椭偏成像技术是为适应各种器件和材料小而精的趋势，在传统椭偏技术的基础上结合成像技术发展起来的一门测量技术。随着纳米技术的快速发展，该技术也呈现快速发展的趋势，在材料科学、生物学、半导体等很多领 域有着广泛的应用。
椭偏仪（一）-椭偏成像技术简介
椭偏成像技术是一种在传统椭偏技术和光学成像系统基础上发展而来的，以charge coupLED device (ccd)或 complementary metal-oxide-semiconductor transistor（cmos）为探测器实现高横向分辨率的椭偏测量技术。
随着各种技术的发展，传统椭偏测量技术已经无法满足测量要求。从根本的测量原理来看，传统椭偏测量技术测量时采用的是光斑照射区平均测试方法，分析的数据是全部光斑照射区域内样品待测参数的平均值，这不仅难以准确地检测分析小于光斑照射区域内待测对象的微小变化，对于待测参数分布不均匀的样品也会得到错误的结果，无法 满足对样品性能的表征要求。另外，传统椭偏仪横向分辨率主要取决于光斑直径和样品台位移精度，其光斑直径一般为 3-25 mm，每次测量时只能获得当前光斑照射区域内的信息，需要移动样品台进行多次测量才能获得大面积区域内的光学信息，测量效率受到严重影响。在这种情况下，提高椭偏测量的空间分辨率和测量效率成了必要研究的方向。
椭偏成像技术由传统椭偏测量系统结合光学成像技术、图像采集技术、计算机技术构成，纵向分辨率与传统椭偏测量术相当，膜厚测量精度可达埃级，同时具有高横向分辨率、高灵敏度；可以对样品表面光学成像的每个像元进行椭偏测量，得到微区特性的精确定位测量，极大提高了对微纳区域的表征能力，横向分辨率达到微米级；还可以对同一光斑区域的多元样品进行观测，弥补了传统测量技术的不足。目前，具有传统椭偏测量技术和光学成像系统两者优点的椭偏成像技术发展迅猛，为纳米检测、生物医学、半导体工业、集成电路等领域的材料性能表征提供了极大便利。
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相关文献：
《几何光学 像差 光学设计》（第三版）——李晓彤 岑兆丰
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