SCMOS相机 光束分析仪 DMD 光纤束 合束激光器 共焦 拉曼光谱仪 锁相放大器 无掩膜光刻机 高光谱相机
纳米多孔薄膜的可调谐磁光克尔效应等离子体力学在高维数据存储、高灵敏度化学检测、生物传感等方面具有广泛的应用。这主要归因于表面等离子体传导光的亚衍射极限的能力,增强局部表面电磁场或允许在纳米尺度上定位光。据报道,金属纳米粒子的等离子体特性本质上取决于它们的尺寸、形状、表面形貌、晶体结构、粒子间间距和介电环境。等离子体动力学的一个发展是磁等离子体动力学。磁等离子体学促进了光子学和磁学领域的巨大兴趣,这些领域与光磁物质相互作用的共振增强有关,与纳米制造技术的快速发展有关(例如,纳米印记,光刻,物理气相沉积和微流体合成工艺)。磁等离子体力学的一个课题是增强磁光效应在等离子体纳米结构中的应用。纳米结构中 ...
-椭偏仪测量薄膜的优点和特点测量薄膜其实并非仅仅只有使用椭偏仪来测量,但为何我们光学人更加偏爱使用椭偏仪来测量薄膜厚度呢?在这里那就不得不说说我们使用椭偏仪测量薄膜的优点和特点了:(1)测量的对象广泛,可以测量透明膜,无膜固体样品,多层膜,吸收膜和众多性能不同、厚度不同、吸收程度不同的薄膜,甚至是强吸收的薄膜。(2)被测量的薄膜大小尺寸可以很小,只要 1mm即可测量,小于光斑的大小(3)方式灵活,既可以测量反射膜,也可以测量透射膜。(4)测量的速度很快。(5)在各种粒子束分析测试技术中,光束引起的表面损伤以及导致的表面结构改变是zui小的。(6)在椭偏光谱中,被测对象的结构信息(电子的、几何的 ...
对硅基层透明薄膜进行可视化,横向分辨率达到5μm。该技术在由起偏器、补偿器、样品和检 偏器组成的消光式椭偏仪中使用光度式,在衬底裸露部分进行消光调节,然后在保持补偿器方位角、偏振器方位角不变的情况下使用光度式进行操作,根据反射光的强度实现材料厚度的可视化。该技术对薄层沉积过程中厚度分布的在线动态可视化具有很大的应用前景。该椭偏成像技术使用的是单一波长入射样品,结构如下图所示 。具有扩展光束、固定偏振组件和 CCD 相机的成像椭偏仪结构示意图该成像椭偏系统被应用于研究多种蛋白分子在固相表面的吸附机理和多种抗原-抗体之间的相互作用等,并且成功地检测了人体内分泌激素等。如果您对椭偏仪相关产品有兴趣, ...
以上范围内对薄膜厚度测量结果的影响,使用自编的薄膜厚度拟合算法进行验证,验证结果见下表。由验证结果可知:使用样片对椭偏仪校准后,椭偏角偏差对薄膜厚度的影响不超过±0.5 nm,该结果与CCQM-K32膜厚量值国际比对中椭偏仪给定的测量不确定度 U=0.53nm 是相当的,由此可证明采用样片测量法对光谱型椭偏仪进行校准是一种可行的方法。椭偏角偏差对膜厚的影响结果如果您对椭偏仪相关产品有兴趣,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-56.html相关文献:1彭希锋,陈爽,李海星,熊朝晖.基于激光位移传感器的面角度测量技术研究[J] ...
计要求。位置薄膜厚度250500上1.9349.79501.32中2.0449.87501.42下2.0549.93502.30左1.9949.66501.69右2.0350.07502.00均匀性0.120.410.98平均值2.0149.86501.75表1膜厚样片均匀性考核结果按照上述公式可知 ,样片测量结果的不确定度主要由三部分引入:VLSI标准样片引入的不确定度 (扩展因子k =2);光谱型椭偏仪测量重复性引入的不确定度;样片的均匀性引入的不确定度(扩展因子k=2.26)。各不确定度分量及样片的测量不确定度评定结果见表2。不确定度分量薄膜厚度250500标准样片0.030.070.2 ...
