解释
中文：应变量子阱；英文：strained quantum well的原理；中文：应变量子阱；英文：strained quantum well的定义；中文：应变量子阱；英文：strained quantum well是什么。
异质结构成的量子阱与两边垒层半导体材料的晶格常数匹配以避免产生大的内应力而形成失配位错的一种量子阱。但当阱层厚度小于某一临界厚度时，由晶格失配所引起的内应力可通过晶格弹性形变而释放。这种应变量子阱能使半导体中价带结构发生有利于提高光发射器件内量子效率和改变光子偏振特性的变化。
