SCMOS相机 光束分析仪 DMD 光纤束 合束激光器 共焦 拉曼光谱仪 锁相放大器 无掩膜光刻机 高光谱相机
用于薄膜的远场和近场磁光学显微镜的多功能特高压系统基于电子显微镜的高分辨率成像技术,如带偏振分析的二次电子显微镜(SEMPA),或光子发射电子显微镜(PEEM)或使用磁探针的技术(磁力显微镜(MFM)或自旋极化扫描隧道显微镜(STM),通常局限于小的外部磁场。磁光显微镜没有这样的限制。然而,由于传统(远场)光学显微镜的横向分辨率受到衍射的限制,大约只能达到光波长的一半,因此纳米结构只能通过x射线显微镜或扫描近场光学显微镜(SNOM)在可见光范围内成像。用于磁光研究的相当紧凑和振动隔离的特高压室连接到配备薄膜制备设施的特高压系统,以及用于表征薄膜结构和形态的STM和低能电子衍射(LEED)。结合 ...
时监测半导体薄膜生长全过程在半导体工艺中,薄膜沉积是在半导体原材料硅晶圆上分阶段生长薄膜的核心工艺。它在半导体电路之间起到区分、连接和保护作用。由于其厚度非常薄,在晶圆上形成均匀地薄膜具有很高的难度。所以在化学沉积过程中,确认薄膜材料是否正常生长,以及能否产生所需的特定物性,就非常重要。为了确保薄膜沉积按照预期进行,通常将已长成的薄膜从真空化学气相沉积(CVD)腔室中取出,然后用分析仪器进行检查。它被称为“Ex-Situ”方法,是从外部而不是在腔室内部进行分析。但是,从真空室中取出的薄膜可能会与大气中的氧气或水分接触,从而改变物性,很难进行准确的分析。即使通过分析发现问题,也需要花费大量的时间 ...
于实时、快速薄膜测量有很好的应用价值与市场潜力,但外差干涉测量中存在的非线性误差是阻碍该技术实际应用的主要原因。外差干涉测量系统中的非线性误差一直是国内外研究热点,研究人员对激光源、偏振分光镜、波片、反射镜等误差源开展了很多研究工作,并取得了许多有意义的研究成果,提出了多种非线性误差测量与补偿的方法。在激光干涉测量非线性误差研究中,偏振分光镜(Polarizing Beam Splitter,PBS)一直是研究的重点,而对于非偏振分光镜(Nonpolarizing Beam Splitter,NPBS)引入的非线性误差,国内外一直缺乏相应的研究。Hou等人在迈克尔逊式外差干涉位移测量实验中,观 ...
以及超薄铁磁薄膜中的量子约束效应。MO - Kerr光谱学应用的其他领域包括,例如,在Co-Pt相图中发现新晶体相的形成。此外,单晶的磁晶各向异性,即磁性能与磁化方向相对于结晶轴的依赖关系,已经用MO克尔光谱明确地观察到。另一个应用是使用MOKE在薄膜中记录亚皮秒级的自旋动力学和磁弛豫过程,还可以可视化对磁脉冲的时空响应。可以设想,克尔效应的其他新颖应用将在未来被报道。直到70年代才被发现的MO效应都涉及到价带能量范围内的光学跃迁,即光子能量高达约12 eV。Erskine和Stern(1975)提出,从核心能级到价态的x射线激发中也会出现MO效应。十年后,van der Laan等人(198 ...
的铁、钴和镍薄膜中对法拉第效应的测量表明,对这些铁磁性材料来说,线性依赖关系并不成立。在研究克尔效应时,里吉观察到反射光不仅显示出偏振面倾斜,而且还显示出偏振面倾斜变成椭圆极化。后一个量现在被称为克尔椭圆率。它zui初是由Zeeman 定量测量的,他是上世纪末研究Fe, Co和Ni中的克尔效应的科学家之一。在他的后续研究中,Zeeman发现了横向MO - Kerr效应(T-MOKE),这是在Wind从理论上预测了第三种可能的几何形状,即横向或赤道几何形状(见图1)中的效应。不久之后,塞曼观察到塞曼效应,即Na原子在磁场中发射的光谱线分裂。其他随后的发现是在钠蒸气(Voigt 1899)、金属颗 ...