棱镜或偏振光薄膜,可以将产生的椭圆偏振光转换成强度变化。图1表示了一个简单的强度调制方案。如果输入偏振器对齐如图所示,其偏振轴平行于晶体x(或y)轴,分析偏振器旋转90°(交叉偏振器)。在没有施加电压到晶体的情况下,这种组合将产生一个zui小强度。当施加半波电压时,强度达到zui大值。与电压呈正弦关系(图2)。四分之一波延迟电压对应50%的传输电平。控制相对传输的方程。归一化后的半波能级为:T = sin2 (xV/2Vx)图1利用位于交叉偏振器之间的电光调制器进行强度调制图2显示了在没有光偏置或电偏置的情况下,在交叉偏振器之间工作的所有光电调制器的一般传输特性。该特性在调制器性能方面的一个关 ...
TR适合测量薄膜样品或块体的面内热导率kr,是一种激光泵浦探测法,通过测量泵浦光在样品上生成的温度场来测定样品的面内热导率;通过另一束探测光束探测在样品处的微小反射率变反应出样品处的温度场,随着泵浦与探测光在样品上的焦点分离距离的增加,探针位置温度场的相位滞后增大,振幅也迅速减小。图1:SDTR的相位扫描曲线示意图(1kHz、10kHz、50kHz三种频率下的相位)在扫描中心附近,相位分布主要由泵浦光束和探针光束的有限尺寸决定,但随着扫描距离增大,相位曲线变成线性的,并且其斜率与薄膜和衬底的热导率和扩散率有关。图2:SDTR的相位(a)和振幅扫描曲线(b)示意图(图中数据为Ti/Si样品)图2 ...
用于观察静态和动态磁畴行为的扫描激光显微镜系统一种多功能成像系统,能够观察各种应用的磁性行为,只要有可能,显微镜系统都应该是模块化的,这将使得成像系统具有灵活性,并允许为不同的应用添加或更改功能。这也是显微镜未来发展和应用的一个考虑因素,例如扫描近场磁光模块。为了使扫描激光显微镜同时具有静态和动态成像能力,光学系统采用高斯光束光学(静态模式)和傍轴光学(动态模式)。光学系统示意图如图1所示。图1为了在x-y平面上获得zui大的空间分辨率,激光束必须同时准直并填满zui终物镜的孔径。输出光束被扩展,空间滤波,然后聚焦到AO调制器(AOM)。AOM的上升时间与光斑大小成正比。然后光束通过一系列中继 ...
吸引起的铁磁薄膜磁性能的可逆变化。该方法可应用于各种氢敏磁性pd合金,尽管氢致反射率变化有限,但氢致磁性变化的检测是可行的。研究表明,在退火的Pd/Co/Pd三层和[Co/ Pd]多层中,由于Pd合金的界面效应,可以观察到氢化诱导的磁性调制。这是因为钯是氢分子解离的高效催化剂,而且钯氢化物的形成对能量有利。富pd磁合金薄膜中还可观察到明显的磁调制,这表明这种材料将用于制造气体传感器,尤其适用于空间分辨氢扩散。此外,磁光克尔效应(MOKE)源于材料的光学性质和磁性,由于具有极高的灵敏度和可行性,早已广泛应用于纳米尺度样品的磁测量。除了测量磁光克尔旋转和强度外,还可以测量磁性的固有特性,如磁重力H ...
灵敏度对铁磁薄膜中的杂散磁场进行成像。该技术适用于任何具有杂散磁场的磁性材料,并且在环境条件下只需将材料与金刚石成像芯片接触即可实现高通量操作。该仪器由一个传统的商用宽视场荧光显微镜和一个钻石成像芯片组成,磁性样品安装在该芯片上。磁性对比是由在金刚石表面下设计的NV缺陷中心发出的荧光信号获得的,系统提供三种不同的成像方式,可以单独使用或组合使用。首先,在没有外加磁场的情况下,可以使用NV自旋的光学检测磁共振(ODMR)来解析磁位的等磁场线。第二以定量地绘制整个视场中每个单独位的杂散磁场,并将结果与记录介质的理论模拟进行比较。zui后,可以利用基于NV自旋弛豫对比的全光成像方式,特别适用于强离轴 ...
