹簧加载的铍铜探头,即使在探测非平面结构时也能提供可靠的接触点;可直接查看探针尖端,以实现精确定位且可设计成几乎任何间距。
为获得最佳性能,建议使用较小的间距和接地-信号-接地足迹。与Model110H 的连接方式为 1.0 mm 母型连接器。

产品特点:
专利同轴设计
直流到110 GHz
插入损耗 1.5 dB(110H)
回波损耗 15 db(110H)
独立弹簧加载触点
采用1.0毫米母头连接器
部分参数:
频段范围:DC~110GHz W 波段
射频母接口:1.0mm 超高频同轴
典型插损:<1.5dB@110GHz
回波损耗:>15dB
测试重复性:-50dB
可选针距 Pitch:50~450μm
其他产品型号亦可咨询上海昊量光电设备有限公司
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