虽然CoPt薄膜的磁饱和是在磁场超过矫顽力后立即实现的,但在超过饱和的磁化回路中,测量的强度相当增加,而不是像通常那样趋于平稳。强度增加是由法拉第效应引起的,法拉第效应给Kerr信号增加了场相关的对比度[比较图1(b)]。在某些临界场(未示出)以上,克尔显微镜的相机(同时充当MOKE磁强计检测器)甚至可能“饱和”,即离开其灵敏度范围。如果您对磁学测量有兴趣,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类 ...
谱学,或检测薄膜层厚度的微小变化[23]。将扫描范围限制在较短的范围内可以避免在时间窗口结束时出现死时间,这提高了信噪比,因为有效信号将占据更大的测量窗口。为了解决这个问题,电子控制的光采样(ECOPS)[24]和其他技术[25,26]已经被开发出来,通过在小于重复频率的倒数的有限范围内电子控制脉冲之间的延迟。另一种可能更简单的方法是使用高重复频率自由运行双梳激光器。千兆赫兹的重复频率可以在全延迟范围内进行≪100 fs的分辨率扫描,并实现高(多千赫兹)更新速率。在THz-TDS中,结合PCA使用这种激光器也是提高信号强度的有前景的途径,因为使用更高的平均功率’可以同时保持在设备的脉冲能量损伤 ...
量热法是测量薄膜热扩散率的有效方法之一,适合测量半导体、金属、非金属等多种薄膜材料。图1:交流量热法的测量原理图[1]交流量热法的测量原理如图1所示。当一定频率和一定脉冲宽度的激光加热样品时样品表面上会呈现出同频的交变温度波。在一定距离上该温度波的衰减和相位滞后与样品的热物性有关。根据已知一定距离上不同两点间的温度波可以通过温度波的幅度衰减或相移计算出样品的热扩散率。当样品厚度远远小于热扩散长度时垂直样品方向上没有温度梯度可看成一维传热。根据交流量热法的公式(1)可得出样品的温度变化与距激光加热点间的距离x的关系,其中,式中a是样品水平方向上的热扩散率,x是激光加热点到传感器的距离,c是样品体 ...
。三、钙钛矿薄膜光致发光成像Sam Stranks 教授(剑桥大学)正在通过聚光成像技术研究混合卤化物铅钙钛矿的基本特性(见图6)[4]。在太阳等效光照下,研究了溶液加工的三重阳离子混合卤化物(Cs0.06MA0.15FA0.79)Pb(Br0.4I0.6)3钙钛矿薄膜(MA:甲基铵,FA:甲酰胺)。研究发现,光照导致富碘钙钛矿的局部表面位点与钝化PbI2材料混合。这项研究揭示了对混合卤化物混合阳离子包晶石相分离的新见解,以及通过控制新型器件结构中的电荷密度和转移实现高发光薄膜的途径。图6、同一区域上宽带隙峰(a-d)和低带隙峰(e-h)的原位高光谱PL图(Cs0.06MA0.15FA0.79 ...
oPt3铁磁薄膜的情况下,60 fs在空间方面,根据所需的分辨率,使用了各种方法,包括扫描电子显微镜与极化分析,磁力显微镜,光电电子显微镜,和扫描近场磁光克尔显微镜。因此理想情况下,可以结合时间和空间分辨率来研究单个纳米结构的磁化动力学。图1飞秒时间分辨光学克尔显微镜如图1所示。泵浦和探针激光脉冲由钛蓝宝石再生放大器获得,以5 KHz的重复率工作,以避免累积热效应。持续时间为150fs(泵)和180fs(探头)。泵浦光束中心波长为790nm,探测光束中心波长为395 nm,在1.5 mm厚的硼酸钡晶体中通过二次谐波产生。两个独立的望远镜允许一个人调整每个光束的模式,以获得对样品的zui佳聚焦。 ...
