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在用半导体材料制成的PN结或类似的结构中通以正向电流,使载流子复合从而发出可见光或红外线的电致发光器件。属于冷光源。 ...
量的现象。如半导体材料被入射光照射、吸收光子能量使价带电子跃迁至导带的本征吸收,光子被杂质、激子、自由载流子吸收改变其能量状态等。通常纯光学介质材料没有吸收,而金属材料吸收较大。 ...
受到光波照射的半导体材料中产生的一种吸收现象。因半导体材料受到外来光子照射时,其价带电子跃迁到导带上而导致入射辐射能量减少,这是材料吸收的最主要因素。光子还与半导体材料中处于各种状态的电子、晶格原子和杂质原子相互作用产生本征吸收之外的吸收。 ...
半导体材料中产生的导带电子或价带空穴(即自由载流子)在各自的同一能带内不同能级间直接跃迀至更高能级而再吸收光子能量的现象。这种吸收发生在本征吸收限的长波侧并随波长增加而增加。 ...
在半导体材料中激子吸收光子能量使电子一空穴间的紧束缚态解除的光吸收现象。 ...
电类型超薄层半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。微观粒子(例如电子)的运动在某一维度上受到限制,进而显示出明显的量子效应。 ...
阱与两边垒层半导体材料的晶格常数匹配以避免产生大的内应力而形成失配位错的一种量子阱。但当阱层厚度小于某一临界厚度时,由晶格失配所引起的内应力可通过晶格弹性形变而释放。这种应变量子阱能使半导体中价带结构发生有利于提高光发射器件内量子效率和改变光子偏振特性的变化。 ...
基于无机和有机半导体材料发光的现象。属固态发光。 ...
在纳米量级的半导体材料构成的周期性交替层结构。在这种结构中,相邻势阱中的电子可以互相耦合,使得原来分立的能级展宽成为微小能带。由于这种微小能带来自间隔大于天然原子晶格常数的结构,故将该结构称为超晶格。 ...
以半导体材料中电子与空穴的复合发光为工作原理的激光器。 ...
以同一种半导体材料制成的PN结(同质结)作为有源区的半导体激光器。 ...
定差别的两种半导体材料构成PN结作为有源区的半导体激光器。 ...
半导体材料中,杂质使晶体严格的周期性势场受到破坏而在杂质附近形成局部化电子态所对应的能级。杂质能级总是处在价带到导带的范围(带隙)内。 ...
具有二极管结构,以半导体材料为激光介质,并以电流注入二极管有源区为泵浦方式的半导体激光器。 ...
当两种不同的半导体材料纵向堆叠,此时形成的界面区域就是垂直异质结;当一种半导体材料在x-y平面内包含另一种半导体材料,此时形成的界面区域就是侧向异质结;当一种半导体材料在x-y-z空间内包含另一种材料,此时形成的界面区域就是核壳异质结.目前异质结主要是由二维材料和石墨烯相互组合形成的,前段时间看了篇报道,是一些同行对一篇名为“Will Any Crap We Put intoGraphene Increase Its Electrocatalytic Effect?”论文的调侃,翻译成中文就是“什么破烂东西都能提升石墨烯的催化性能?”为什么连作者自己也给文章写这样的标题呢,原来文章中是在石墨烯 ...
氧化镓等.③半导体材料:常用于分析此类材料的缺陷,结晶度,如单晶硅,多晶硅,二氧化硅,硫化铅等.最后,我想说根据自己的样品查阅相关文献来确定激发波长是最为准确的方法. 您可以通过我们的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询4006-888-532. ...
导电材料(如半导体材料)的霍尔效应会产生一个输出电压——霍尔电压——其与磁通密度成正比。另一种广泛使用的类型是磁阻传感器,它利用了传感器材料阻力随磁场变化而变化的特性,并因此提供了与施加的磁场相关联的测量电压。图2.图示法拉第旋转的图解,其中E=光振幅,d=透明介质中的距离,B=样品磁通密度,而B则是产生的法拉第旋转。Matesy GmbH位于德国耶拿,探索了一种新的磁光传感器类型(MO-传感器)用于直接场可视化和测量。 Matesy引入了磁光学而非电磁效应进行二维磁场分析。 磁光传感器具有技术优势,即可以在整个磁表面上直观地识别出磁场及其分布。 因此,可以执行实时的磁场分布分析,而不是使用需 ...
可广泛应用于半导体材料检测、生物制药、宝石检测等领域。 NanoBase公司致力于新产品的研发,即将推出应用半导体晶圆检测的膜厚测量仪、白光干涉仪等产品,敬请期待! 未来,上海昊量光电设备有限公司将获得NanoBase更多的资源支持,昊量光电也将继续秉承互利共赢的发展理念,充分发挥自身强大的商务拓展能力与专业的技术沟通和服务优势,力争为国内拉曼光谱、新型材料与生物制药等领域的研究和推广贡献一份力量,满足并不断超越客户的期望! ...
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