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半导体PN结及其单向导电性

发布时间:2022-01-19 11:29:37 浏览量:3596 作者:Bright

摘要

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。如今,半导体材料应用广泛,现代数字产品中几乎都能见到半导体的身影。而实际上,半导体之所以有如此高的地位,是由于半导体PN的单向导电性。利用这种单向导电性,人们得以控制电流的导通及其方向,而这正是计算机之所以能够工作的基本原理。

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正文


半导体PN结及其单向导电性

半导体指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,具有共价键结构,通常使用的半导体硅为四价,具有四个价电子。纯净的结构完整的半导体称为本征半导体,导电能力较差,其受到热激发后,部分价电子获得能量克服共价键束缚,称为可以在晶格中自由运动的自由电子,而原共价键中出现一个空位,称为空穴。自由电子和空穴都是载流子,载流子则是可以运输电流的载体。


由于本征半导体导电性较差,因此为了提高其导电性会在其中掺入少量杂质,形成杂质半导体。半导体PN结则是由一个P型半导体N型半导体组合而成。


N型半导体:

N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入五价元素(磷和砷)组成的。杂质中四个价电子与硅组成共价键,剩余一个称为自由电子(载流子)。因此N型半导体中载流子是自由电子。


P型半导体:

P型半导体是在硅中掺杂三价元素(硼)组成的。它和硅中价电子组成共价键时由于缺少一个价电子,从而形成空穴(载流子)。因此P型半导体中的载流子是空穴。



将P型半导体与N型半导体结合之后,由于两侧存在浓度差(N区多自由电子,P区多空穴),就形成了PN结(阻挡层)。N区自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散,N区就形成带正电离子,P区就形成带负电离子。于是PN结形成了由N区指向P区的内电场。这个内电场会产生两种性质:

1.阻碍多子扩散运动(N区自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散)

2.促进少子漂移作用(由本征激发产生的自由电子和空穴,数量极少)



由于内电场的这两种性质,当给PN结加正向电压时(P区接正极,N区接负极),形成的外电场会与内电场方向相反,外电场的引入促进了多子扩散,削弱了内电场,电流可以顺利通过,形成较大的扩散电流。由于扩散电流远大于漂移电流,则可以忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性,PN结处于导通状态。


当PN结接反向电压时(N接正极,P接负极),外电场与内电场方向相同,外电场的引入阻碍了多子扩散,使内电场增强,促进了少子漂移。但由于少子漂移数量很少,因此形成的漂移电流较小。PN结呈现高阻性,处于截止状态。

因此,可以得出结论,半导体PN结具有单向导电性。只有给PN结加正向电压时,电路才会导通。


相关文献:《电工与电子技术》——赵承滨


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