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第发表了他对线偏振光在平行介质中传播时旋转的观察磁场。1923年,Robert W. Wood和Alexander Ellett发表了关于汞原子在横向磁场中发光去极化的观测结果。前者被称为法拉第效应,后者被称为汉勒效应。在前人的研究和Alfred Kastler的工作基础上,R.R Parson在20世纪60年代末证明了III-V型半导体GaSb中的光诱导自旋取向。Alfred Kastler帮助确立了气体中光诱导自旋极化的基本原理。这是通过一个非常简单的测量来完成的,用圆形偏振光泵浦,测量圆形发光。1971年,克劳迪·赫尔曼和乔治·兰佩尔用偏振光和磁场测量了GaSb中电子的自旋进动。这两项关 ...
(圆偏振光与线偏振光)来激发由电极电位控制的电极表面,然后测定出散射得到的光谱信号,如频率、强度及偏振性能变化与电极的电位或者电流强度的变化关系。在位傅里叶红外光谱仪法(FTIRS)是由Bewick等人在20世纪80年代早期首创的。在位傅里叶变换红外光谱仪可以获取电极上中性和离子吸附物的分子信息,以及参与电化学反应的溶液种类。大量的研究已将在位FTIRS由光滑的表面向粗糙的表面扩展,由静态条件向动态条件扩展,由水相系统向非水相系统扩展。利用在位FTIRS技术可以得到的电化学双分子层等图像信息,达到对电催化反应以及带电界面过程更深刻的理解。图1-11两种在位FTIRS电池设计图两种在位FTIRS ...
探测器的两束线偏振光为E1和E2,两者的偏振方向相同,光频分别为f1和f2这两束光可表示为:式中,V1和V2为振幅;φ1和φ2为初位相。两束光波进行干涉后的信号强度为:当为f1=f2时,干涉仪称为单频型干涉仪。位移通过干涉信号的位相变化来测量。干涉信号直流电平的波动影响了位相测量的准确性,原因是由于激光功率的变化。guo家物理实验室开发出的干涉仪,采用3个位相分别为0°,90°、180°的干涉信号的组合来消除直流分量波动的影响。当为f1≠f2时,能够观察到拍频为lf1-f2I的信号,此干涉仪称为外差型干涉仪。如果反射镜发生移动,则反射镜反射回的光波发生了多普勒频移。当频率为f2的光信号经移动速 ...
输出双频正交线偏振光,频差△W=W2-W1。经过PBS1分成测量光束W1和参考光束W2,测量光束被薄膜两次反射后,在NPBS2与参考光束合光干涉,由PBS2分成p,s两路外差干涉信号。比较探测器输出的拍频信号幅值和相位差可得到椭偏参数。其中,半波片使得光束偏振方向旋转45°,这样p,s分量近似等强入射到薄膜样品,可提高干涉调制度。图1光学系统原理图横向塞曼激光器的输出可以表示为:其中:a1和a2代表初始相位。系统的琼斯响应可以表示为:其中,下标R和T分别代表反射和透射,P,H,B,M和S分别表示PBS、半波片、NPBS、反射镜和薄膜样品的琼斯矩阵,如式(3)所示。将式(1),(3)和(4)带入 ...
椭圆,因此,线偏振光和圆偏振光都可以认为是椭圆偏振光的特例。对上面的两个公式进行运算可以得到一般椭圆偏振光的轨迹方程:标准椭圆方程的形式含有半长轴a和半短轴b,表示为:将上式围绕坐标轴旋转一个角度ψ得到:然后把两个分量带入上面两个椭圆方程可以得到:从这个方程组可以获得偏振椭圆的长半轴取向角ψ:偏振椭圆的形状可以用椭圆率来表示,椭圆率就是椭圆短半轴长度与长半轴长度的比值:其中-1<e<1.用椭圆率角来表示椭圆,如:通过引入辅助角σ(O≤σ≤w/2),椭圆率角和取向角又可以表示为:若给出了两个相互垂直的振荡矢量的振幅比值和相位差,可以通过上式计算获得椭圆长半轴的取向角ψ和椭圆率角ε,进 ...
法拉第观察到线偏振光在磁场中通过一块铅硼硅酸盐玻璃时偏振面旋转。法拉第关于他的发现的报告立即引起了广泛的关注,因为这是第1次观察到光与磁之间的相互作用。这一效应很快被其他一些研究者证实。磁光学的下一个亮点是1876年苏格兰科学家Rev. John Kerr发现的MO Kerr效应。克尔观察到线偏振光从磁性铁片表面反射后的偏振面旋转。克尔用磁极反射入射光,因此,这种特殊几何结构中的MO现象被称为极性磁光克尔效应(P-MOKE),见图1。两年后,Kerr在线偏振光的反射中发现了类似的MO现象,但来自平面内磁化的铁片。这种现象现在被称为纵向莫克尔效应(L-MOKE),其中入射面平行于磁化。图一法拉第 ...
rr效应,即线偏振光在非透明磁性样品反射后的偏振面发生微小变化,然后将其检测并用于磁畴成像。典型的宽视场克尔显微镜是在光学偏振反射显微镜的基础上,对均匀照明的样品应用克勒照明技术。根据光的相对方向、入射面、光偏振面和磁化方向将克尔效应分为纵向、极性和横向三种类型。前两种效应导致光的偏振面旋转,可能由椭圆贡献叠加,而后一种效应导致振幅变化而不是反射光的旋转。作为一个简单的规则,由于克尔效应的介电张量的对称性,克尔对比度与入射光束沿传播方向的磁化分量成正比。如图1(a)所示,在斜入射光和p偏振光(纵向克尔效应)的情况下,反射光可以看作是规则反射振幅AN和克尔振幅AK的叠加,导致偏振面旋转(小)角( ...
