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由两种或两种以上不同组分或者不同导电类型超薄层半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。微观粒子(例如电子)的运动在某一维度上受到限制,进而显示出明显的量子效应。 ...
多个量子阱组合在一起的系统。 ...
异质结构成的量子阱与两边垒层半导体材料的晶格常数匹配以避免产生大的内应力而形成失配位错的一种量子阱。但当阱层厚度小于某一临界厚度时,由晶格失配所引起的内应力可通过晶格弹性形变而释放。这种应变量子阱能使半导体中价带结构发生有利于提高光发射器件内量子效率和改变光子偏振特性的变化。 ...
包含的量子阱数等于或大于2的量子材料。与超晶格的区别是通过控制势垒层厚度使量子阱之间波函数不发生相互作用,也不要求阱/垒厚度严格的周期性。 ...
由度为2维的量子阱、1维的量子线和 0维的量子点材料。 ...
W形波导和多量子阱光波导等。 ...
将量子阱作为有源发光区的半导体激光器。 ...
误差。在基于量子阱的霍尔板中,平面霍尔效应很弱,但问题依然存在。为了解决这个问题,在一个点上检测三个方向的磁性。SENIS开发了一种划时代的“完全集成3轴磁传感器”,使之成为可能。这就是“完全集成的三轴磁传感器”。该传感器可以在所有情况下测量精确的3D矢量,例如永磁体的邻近磁场、小线圈产生的磁场和时间变化,这在过去是不可能的。图1.传统的霍尔片3轴探头(左)和SENIS完全集成3轴磁传感器(右)3轴磁性探头的配置传统的霍尔片3轴探头SENIS完全集成3轴磁传感器磁化位置3个位置一个位置(单点)磁感应位置的错位量取决于传感器位置(约0.5mm~10mm)无错位传感器的相对角度误差通常不标注(过大 ...
,Ga)As量子阱(QW)系统中,约束势迫使价带中重空穴态的轨道角动量和自旋角动量向垂直于QW平面的面外方向运动。此外,约束提升了Γ-point处重空穴态和轻空穴态的简并性,将轻空穴带移至较低能量处(见图1)。考虑到这两个因素,只有面外极化重空穴才能促进与导电带电子的复合过程。这对磁光过程有重大影响。在平面内极化电子的情况下,自旋极化角动量守恒阻止了在具有明确螺旋度的圆偏振光发射下具有重空穴的电子的复合。相反,只有线偏振光才能被探测到。图1.(Al,Ga)As/ GaAs/(Al,Ga)As量子阱异质结构示意图。Ene表示导电带中电子的量子化能态。enh和Enlh分别是价带中重空穴和轻空穴的能 ...
是增益材料(量子阱或量子点)还是高反射镜(分布式布拉格反射镜,DBR)。通常,增益的光谱宽度为几十纳米,并且可以很容易地通过改变增益层的组成来改变,原则上从近紫外到中红外。通常,它们必须在比Yb对应物更高的泵浦功率密度下运行,这使得通过更大的泵浦光斑来实现功率缩放变得更加困难。一个圆盘的功率记录在接近1µm的波长下约为100W,这是使用InGaAsQW实现的。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微 ...
顶部涂层的多量子阱SESAM,获得高饱和通量Fsat=142J/cm2,调制深度R=1.1%。(b)激光输出功率和脉冲持续时间随总泵浦功率的变化。图1(a)显示了我们的自由运行双光频梳激光腔的布局。我们使用多模泵浦二极管和端泵浦腔结构,类似于我们之前报道的偏振复用双梳状激光器的配置[20,21]。然而,与过去的报道相反,在有源元件,即增益晶体和半导体饱和吸收镜(SESAM)上的空间分离是通过插入一个具有高度反射涂层的双棱镜来获得的。通过使用一个顶角179°的双棱镜,我们获得了在增益介质上模式分离1.6 mm和在SESAM上模式分离1 mm。图1(b)显示了扫描泵浦功率时单个光梳的性能。该孤 ...