0.75合金薄膜通过分子束外延生长在500 μm取向蓝宝石(0001)衬底上的12 nm Pt缓冲层上,采用电子光刻技术制备了厚度为15 nm的CoPt3点。它们具有较大的垂直磁晶各向异性和铁磁行为,其特征是定义良好的平方磁滞回线,矫顽力场为±3.7 kOe。圆点的直径可在0.2 ~ 1 μm范围内变化。下面只给出1 μm点的结果。图1实验配置能成像纳米结构的形貌以及磁化的动力学。图1为泵脉冲激励后直径为1µm的CoPt3点在不同时间延迟下的微分磁化图像。注意,在当前的测量中,激发不是固定在点的中心,而是在成像过程中与探针光束一起移位。图a、b和c的序列表明,可以监测磁点磁化的空间动态。了解更 ...
的单晶石榴石薄膜(上排)和厚度为0.5 mm的Fe3 wt % Si薄片(其他排)的(100)表面。表示的是照明光的偏振方向及其入射面。图像中的箭头表示畴的局部磁化方向。Kerr和Voigt效应显示了相同的域模式,而梯度效应显示了非常相似的域状态。为了应用显微镜的传统效果,样品被平面偏振光照射,即通过横向电磁波,该电磁波沿着传播矢量k移动,电场和磁场分量振荡在平面内,两者相互垂直,波的电场可以用函数来描述图2时间t和位置r上均为谐波。振荡场的频率和幅值分别用ω和E0表示。由于与试样磁化的相互作用,平面偏振波被转换成旋转和/或椭圆偏振光,如图2a所示。旋转和椭圆度然后通过适当设置分析器和补偿器转 ...
使这些材料的薄膜变成准二维(2D)结构。幸运的是,在过去的二十年里,一种新的材料出现了,它具有真正的二维性质和光学定向自旋的能力。了解更多详情,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。 ...
和适于测量较薄膜层的特点, 成为了半导体业常用的薄膜测量工具。由于半导体制造业在器件关键尺寸上的测量要求越来越精确, 薄膜常用材料日益多样化, 薄膜的结构越来越复杂, 需要进一步改进椭偏仪。主要的发展趋势可以分为如下几个方面。1)光谱椭偏成像技术发展至今可以实现200-1000 nm波段的测量,在对纳米结构的测量与表征中,可能需要获得更短波段的偏振信息,从而达到更高的横向分辨率,以分析样品的特性。实现椭偏成像技术对更宽波段的测量是重要研究方向。比如寻找较高强度的红外光源, 拓宽椭偏仪的光谱范围, 以准确确定异质结构的多层膜结构;2)在医学方面的应用中,椭偏成像技术可以和很多生物技术相结合,实现 ...
数生物单分子薄膜是非常薄且是透明的,椭偏显微成像技术适合于观测如此薄的膜层 。椭偏成像技术与CCD相机的结合,克服了机械扫描成像速度慢的问题,使得实时检测成为可能,推动了该技术与生物芯片技术的组合,能够用于研究各种生物分子特异性结合反应,并能实时观察分子间相互作用过程,从 而进行有关表面实时吸附的动力学行为的研究。椭偏成像系统能够通过检测抗原和抗体复合膜层,检测到各种抗体和抗原。除了与生物芯片技术组合,椭偏成像生物传感器(IEB)以高灵敏度和对被测生物分子的干扰和破坏zui小而得到广泛应用。靳刚教授课题组在成功研制成像椭偏仪后致力于将该技术与生物医学结合,极大推动IEB 技术的发展。如今,IE ...