°时可以获得线偏振光。当δ=90°,并且Ax=Ay时,表示圆偏振光。当位相差是上述以外的其他情况,偏振态的矢量方向是椭圆,这种偏振称为椭圆偏振。(3)双折射双折射有两个折射率,即在不同偏振方向光波传播速度不同。可以这样理解,不同方向的偏振光传播的过程中,所走过的路程折射率不同,速度不同,因此也就引入了延迟。1.3双折射延迟示意图光传播速度快的方向称为快轴,光传播速度慢的方向称为慢轴。快轴和慢轴都是主轴。另外,具有双折射的样品称为各向异性的物质还有一些不具有双折射的,例如玻璃,称为各向同性的物质。那么,需要确定双折射的位相差大小和主光轴方向,以便测量样品的内部信息。(4)偏振态的表示偏振态可以用 ...
。一般来说,线偏振光在通过探针尖端时发生去极化。了解更多磁学测量详情,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更 ...
效应是指入射线偏振光经磁性材料反射后偏振态的变化在超薄层的情况下,这种效应通常被称为表面磁光克尔效应由于采用激光束检测样品的磁化强度,该方法是非接触式的,可用于真空沉积室的原位检测。MOKE测量的典型设置包括稳定的低噪声光源,通常是连续波激光器,定义入射光偏振的线性偏振器,位于可变磁场中的样品支架,分析仪和检测器。一般来说,整个光学系统的光噪声和电子噪声,包括光的产生和检测,决定了被测MOKE信号的质量。阐述了大量不同的MOKE测量方案,以提高信噪比。传统的方法是基于测量反射光强度通过分析仪失谐约4-7◦从消光位置。这个简单的方案保证了zui大可实现的信噪比,而不需要对给定的克尔旋转进行任何共 ...
。更具体地,线偏振光由具有相同频率和相位的左圆偏振波和右圆偏振波叠加而成。当光通过施加与光波方向平行的磁场的MO 介质时,它会分散成两个具有不同相速度的相反旋转的圆偏振波。由于这两个部分波的相移 - 光的偏振面的旋转和每个分量的不均匀吸收 - 导致椭圆偏振波,这zui终是磁场强度的可分析现象,并允许有深入了解样品的磁性。图4.这是动态范围为0.05 至 30kA/m 的 MO 传感器在整个传感器表面上的特性图二、传感器晶片为了实现准确的成像特性和zui佳分辨率,耶拿的研发机构INNOVENT e.V.基于一种铋取代稀土铁石榴石化合物设计了单晶铁磁层,其具有增强的磁光成像特性。传感器层的制造过程 ...
,是指当一束线偏振光从磁光材料沿磁场方向透射时,由于材料折射率的不同,磁光材料中的左旋和右旋偏振光,即偏振面相对于入射光的偏振面偏转一定角度的一种磁光现象。法拉第效应产生的根本原因是磁光材料中的电子等磁性粒子发生光学跃迁。在磁场的作用下,这种跃迁使得在磁光材料内部传输的左旋圆偏振光和右旋圆偏振光产生一定的色散差,导致zui终透射光的偏振面相对入射光旋转了一定角度。(2)磁线振双折射当一束线偏振光以垂直于磁场方向的方向从磁光材料传输时,线偏振光被分解成两个偏振光,两种偏振光在材料中以不同的相速度传播,即产生磁双折射,这就是磁线振动双折射效应。磁线振动双折射效应与磁性材料的磁致伸缩密切相关,根据磁 ...
。相反,只有线偏振光才能被探测到。图1.(Al,Ga)As/ GaAs/(Al,Ga)As量子阱异质结构示意图。Ene表示导电带中电子的量子化能态。enh和Enlh分别是价带中重空穴和轻空穴的能态在自旋led实验中,通过直接比较电致发光在顶发射(电子自旋极化方向垂直于量子阱)和边发射(电子自旋极化方向在平面上)的圆极化,验证了这一效应。适用于10 nm和15 nm宽的量子阱在边缘发射几何结构中没有发现明显的圆极化,尽管在顶部发射中测量到了强烈的信号。然而,对于宽(体状)量子阱(d≥50 nm),在边缘发射中甚至可以检测到圆极化,这表明与窄量子阱相比,由于量子约束减弱,重空穴自旋获得了面内分量因 ...