记录工业中的薄膜记录磁头和信息技术中的自旋电子设备。图1域观测技术目前存在许多不同的技术来研究磁性材料的畴结构。其中一种技术是磁光成像技术,它具有相对便宜、非侵入性、无污染和能够处理大范围磁性样品的显著优点。反射模式下的磁光成像利用了磁光克尔效应,而透射模式下的成像利用了法拉第效应。这两种效应的基本原理是相似的。从磁性样品表面反射或通过磁性样品透射的光将与样品内部的磁化相互作用。通过这种相互作用,光的偏振态会发生变化,入射和反射(透射)光束之间的差异可以用来研究样品不同区域内的磁化强度。磁光克尔效应显微镜通过三种主要类型的磁光克尔效应,获得了不同材料的zui佳光学对比条件。根据入射光偏振、入射 ...
量图像化磁性薄膜磁化强度的一种方法。克尔效应是指入射线偏振光经磁性材料反射后偏振态的变化在超薄层的情况下,这种效应通常被称为表面磁光克尔效应由于采用激光束检测样品的磁化强度,该方法是非接触式的,可用于真空沉积室的原位检测。MOKE测量的典型设置包括稳定的低噪声光源,通常是连续波激光器,定义入射光偏振的线性偏振器,位于可变磁场中的样品支架,分析仪和检测器。一般来说,整个光学系统的光噪声和电子噪声,包括光的产生和检测,决定了被测MOKE信号的质量。阐述了大量不同的MOKE测量方案,以提高信噪比。传统的方法是基于测量反射光强度通过分析仪失谐约4-7◦从消光位置。这个简单的方案保证了zui大可实现的信 ...
控制二氧化硅薄膜生长工艺参数,以保证膜层的均匀性和稳定性 ,制备出的膜厚标准样片如下图3所示。图3 制备的膜厚标准样片样片的稳定性考核实验膜厚标准样片作为一种标准物质,其测量区域均匀性和稳定性一定要好。在样片制备完成后,我们需要使用3台同型号的光谱型椭偏仪对其测量区域的均匀性和稳定性进行了考核,取这3台仪器测量结果的平均值来作为考核结果。稳定性是通过使用光谱型椭偏仪对膜厚样片测量区域的5个位置每隔1个月测量一次,5个位测量结果的平均值作为一次稳定性测量数据,通过分析平均值的变化来确定膜厚标准样片的稳定性,在12个月内对三种膜厚样片分别进行了12次的稳定性考核,样片的稳定性考核结果如下图4所示。 ...
合的方式得到薄膜的厚度。对于光谱型椭偏仪而言,不同材料、不同薄膜厚度的样片,对应的椭偏参数是不相同的。假定被测样品材料固定,则椭偏角和薄膜厚度建立了对应的关系,使用不同厚度的薄膜样片就可以实现椭偏角的校准,测量形式如图1所示。图1 模型固定的椭偏仪测量形式目前,硅作为zui常用的半导体材料,在半导体和微电子领域中占据很大的比重,因此膜厚标准样片的衬底材料为硅,薄膜材料为二氧化硅。按照公式所示的数学模型编写Matlab算法进行仿真得到二氧化硅薄膜的厚度,通过仿真可知:使用薄膜厚度为2nm,50nm,500nm,3个不同厚度的膜厚标准样片即可覆盖椭偏角的大部分范围,具体的薄膜厚度和覆盖椭偏角的范围 ...
u/Ti纳米薄膜表面形貌的分形表征研究[J].计量学报,2018,39(5):593-597.10朱绪丹,张荣君,郑玉祥,王松有,陈良尧.椭圆偏振光谱测量技术及其在薄膜材料研究中的应用[J].中国光学,2019,12(6):1195-1234.更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的 ...
