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半导体激光管

高功率(1.2mw)单模(SM)VCSEL激光器795nm/895nm高功率单模VCSEL激光芯片原子钟专用VCSEL激光器(795nm, 895nm)激光二极管 (Laser Diode)1018-1188nm 波长可选超微型DFB激光器640-905nm传感器用高输出FP激光器1240-1330nm适用于硅光子学的量子点激光器激光模块和组件 - 光纤耦合半导体激光器Modulight 自由空间激光器 - 芯片、棒材、TO-cans, mounted激光器282nm深紫外激光二极管 显示全部
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282nm深紫外激光二极管

  • 282nm深紫外激光二极管
<300nm!深紫外激光二极管

所属类别:连续激光器(CW) » 半导体激光管

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姓名:李工(Finend)

电话:131 6217 9980(微信同号)

邮箱:chenhao-li@auniontech.com

282nm深紫外激光二极管

一.282nm深紫外激光二极管产品概述

      继氮化镓(GaN)蓝光LED和晶体管等紧凑型交流适配器创新的突破材料之后,氮化铝(AlN)作为超宽带隙半导体正崛起,成为吸引关注的下一代材料。昊量光电新推出282nm深紫外激光二极管,运用紧凑高效激光二极管技术实现了<300nm的更短波长,在半导体制造、灭菌和精密检测等领域具有高度应用潜力!


二.282nm深紫外激光二极管产品参数

封装:φ5.6mm

横模

光学输出功率:10mW


绝对额定值


参数
符号
绝对额定值
单位
光学输出功率
PO
15
mW
允许正向电流
IF120mA
储存温度
TST
20-40
°C
工作温度
TC20-30
°C









特征参数 (TC=25°C)(脉冲驱动条件:50 µs 宽度,占空比1%,200 Hz)

参数
状态
符号
典型值
单位
峰值波长
PO=10mWλp282
nm
门限电流PulseIth55
mA
工作电流PO=10mWIop70mA
斜度效率
Pulaseη1
W/A
工作电压
PO=10mWVop9V
光束发散性(平行)
PO=10mWθ//15
°
光束发散性(垂直)PO=10mWθ⊥55°




更多详情,欢迎直接联系昊量光电!

关于昊量光电

上海昊量光电设备有限公司凭借强大的本地化销售网络与专业技术支持团队,长期服务于国内数以万计工业及科研客户,涵盖半导体、生物医疗、量子科技、精密制造、生物显微、物联传感、材料加工、光通讯等前沿领域。

昊量光电拥有的专家级的软硬件开发团队及丰富的行业应用经验,可提供:

✅ 全天候售后技术支持——快速响应,确保设备稳定运行;

✅ 定制化解决方案——从售前咨询到安装,培训,系统集成等,满足多样化需求;

✅ 客户高度认可——服务案例覆盖众多头部企业及高端科研机构,客户满意度持续居前列。

您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更多的产品信息,或直接来电咨询4006-888-532。


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