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椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建(三)-应用案例

发布时间:2023-12-27 10:15:00 浏览量:721 作者:Alex

摘要

电化学沉积是半导体薄膜沉积和微电子制备铜互连的重要制备方法。而在沉积过程中的成核和生长对于半导体薄膜和铜互连的性质非常重要,椭偏仪在位监测提供一种实时监控薄膜沉积的方法。但是椭偏仪在位监测受到光路设计,实验装置,固液界面以及光谱解析的影响,构建其监测系统是一个挑战。

正文


椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建(三)-应用案例


1.3应用案例


椭偏仪在位监测已经广泛应用于薄膜生长、颗粒和生物大分子的吸附等领域。下面介绍一下椭偏仪在位监测在薄膜生长和颗粒方面的案例。


1.3.1薄膜生长


椭偏仪对厚度的无损测量使其可实现薄膜生长的实时监控。而不同时间生长时间其薄膜的性质及厚度不同,这样需要构建不同厚度的多层膜结构,从而实现在位监控,得到薄膜生长厚度随时间的变化信息。比如F.N.Dultsev等采用椭偏仪研究了沉积在硅表面的钛基体氮化机理、Yuki Ishikawa等采用原位椭偏仪研究了离子液体薄膜的玻璃化转变行为,Meng Yuan等提出了一种简便、无损伤的在位椭圆偏振法来监测CsPbI3薄膜在室温至340℃热变色过程中三个显著相变的光学性质演变等。


除了上述椭偏仪常规薄膜的研究以外,椭偏仪还用于自组装单层膜(SAMs)厚度的研究。自早期实验以来,椭圆偏振谱已被广泛应用于自组装单层膜的厚度测定。利用椭偏仪测量得到SAMs表面光谱特性,可以得到SAMs的光学性质以及形态结构,如界面形态等。随着自组装单层膜(SAMs)监测表征技术的发展,红外椭圆偏振光谱(IRSE)作为表征纳米结构的一种强有力的工具,特别是自组装单分子膜(SAMs)的表征上,已得到极大的发展。与传统的傅里叶变换红外反射吸收光谱(FT-IRRAS)相比,IRSE在测定高反射率波长区域内的介电函数(低至单分子层厚度)方面具有优势。另外,IRSE表征比FT-IRRAS表征有更多的实验参数,可以获取薄膜样品的更多信息。

图1-3为利用椭偏仪在位监控微晶mc-Si:H薄膜在ZnO衬底的生长。生长模型为岛状生长,因此在生长过程中,表面较为粗糙,通过模型构建可以获取薄膜表面粗糙度随时间演变和生长速率和生长模式。


图1-3薄膜生长过程中表面的粗糙度随着时间的演变


1.3.2监测颗粒吸附


对于颗粒或者大分子层的吸附,椭偏仪可以检测到其光学常数的变化,并且利用有效介质模型提取颗粒的覆盖率信息等。椭偏仪被广泛应用于生物大分子特别是蛋白质等的吸附研究。Woo-KulLee等在2003年采用在位椭偏仪监测蛋清溶菌酶吸附动力学数据,从而建立了蛋清溶菌酶对亲水二氧化硅吸附动力学的模拟模型。如图1-4所示,Katerina Stamataki使用椭偏仪(EW-CRDE)采用740nm探测激光束监测吸附的罗丹明800的吸收和相移Δ以及聚四氟乙烯悬浮液在熔融石英棱镜表面沉降过程中的吸收和相移Δ。结果表明,椭偏仪为Δ的测量提供了一种灵敏的方法,Δ的精度约为10-4度。


图1-4用于研究在棱镜界面处的气体或液体样品的实验装置


图1-5是Diana Viegas等用椭偏谱法研究核壳金属有机纳米粒子吸附在基底上的测试示意图。其采用Bobbert-Vlieger模型计算核壳粒子在基底上的光散射,数值计算预测金属有机粒子对应的椭偏参数Δ和ψ。理论上在裸露的金纳米颗粒的极限情况下,Bobbert-Vlieger模型的预测与常用的Maxwell-Garnett有效介质近似的预测一致。Bobbert-Vlieger模型的优点包括它依赖于麦克斯韦方程组的精确解,以及可以模拟比EMA模型更复杂的纳米结构体系。理论和实验上都发现,在真实的实验条件下,可以检测到与纳米颗粒表面生物功能化和生物认知事件相关的椭偏参数的变化。结果还表明,这种方法可扩展到更复杂参数的测量,例如生物有机壳的水合程度,甚至可能扩展到溶液中生物功能化纳米颗粒的测量。


图1-5 Au纳米颗粒探测有机分子的示意图


由此可见椭偏谱通过建模可以获取薄膜、纳米颗粒的光学常数和生长过程信息。


1.3.3椭偏仪应用于电化学沉积监测


椭偏仪可获取固-液界面和固-气界面信息。椭偏仪可用于探测蛋白分子在固体-液体界面的物理和化学过程,获取蛋白质分子的振动能量变化。利用椭偏仪可观察溶液中Mg合金氧化生成MgO的过程及GaAs的腐蚀过程。此外,椭偏仪还被应用于有机溶液的介电常数测试,可实现对过滤膜中的固液或固气界面的生成物的实时监控。因此椭偏仪表征是固-液界面的重要表征方法之一。利用椭偏仪在位监测Au衬底上Bi2Te3生长的椭偏参数并解构出电化学沉积过程。椭偏仪也用于研究铜互连工艺中有机高分子PEG与C1-的相互作用对于Cu沉积过程的影响。因此在位椭偏仪可直接监控电化学沉积过程中的厚度和成分变化及相应的生长过程。



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