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垂直于半导体PN结的结平面的一种表面发射激光器。 ...
以半导体PN结为增益介质,芯片两端自然解理面构成法布里-珀罗谐振腔,实现激光振荡的激光二极管。 ...
体材料制成的PN结或类似的结构中通以正向电流,使载流子复合从而发出可见光或红外线的电致发光器件。属于冷光源。 ...
利用向半导体PN结注入电流使载流子实现粒子数反转,从而产生受激辐射放大的光放大器。 ...
当半导体PN结正向偏置时,电子(空穴)会注入P(N)型材料区,注入的少数载流子会通过直接或间接的途径与多数载流子复合而产生的发光现象。 ...
基于半导体PN结中导带电子与价带空穴复合发光原理的发光材料。 ...
激光输出方向垂直于PN结的半导体激光器。其结构包括垂直腔型和水平腔型两种。 ...
以半导体PN结为工作物质的激光器。 ...
体材料制成的PN结(同质结)作为有源区的半导体激光器。 ...
导体材料构成PN结作为有源区的半导体激光器。 ...
通过向PN结注入非平衡载流子,产生布居反转,实现激光振荡的半导体激光器。 ...
在半导体正偏PN结注入载流子获得激光输出的激光器。 ...
由半导体PN结二极管构成,在正向注入电流驱动下工作的激光器。 ...
利用半导体的PN结受红外辐射产生电压的光伏效应来探测红外辐射的光电探测器。 ...
半导体PN结及其单向导电性半导体指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,具有共价键结构,通常使用的半导体硅为四价,具有四个价电子。纯净的结构完整的半导体称为本征半导体,导电能力较差,其受到热激发后,部分价电子获得能量克服共价键束缚,称为可以在晶格中自由运动的自由电子,而原共价键中出现一个空位,称为空穴。自由电子和空穴都是载流子,载流子则是可以运输电流的载体。由于本征半导体导电性较差,因此为了提高其导电性会在其中掺入少量杂质,形成杂质半导体。半导体PN结则是由一个P型半导体和N型半导体组合而成。N型半导体:N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入五价元素(磷和砷)组成的。杂质中四个价电子与硅组成共价 ...
效面积;d为PN结的耗尽层厚度。其中A越小,则越小(即响应速度越快);其次还可以通过缩短耗尽曾厚度来是响应速度加快。相关文献:[1].Toru.Y.(2015) “光学计量手册”,[M]:67-71更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了 ...
构通常是1个PN结,中间是本征层,也称之为耗尽层或耗尽区,入射的光子在耗尽区激发自由电子和空穴,并引导它们分别向两极运动,从而产生光电流。表征光电二极管时,我们会用到量子效率,这里其实是指内部量子效率,即产生的电子数与进入载荷子区的光子数之比,用于确定光电二极管的性能。光电二极管的响应度,对应外部量子效率,即产生的电子数与所有到达二极管表面的光子数之比,包括因表面反射或吸收而没有进入载荷子区的光子,所以一般内部量子效率高于外部量子效率。这种探测器的优势和缺点分别是:优势:响应速度快、灵敏度高、线性度好、噪声低、暗电流小、尺寸小。缺点:易饱和、光谱范围有限、易受温度影响、有效区域有限、放大电路。 ...
术成熟,采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声,成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高,各光电传感元件、电路之间距离很近,相互之间的光、电、磁干扰较严重,噪声对图像质量影响很大,使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年,随着CMOS电路消噪技术的不断发展,为生产高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件。5. 集成性从制造工艺的角度看,CCD中电路和器件是集成在半导体单晶材料上,工艺较复杂,。CCD仅能输出模拟电信号,需要后续的地址译码器、模拟转换器、图像信号处理器处理,并且还需要提供三组不同电压的电源同步时钟控制电路,集成度非常低。而C ...
体材料构成的PN结,后者则是光纤。而在光纤放大器中,根据放大机理的不同,又可区分为稀土掺杂放大器(如掺铒光纤放大器,)和分布式光纤放大器(如拉曼光纤放大器)等。二、半导体光放大器在半导体增益材料中,通过受激发射,可以实现光的放大,这就是半导体光放大器(SOA)的基本原理。对SOA的研究开始于1961年发明半导体激光器不久,但直到20年后人们才认识到它在光波系统中具有重要的应用前景,由此开始了更为广泛的研究和开发。SOA主要包括两类:一类由无反射镜面的激光器构成,称之为行波激光器放大器;另一类则由反射镜面、但工作在激光阈值之下的激光器构成,称作共振激光放大器,其增益理论上可达25-30 dB,噪 ...
主要的结构为PN结,在P型硅上面构建N型半导体层,就形成了一个N+/P型的PN结。当太阳光照射到PN结时,能量大于等于硅半导体禁带宽度的光能,被半导体吸收,产生电子-空穴对。在空间电荷区,产生的电子-空穴对在自建电场的作用下漂移,在外电路产生光电流(太阳能电池结构和原理如下图)。硅太阳能电池结构示意图太阳能电池工作原理图除了半导体PN结材料本身,太阳能电池的制备工艺是极其复杂的,有许许多多道工序(如下图),为了保证制备的太阳能电池的性能,减少缺陷,必须严格把控每一个步骤(下图是硅太阳能电池制备工艺流程图)。硅太阳能电池制备工艺流程图通过太阳能电池制造工艺的流程可以发现,太阳能电池的制备和生产是 ...
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