应用于对纳米薄膜的研究。例如,成像椭偏仪的横向分辨率达到1μm,光学特性映射到石墨烯薄片上之后,椭偏成像技术就可以用来从任何衬底上确定石墨烯薄膜的形状和层数,从中提取其光学性质从而分析不同衬底对石墨烯性质的影响。下图为成像椭偏仪获得的石墨烯薄片灰度图和光学显微镜获得的石墨烯薄片的对比。成像椭偏仪获得的石墨烯薄片灰度图和光学显微镜获得的石墨烯薄片的对比。(a)不同层数的石墨烯片的光学显微照 片,数字代表石墨烯层数;(b)石墨烯片在二氧化硅/硅上的成像椭偏灰度图;(c)(d)以更高的分辨率显示图(b)中方框 区域的椭偏Ψ和Δ图对比上图(a)和(b)-(d)可以看出,成像椭偏适用于区分单层和双层石墨 ...
二氧化硅纳米薄膜的厚度分布。硅衬底上的二氧化硅薄膜厚度分布厚度刨面在1.10 mm×2.21 mm的面积上几乎是平坦的,在水平和垂直方向上的空间分辨率分别为 1.58μm 和4 62μm。该系统与光谱椭偏之间的平均厚度差小于3nm,尽管包含大量的数据点,测量结果与标准值的偏差小于2.5nm。通过与磁光调制、时间相移和双反射等技术的结合,光谱椭偏技术提高了测量速度和准确性。通过与Muller矩阵的结合,光谱椭偏技术不再受光学分辨率极限的限制,提高了测量的准确性,可以获得更丰富的信息。2019年华中科技大学发明了基于液晶调相的垂直物镜式Muller矩阵成像椭偏仪,该仪器所用系统改变了之前普通倾斜镜 ...
5mm以上的薄膜或块体样品的面内热导率。测热导率范围为误差约为5%。SDTR中采用经过调制的直径小于激光(频率f一般为100HZ-100KHZ)加热样品表面,并用探测光测量样品距离激光加热点x处的交流温升导致的反射率同频变化信号。在一维导热假设下,该温升信号可表达为其中成为热扩散长度,Kx表示为样品表面上x方向的热导率,c是样品的体积比热容,f是激光的调制频率,h是样品厚度,Q是吸收的热流密度。通过计算上述公式可以得到样品表面上,距离调制热源一定距离下的样品表面同频温度的幅值衰减和相位滞后,通过测量出该相位和幅值信号即可计算出样品的热导率。其中测量相位滞后是通过公式:根据相位的斜率得出进而得出 ...
m)广泛用于薄膜测量和等离子体蚀刻端点控制。该技术可即时准确地提供定量结果。它通常应用于主流制造设置。半导体工厂的停机时间每小时可能花费100万美元或更多,这使得设备可靠性至关重要。光纤耦合LED的使用寿命可达50,000小时。通过用LED光源取代汞弧灯,制造商可以减少计划外停机时间并保持产量。NewDEL光纤耦合LED光源在光谱学领域的优势:可提供两种白光模式,以及连续光源操作模式的选择-手动到完全可编程的遥控器高度可配置,包括脉冲或触发操作推荐型号:X3312、W4270、W57902.光遗传学Optogenetics光遗传学涉及到利用光来控制细胞和结构,这些细胞和结构已经被基因改造,以加 ...
表面纳米尺度薄膜厚度分布的观测。它通过磁光调制技术来调整接收光的偏振方向;采用面阵探测器获取样品表面的椭偏图像;采取用磁光调制器取代传统步进电机转动起偏器、补偿器或检偏器光轴的方法来实现椭偏仪的测量,采用磁光调制器改变接收光的偏振方向,可以得到更高的偏振方向控制精度和重复精度,而且磁光调制器的调制速度更快。该技术给成像椭偏仪发展提供了新的方向,极大地提高了测量速度。如果您对椭偏仪相关产品有兴趣,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-56.html相关文献:1薛利军, 李自田, 李长乐, 等 . 光谱成像仪 CCD 焦平 面组 ...
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