电阻抗断层成像技术监测水泥基材料中的非饱和水分流动1.介绍钢筋混凝土结构的耐久性与混凝土阻止水和侵蚀剂有关，因此，混凝土中的水传输速率经常被用作耐久性的量度。开发了先进的方法来监测不饱和水泥基材料中的水分运动，包括核磁共振(NMR)光谱基于电磁辐射(例如γ射线)衰减的方法，X射线和中子成像)和基于电学的方法。上述每种方法都有优点和局限性。虽然NMR、γ射线、X射线和中子成像具有高分辨率，但由于对大样本成像需要大量能量，它们通常限于小样本(从几毫米到几厘米，取决于设备和源强度)。此外，伽马射线、X射线和中子成像是侵入性方法，并且由于所需的设施，主要限于实验室。例如，中子成像(射线照相术/断层照相 ...

性材料的霍尔电阻可以用下式表示：其中P是传导电子的自旋极化率，从总的霍尔电阻率中扣除与外磁场B有关的线性项，就可以得到拓扑霍尔电阻率。从表达式中可以知道，正常霍尔电阻与外磁场B线性相关，反常霍尔电阻和磁化强度M成正比，拓扑霍尔电阻和衍生磁场成正相关，且一般认为拓扑霍尔电阻率与斯格明子的密度成正比。同时，电流驱动斯格明子移动时，还存在斯格明子霍尔效应，即斯格明子在受电流影响驱动的情况下，会产生一个横向的偏移。因此，现在的研究者们通常会设计专门的纳米线条器件，来用形状限制斯格明子的移动路径，使其可以完 成沿电流方向上的驱动，这方面的研究工作为研发、设计基于磁斯格明子的赛道磁存储设备提供了物理基础。 ...

个SPAD的电阻下降。通过将SPAD与电阻串联起来，可以通过鉴别电路检测到VSPAD的击穿（如图2a所示）。每次雪崩都必须停止，即所谓的熄灭，以避免损坏二极管由于电流，并重新进行部署。通常，可能有两种实现：主动猝灭：通过添加一个专用电路来检测雪崩并主动降低VSPAD，雪崩停止。无源猝灭：一个电阻器与SPAD串联。如果电流增加通过二极管，电阻器上的较高电压下降，从而降低二极管电压VSPAD，直到VSPAD＜Vbreak，雪崩停止。该电路如图2.2a所示，电压曲线、电流的发展如图2.2b所示。图2 单光子雪崩二极管的无源猝灭电路(a) 具有串联电阻器的SPAD的无源熄灭电路。（b） 电路中电压和电 ...

温度下的匹配电阻源(RS)和主动冷源(ACS)。射频(RF)前端不需要温度稳定，因为通过天空测量表征ACS噪声温度。介绍了ACS的表征过程。在1 s积分时，辐射计的噪声等效Δ (Δ)温度(NEΔT)为~0.14 K。天线总温度不确定度范围为0.6 ~ 1.5 K。1.介绍星载L波段(1 – 2GHz)微波辐射计的现代时代始于欧洲航天局(ESA) 2010年土壤湿度和海洋盐度卫星(SMOS)[1]。紧随其后的是美国guo家航空航天局(NASA)的Aquarius卫星[2]和土壤湿度主动式被动卫星(SMAP)[3]。L波段辐射测量通常发生在1400-1427 MHz的受保护频段。基于该波段的双偏振 ...

态技术，它的电阻不依赖于空气压力或污染物的存在。其次，虽然温度变化对测量有影响（主要是因为材料的热膨胀），但这可以通过使用传感器阵列进行校正。基本上，PIEZOCONCEPT在每个轴上使用两个平行的硅传感器，一个用于测量，另一个用于考虑温度变化引起的材料膨胀。6.金属应变传感器与PIEZOCONCEPT硅基位移传感器的比较。金属应变传感器和PIEZOCONCEPT硅基位移传感器之间的差异更大。第1个区别是应变系数：半导体应变传感器（硅基位移传感器）的应变系数大约是金属应变传感器的100倍。更高的应变系数导致更高的信噪比，zui终导致更高稳定性。第2个区别是金属应变传感器不能直接安装在挠曲装置上 ...

置对于利用磁电阻效应和自旋相关输运的器件起着重要作用。在这种装置中，要求其中一个磁层在某一方向上具有增加的矫顽力场，这可以通过交换偏置来实现。另一个例子，铁磁性纳米颗粒与反铁磁性材料的耦合，甚至被认为是在有限温度下稳定磁序的一种手段。为了充分利用反铁磁/铁磁界面在器件结构中的优势，人们需要了解控制这些界面磁相互作用的潜在机制。用界面处反铁磁体的磁矩来描述交换偏置，它通过典型的交换耦合与铁磁矩相互作用，产生的偏置场比实验观察到的高一到两个数量级。在zui简单的模型中，人们假设所谓的非补偿反铁磁表面，即反铁磁表面平面的原子力矩加起来等于一个不消失的净力矩的表面方向。反铁磁体表层的有限磁化强度与沉积 ...

