样片测量法是一种比空气测量法更为完善的椭偏角校准方法，它可以保证光谱型椭偏仪椭偏角在较大范围内测量结果的准确可靠。
光谱型椭偏仪的校准（四）-样片测量法
我们之前使用的空气测量法是使用空气和平行平晶作为标准，对椭偏仪特定椭偏角的测量结果进行验证，但是这并不能保证椭偏角在全范围内的量值准确可靠。基于以上分析，有必要给出一种更为完善的椭偏角校准方法，以保证光谱型椭偏仪椭偏角在较大范围内测量结果的准确可靠，我们称他为样片测量法。
根据椭偏仪测量流程可知，首先需要测量被测样品得到椭偏角参数，然后建立测量模型通过拟合的方式得到薄膜的厚度。对于光谱型椭偏仪而言，不同材料、不同薄膜厚度的样片，对应的椭偏参数是不相同的。假定被测样品材料固定，则椭偏角和薄膜厚度建立了对应的关系，使用不同厚度的薄膜样片就可以实现椭偏角的校准，测量形式如图1所示。
图1 模型固定的椭偏仪测量形式
目前，硅作为zui常用的半导体材料，在半导体和微电子领域中占据很大的比重，因此膜厚标准样片的衬底材料为硅，薄膜材料为二氧化硅。按照公式
所示的数学模型编写Matlab算法进行仿真得到二氧化硅薄膜的厚度，通过仿真可知:使用薄膜厚度为2nm，50nm，500nm，3个不同厚度的膜厚标准样片即可覆盖椭偏角的大部分范围，具体的薄膜厚度和覆盖椭偏角的范围见表1。
| 薄膜厚度/nm |  覆盖范围/（°） | Δ覆盖范围/（°） |
| 2 | 15-40 | 120-180 |
| 50 | 10-60 | 100-220 |
| 500 | 20-80 | 90-270 |
表1 样片覆盖椭偏角的范围
为了实现椭偏角的校准，我们需要制备标称厚度为2nm，50nm，500nm的二氧化硅膜厚标准样片。
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