非对称半导体量子阱中子带间位移电流的单周期太赫兹脉冲简介:展示了一种源自电子位移电流的非对称半导体量子阱中的新型超快非线性光学响应,由飞秒中红外脉冲引起的共振子带间激发引起电子电荷的瞬态空间位移,从而引起单周期太赫兹脉冲的发射。作者:Matthias Runge, Taehee Kang, ...Thomas Elsaesser链接:https://doi.org/10.1364/OPTICA.438096RESEARCH ARTICLES1.标题:在活体皮层中通过精确和有针对性的激光消融探测神经元功能简介:开发了一种放大飞秒激光耦合双光子显微镜系统,该系统允许对单个细胞进行瞬时和有针对性的消 ...
是通过超晶格量子阱[1]内能级间的子带间跃迁来实现的。自1994年首次实验演示以来,QCL技术得到了巨大的发展。这些性能水平是结构设计、材料质量和制造技术不断改进的结果[3-5]。目前,它正在成为中红外(中红外)和太赫兹(太赫兹)频率范围内的领先激光源,并在气体传感、环境监测、医疗诊断、安全和国防[6]中有许多应用。西北大学量子器件中心(CQD)的目标是推进光电技术,从紫外到太赫兹光谱区域。这包括基于III-V半导体的许多不同技术的发展[7,8]。自1997年以来,CQD在量子级联激光器QCL的发展上投入了相当大的努力,特别是在功率、电光转换效率(WPE)、单模操作、调谐和光束质量方面,推动Q ...
过在半导体多量子阱异质结构的重复堆栈中使用子带间跃迁实现的。这个想法最早是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中,电子可能占据两个连续能带中的一个——价带,其中大量填充着低能电子;导带,其中少量填充着高能电子。这两个能带被一个带隙隔开,在这个带隙中没有允许电子占据的状态。传统的半导体激光二极管,当导带中的高能量电子与价带中的空穴重新结合时,通过单个光子发出光。因此,光子的能量以及激光二极管的发射波长由所使用的材料系统的带隙决定。然而,QCL在其光学活性区不使用块半导体材料。相反,它由一系列周期性 ...
石墨烯如上图所示为韩国东国大学Woochul Yang教授的研究工作,为探究纳米颗粒装饰的石墨烯的掺杂浓度和稳定性,采用显微拉曼系统(Xper Ram200)测试了它们的拉曼光谱。图中分别为原始石墨烯和掺杂不同浓度Mn3O4颗粒的石墨烯的拉曼光谱图,展示了具有D,G和2D峰特征的原始石墨烯和掺杂石墨烯的拉曼光谱的演变。D峰(ω~1350cm-1)是石墨烯的无序振动峰,只有当缺陷存在时才能被激活。G峰(ω~1580cm-1)是sp2碳原子面内振动引起的,通常与应力有关,因此可用来反映石墨烯层数。2D峰是双声子共振二阶拉曼峰,用来反映多层石墨烯的堆垛方式。二硫化钼MoS2如上图是首尔国立大学Tak ...
DMD)、多量子阱空间光调制器以及声光调制器等。还可以用紫外光刻来制作特定的衍射光学元件来调制光场。现在用的较多的是由计算机寻址的液晶空间光调制器实现全息元件,通过改变全息元件就可以使得所形成的光阱作动态变化。在计算机出现之前,需要采用激光全息的方法形成有限形状的全息图。目前在计算机的辅助下,可以实现任意形状的全息图。不过,每实现一种新设计的光阱,都需要重新计算相应的全息图。随着计算机速度的不断刷新以及新的算法的出现,在一般的科研实验室已经可以很容易实现任意形状的全息光镊。原则上全息光镊可以产生任意形状、大小、数量的光阱。通过改变捕获光的相位分布,可以使捕获粒子在光阱中按设定的路线运动,为实现 ...
s/GaAs量子阱(QW)有效区晶圆表面均匀性高客户设计的外延晶圆作为选项 ...
InGaAs量子阱砷化镓砷化镓更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更多的产品信息,或直接来电咨询4006-888-532。 ...
联激光器使用量子阱异质结构来控制半导体中发射的光子的能量,而不是更常见和更高能量的带间跃迁,这一想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年首次提出的。这种量子级联激光器QCL的首次实验演示是在1994年由Jérôme Faist、Federico Capasso、Deborah Sivco、Carlo Sirtori、Albert Hutchinson和Alfred Cho在贝尔实验室完成的。1998年,Antoine Müllerr和Matthias Beck在瑞士纳沙泰尔创立了ALPES LASER,创始人是Jérôme Faist,他当时是Neuchâtel大 ...
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