中文：半导体激光器；英文：semiconductor laser

以往激光生产线上，在线调试依靠的主要工具是功率计，根据激光功率来判断光斑尺寸的调试结果以及光束质量的好坏。但功率计只有功率的读数，无法直观的反应光束随调试的变化，调试工作费时费力，并且很难保证调试的一致性。为了提高激光器产线的生产效率，德国著名的光束分析仪厂商CINOGY公司为激光生产线调试专门设计了一款低价位、小体积、简单实用的在线激光调试专用的光束分析仪--CinAlign。借助CinAlign在线激光调试专用的光束分析仪，调试人员能同时直观定量的监控功率及光斑的变化，从而成倍缩短激光调试时间，并且还能极大的提高激光器的一致性！另外，由于CinAlign在线调试光束分析仪的价格低至1.5万 ...

半导体激光器是以半导体材料作为激光工作物质的激光器，具有超小型、高效率、结构简单、价格便宜，以及可以高速工作等一系列优点在光盘驱动器、全息照相、激光准直、测距及医疗等许多方面得到重要运用。但单模半导体激光器的线宽可达到几十MHz，对于高分辨率光谱、激光冷却等对激光频率有严格要求的领域而言不适合使用。而通过引入衍射光栅等光学反馈元件，构成的外腔半导体激光器能对线宽压窄，产生高质量激光。1、可调谐外腔半导体激光器的基本模型图1 外腔半导体激光器基本结构示意图外腔半导体激光器是在原有半导体激光器的基础上，通过引入外部光学反馈元件，达到选频以及改善激光器性能的作用，简单的结构示意图如图1所示。其中半导 ...

半导体激光器快慢轴准直误差影响因素一，引言在单管合束光路的调节过程中，使用微透镜夹持器对快轴准直镜(fast axis collimator，FAC)和慢轴准直镜(slow axis collimator，SAC)进行夹持，整个夹持器安装在高精度六轴调整架上，可以进行x、y、z、βx、βy、βz六个方向的运动调节，因此夹持器的运动通过调整架的六轴运动来控制。由于FAC的后工作距离半导体激光器腔面很小，所以对FAC和SAC的装调需要在相机监控下进行精密操作，需要相机实时显示光斑形状、光斑尺寸、发散角等以便于调节快慢轴准直镜的位置。二，快轴准直误差分析在FAC的装调过程中，如图1-1所示，除了位置 ...

半导体激光器的稳频方法简介（调制稳频）由于在冷原子方面应用，对外腔半导体激光器的线宽，频率稳定性，相位等性能有很高的要求。非调制稳频技术对于激光功率的波动较为敏感，稳定度相对较低，并且由于锁定在目标吸收峰的边峰上，而无法锁定在峰顶，容易发生频偏。而调制稳频简单来说就是在实验系统中加入调制信号来获取鉴频曲线，一般为正弦信号。可以在饱和吸收峰附近范围内产生一个单调的误差信号，将激光器频率锁定在饱和吸收峰处。激光调制又分为内调制以及外调制，顾名思义内调制是将调制信号直接加载到激光器本身的输出频率上，而外调制稳频可以使用声光、电光器件或者将调制信号加载到原子的跃迁频率上。内调制稳频内稳频调制一般是在饱 ...

外腔式可调谐半导体激光器及高性能光谱仪。 ...

加普遍，还有半导体激光器的生产中定位透镜位置变化及光参量放大器中的光束对准。您可以通过我们的www.auniontech.com了解更多的产品信息，或直接来电咨询021-34241962 ...

系统中应用的半导体激光器对于反馈光的影响十分敏感，千分之几的反馈光就能使系统的误码率增加几个数量级。为此，必须在激光器与光纤之间加入光栅隔离器。这对高速光纤通信系统、相干光纤通信系统、频分复用光纤通信系统以及精密光学测量等系统中的应用都是十分重要的问题。光隔离器是只允许光信号沿一个方向传输的双端口光器件，即当光信号沿正向传输时，具有很低的损耗，光路连通；而当光信号沿反向传输时，损耗很大，光路被阻断。光隔离器是一种光非互易传输耦合器，即当输入与输出端口互换时，器件的工作特性是不一样的。一、光栅隔离的主要参数光隔离器主要的性能参数是正向插入损耗、反向（逆向）隔离度、回波损耗，其定义分别为：（1）正 ...

Laser（半导体激光器）多种分立波长半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理一般是通过电激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用QCL Laser（量子级联激光器）多种分立波长基本原理是基于红外波段得半导体激光器，可以有DFB-QCL或者是DBR-QCLDFB Laser（分布式反馈激光器）多种分立波长将光栅级成在半导体激光器内部，光栅和激光器内部周期结构匹配进行模式筛选得一种激光器DBR Laser（分布式布拉 ...

外部分发射的半导体激光器，1994年由贝尔实验室的Jerome Faist、FedericoCapasso、Deborah Sivco、Carlo Sirtori、Albert Hutchinson和Alfred Cho首次演示。与通过材料带隙的电子-空穴对重组而发射电磁辐射的典型带间半导体激光器不同，QCLs是单极的，激光发射是通过在半导体多量子阱异质结构的重复堆栈中使用子带间跃迁实现的。这个想法最早是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中，电子可能占据两个连续能带中的一个——价带，其中大量填 ...

激光源。作为半导体激光器，量子级联激光器(QCL)是一种能带工程器件，其电磁辐射是通过超晶格量子阱[1]内能级间的子带间跃迁来实现的。自1994年首次实验演示以来，QCL技术得到了巨大的发展。这些性能水平是结构设计、材料质量和制造技术不断改进的结果[3-5]。目前，它正在成为中红外(中红外)和太赫兹(太赫兹)频率范围内的领先激光源，并在气体传感、环境监测、医疗诊断、安全和国防[6]中有许多应用。西北大学量子器件中心(CQD)的目标是推进光电技术，从紫外到太赫兹光谱区域。这包括基于III-V半导体的许多不同技术的发展[7,8]。自1997年以来，CQD在量子级联激光器QCL的发展上投入了相当大的 ...