,这导致入射线偏振光的偏振面旋转。图2.4.2 K时n↑= 1.5·1017 cm−3和n↓= 0.5·1017 cm−3的Kerr旋转谱图2为根据图1的吸收系数计算得到的克尔旋转光谱期望值。克尔旋转仅在砷化镓带隙附近是非零的。此外,在频谱的中间存在一个符号反转。这表明正确的光子能量的选择对GaAs中pMOKE测量起着至关重要的作用。实验发现,不同样品的克尔旋转光谱略有不同。因此,在n-GaAs样品上进行pMOKE测量的第1步是优化探针激光束的光子能量。zui重要的是,对于一个固定的光子能量,克尔旋转角θK与GaAs导带的自旋积累µs成正比,只要电子自旋极化不太大(Pn≤20%)。由于本工作中 ...
磁光克尔效应Kerr通过证明光在铁表面反射时的旋转,发现了反射中的相应效应。Kerr研究了两种几何形状:(i)磁化垂直于铁表面和(ii)磁化平行于表面并沿着入射光的平面。Zeeman证明了第三种变体的存在,其中磁化在平面内,但与入射平面正交。当时塞曼还发现了原子在磁场中发射光谱线的分裂现象,即现在所说的塞曼效应。这种效应已成为确定原子、分子和晶体结构的一种非常有价值的手段。洛伦兹提出法拉第和克尔效应的早期理论认识,其基础是材料中的右圆偏振光和左圆偏振光与经典电子振子的耦合方式不同。由于这个原因,克尔和法拉第效应也被称为圆双折射效应。V oight和Cotton和Mouton在顺磁液体中发现的磁 ...
程。也就是说线偏振光入射,与待测样品发生相互作用后,由于p光和s光的反射率不同,反射光不再是线偏振光,而变成了椭圆偏振光,引入参量tanΨ和Δ,Δ表示p光分量和s光分量的相位差,tanΨ 表示反射后两个分量振幅比 Erp/Ers。定义ρ由各层薄膜的折射率、消光系数和膜层厚度等参量决定,故可表达为式中:n1、n2和n3分别为空气、薄膜和衬底的折射率;k2和k3分别为薄膜和衬底的消光系数。通过对Ψ和Δ的拟合,可以得出被测物体的参量。椭偏技术按采样原理可以分为消光式和光度式 ,也称为零椭偏法与非零椭偏法。消光式椭偏测量方法在每一个波长通过旋转起偏器和补偿器后寻找到合适的角度,使经样品反射后的偏振光为 ...
检偏器后变成线偏振光,通过显微成像系统,椭偏成像在 CCD 相机等图像传感器上;摄像机采集的模拟信号通过视频显示器显示,并进一步经图像采集卡进行A/D转换,转变成数字图像文件进入到计算机。通过计算机,对数字图像文件进行分析获得样品的信息。一束单色光投射在一各向同性且材质均匀的界面上,上半部分折射率为n1,下半部分折射率为n2,光会在界面处发生反射和折射,如下图所示。示意图 单色光在各向同性且材质均匀的界面上的反射和折射其中Eip、Erp和Etp分别为p光的入射、反射和折射电矢量,Eis、Ers和Ets分别为s光的入射、反射和折射电矢量,θ1和θ2为入射角和折射角。光波电矢量可以分解为振动方向平 ...
TF都作用于线偏振光。在大多数拉曼微探针中,拉曼散射的两个偏振分量都被收集,即使激发激光是线偏振的。如果您对拉曼光谱成像有兴趣,请访问上海昊量光电的官方网页:https://www.auniontech.com/three-level-59.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量 ...
射的材料中,线偏振光沿着不同的晶体轴经历不同的折射率。双折射也可以引入外部或残余应力在大块材料。在非常短的波长(即157 nm), CaF2显示应力诱导双折射和更强的内禀双折射(也称为空间色散双折射)。CaF2中的双折射为高性能的印刷应用带来了性能问题。双折射的传统测量方法是让光束穿过放置在交叉偏振器之间的样品。光强通常在样品旋转360°时检测。双折射的大小与最大信号(快轴与偏振器轴为45°)和最小信号(快轴与偏振器轴平行或垂直)的差值有关。该方法有测量时间长、精度低等缺点。每个采样点都要旋转一个样品,这使得双折射映射不切实际光弹性调制器(PEM)技术为交叉偏振器技术提供了更好的选择。PEM在 ...
研究者们发现线偏振光光束在晶体取向上倾向于产生SRS和SHG的强各向异性信号。因此,研究者们对泵浦光束和斯托克斯光束都应用了圆偏振,以消除MSU晶体和胶原纤维的定向效应。Moku:Pro 的锁相放大器 (LIA) 为受激拉曼散射 (SRS) 显微镜实验中的自外差信号检测提供了一种直观、精确且稳健的解决方案。高质量的 LIA 是 SRS 显微镜实验中具有调制传输检测方案的关键硬件组件。在此更新的案例研究中,我们提供了有关双 LIA 应用程序的更多详细信息和描述。由于SRS 是一种相干拉曼散射过程,允许使用光谱和空间信息进行化学成像[18]。它使用两个同步脉冲激光器,即泵浦和斯托克斯(图 1)相干 ...
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