中文：多量子阱；英文：multi-quantum well

(DMD)、多量子阱空间光调制器以及声光调制器等。还可以用紫外光刻来制作特定的衍射光学元件来调制光场。现在用的较多的是由计算机寻址的液晶空间光调制器实现全息元件，通过改变全息元件就可以使得所形成的光阱作动态变化。在计算机出现之前，需要采用激光全息的方法形成有限形状的全息图。目前在计算机的辅助下，可以实现任意形状的全息图。不过，每实现一种新设计的光阱，都需要重新计算相应的全息图。随着计算机速度的不断刷新以及新的算法的出现，在一般的科研实验室已经可以很容易实现任意形状的全息光镊。原则上全息光镊可以产生任意形状、大小、数量的光阱。通过改变捕获光的相位分布，可以使捕获粒子在光阱中按设定的路线运动，为实 ...

通过在半导体多量子阱异质结构的重复堆栈中使用子带间跃迁实现的。这个想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中，电子可能占据两个连续能带中的一个——价带，其中大量填充着低能电子；导带，其中少量填充着高能电子。这两个能带被一个带隙隔开，在这个带隙中没有允许电子占据的状态。传统的半导体激光二极管，当导带中的高能量电子与价带中的空穴重新结合时，通过单个光子发出光。因此，光子的能量以及激光二极管的发射波长由所使用的材料系统的带隙决定。然而，QCL在其光学活性区不使用块半导体材料。相反，它由一系列周期性的 ...

质顶部涂层的多量子阱SESAM，获得高饱和通量Fsat=142J/cm2，调制深度R=1.1%。(b)激光输出功率和脉冲持续时间随总泵浦功率的变化。图1(a)显示了我们的自由运行双光频梳激光腔的布局。我们使用多模泵浦二极管和端泵浦腔结构，类似于我们之前报道的偏振复用双梳状激光器的配置[20,21]。然而，与过去的报道相反，在有源元件，即增益晶体和半导体饱和吸收镜(SESAM)上的空间分离是通过插入一个具有高度反射涂层的双棱镜来获得的。通过使用一个顶角179°的双棱镜，我们获得了在增益介质上模式分离1.6 mm和在SESAM上模式分离1 mm。图1(b)显示了扫描泵浦功率时单个光梳的性能。该 ...

P材料体系的多量子阱激光器。该器件设计的核心是采用再生n掺杂InP材料的光刻定义的埋藏隧道结（BTJ）。这种结构提供了电约束，减少了热量的产生，在高温下实现了出色的直流和射频性能。这种激光器使用两个介电DBR反射镜，而不是在VCSELs中传统使用的半导体反射镜。介质材料之间的大折射率差使得实现具有高反射率的极薄dbr成为可能。随后，激光器具有非常短的谐振腔，约为2.5µm。这种短腔设计，加上对外延结构、台面尺寸和键合板电容等性能的精心优化，有助于Max限度地提高高达18 GHz的射频性能。结合低阈值电流，器件能够以28 Gb/s或更高的速率直接调制。VCSEL输出处的光学眼图如图1 (b)所示 ...

到非常尖锐的多量子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好控制生长参数。用极化子C-V测试来监测结构中的掺杂情况。采用高分辨率扫描电子显微镜（SEM）和诺玛斯基显微镜（Nomarski microscop ...