需标准样片的薄膜厚度量值,并采用半导体热氧化工艺制备出性能稳定的膜厚标准样片。椭偏仪是利用椭圆偏振术对透明薄膜进行无损测量的一种仪器,它是利用偏振光在薄膜上下表面的反射,通过菲涅耳公式得到光学参数和偏振态之间的关系来确定光学薄膜折射率和厚度。因其准确度高且为非破坏性测量,是测量光学薄膜折射率和厚度zui常用的一种测量仪器。椭圆偏振术的数学模型为式中:— 偏振角;Δ— 两个偏振分量的相位差经薄膜后所发生的变化;d — 薄膜厚度;n0— 空气折射率;n1— 薄膜折射率;n2— 衬底折射率;— 入射角度;— 入射光波长。和Δ分别反映了偏振光经过薄膜反射前后强度和相位的变化,统称为椭偏角。目前,基于椭 ...
到各种不同的薄膜,如热氧化膜 (二氧化硅Si〇2薄膜)尧电介质膜 (Si3N4薄膜)等。薄膜厚度是一个重要的参数,对各种薄膜厚度参数的精确、快速测定和控制,是保证器件质量、提高生产效率的重要手段。光谱型椭偏仪是半导体和微电子领域使用zui广泛的薄膜厚度测量仪器。为了保证光谱型椭偏仪测量结果的准确可靠,通常会使用薄膜厚度已知的膜厚标准样片对椭偏仪的薄膜厚度测量能力进行校准。一般情况下膜厚标准样片的衬底材料为硅,薄膜材料为热氧化生长的二氧化硅。由光谱型椭偏仪测量原理可知:椭偏仪在测量薄膜厚度时,得到的直接测量量为椭偏角(和),薄膜厚度量值是通过建立相应测量模型进行椭偏角拟合得到的。因此,椭偏角的测 ...
。(1)固体薄膜光学性质的测量应用椭偏术可对单层吸收膜、双层膜及多层膜进行测量,得到材料的光学常数折射率N和吸收系数K,进而得到其介电常数。近年来也实现了对离子注入损伤分布的测量、超晶格、粗糙表面、界面的测量。(2)物理吸附和化学吸附用椭偏术方法在现场且无损地研究过与气态、液态周围媒质相接触地表面上吸附分子或原子形态的问题。(3)界面与表面的应用椭偏广泛用于研究处于各种不同环境中的材料的表面的氧化和粗糙程度,以及材料接触界面的分析。例如金属和半导体接触,以及肖特基的研究。(4)电化学 离子吸附、阳极氧化、钝化、腐蚀及电抛光等电化学过程,可以现场深入地研究电极-电解液界面过程。(5)微电子领域在 ...
合于分析铁电薄膜与半导体薄膜材料:n(∞)为无穷大能量时的折射率,Eg,A,B,C则为正的常数;10.形模型 为了在较宽的频谱上表达物质的光学常数,一般需要考虑上述多种模型,则可以得到:L(E)为某些特定的线形,例如高斯线形、洛伦兹形、临界点线形等, B(E)为能量缓变的背景。如果您对椭偏仪相关产品有兴趣,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-56.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用 ...
”,是把均匀薄膜的微观结构与其宏观介电常数相联系.它包含3种有效介质模型:5.1 lorentz-Lorenz有效介质模型zui简单的异构介质是介电函数分别为εa和 εb的两种介质随机地混合在一起,其有效介电函数可以用如下式子估算:式中fa,fb为介质的份额,fa+fb=1。5.2 Maxwell-Garnett效介质模型上一模型假设主介质为真空,即ε=1。更一般的情况是主介质的介电函数是εh,次要介质分散于主介质中,当εh=εa时,有效介质函数ε为5.3 Bruggeman有效介质模型 如果不同成分混杂在一起,不能区分谁是主介质,这时采用Bruggeman有效介质模型:fj为第j种介质所占的 ...
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