增加了线圈的电阻，这反过来又增加了它们的热噪声，这对它们的信噪比产生了负面影响。zui后，增加LIA的信号平均也提高了信噪比。如果您对磁学测量有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等 ...

而导致隧道磁电阻。系统的基础研究zui终帮助将室温下的隧道磁阻比提高到220%。图1.1基于薄膜磁性器件的一些现代概念。a巨磁阻:两个或更多铁磁层堆叠中金属电导率与磁化方向的相对方向的关系。在它被发现后不久，这一效应就被应用于设备，例如硬盘驱动器的读磁头。b隧道磁阻:两个铁磁层之间穿过绝缘阻挡层的隧道电流依赖于磁层中磁化方向的相对方向。例如，这种效应目前应用于数字磁记录的读磁头，并将用于目前正在开发的未来磁随机存取存储器。c自旋转矩传递:由两个铁磁层组成的纳米结构堆栈中，由自旋极化电子对其中一层磁化所施加的转矩引起的铁磁层磁化的电流感应开关。这是一种在磁阻器件中转换磁化强度的方法，目前正在深入 ...

p的FRA图电阻测量单端口测量：现在FRA的基本电源单位已经清楚，我们可以进行阻抗测量工作。在第1个示例中，我们将测量一个简单的10 kΩ、10% 容差电阻器的Rdut。等效电路为：图3 单端口测量等效电路请注意，Vout为2 V，这会导致50 Ω负载上的电压为1 V。Moku FRA的运行频率高达120 MHz，但对于这些电阻测量，绘制至40 kHz 的图就足够了。图4显示了Vin时的Moku FRA幅度响应 = -35.821 dBm 。图4 10 kΩ、20%、单端口DUT的FRA图重新整理(1)式并代入(4)中的P，我们可以得出：从图4中可得，PdB = -35.821dB，通过(5) ...

电荷使材料的电阻率下降。当给有效工作区两端施加偏置电压，则输入光信号功率的变化能通过输出电路中电流的变化来测量，如图1.3所示。基于光电导效应的光电传感器称为光电导体、光电导元件、光敏电阻。 由禁带宽度窄的材料制成的光电导体大部分用于红外探测。1.3光电导示意图光电发射效应指的是当入射光子的能量大于材料的功函数时，材料内部被激发的电子逸出材料表面到 达真空中的现象。功函数指的是费米能级和真空能级间的电势差。基于此原理的光电器件如真空光电管。1.4真空光电管示意图2、光电传感器举例（1）多像元传感器图2.1给出的是46像元的多像元传感器，光敏面积为0.9mm×4.4 mm。对于近红外探测，能够采 ...

变化上。氢致电阻率降低可以应用于氢传感，但不能提供材料中氢含量的空间分辨率。氢引起的光学性质的变化，特别是传输，提供了一种检测材料中氢扩散的非侵入性方法。大多数研究分别使用YHx和VHx的反射率和透射率变化来可视化氢扩散。然而，研究氢在其他非透明金属材料中的扩散动力学仍然是一个挑战。除了已报道的光学研究外，还应考虑由氢吸收和解吸引起的铁磁薄膜磁性能的可逆变化。该方法可应用于各种氢敏磁性pd合金，尽管氢致反射率变化有限，但氢致磁性变化的检测是可行的。研究表明，在退火的Pd/Co/Pd三层和[Co/ Pd]多层中，由于Pd合金的界面效应，可以观察到氢化诱导的磁性调制。这是因为钯是氢分子解离的高效催 ...

00 3 瓦电阻器（W3M1000J 或类似产品）•4x 1 kΩ ¼ 瓦电阻器•1x 330 Ω ¼ 瓦电阻器•2x 100 µF 电容器（80-ESK107M050AG3AA 或类似）•1x 肖特基二极管（MBR745G 或类似产品）3 理论开关转换器是一类有效的电路，用于将输入直流电压转换为不同的输出直流电压。 在本实验室中，我们将专门考虑一个降压转换器，该转换器理论上设计用于将直流输入电压降至低于输入的任何输出电平。 实际上，由于各种电气元件的损耗，最大输出将略低于输入电压。 在未来的实验室中，我们将探索允许输出大于输入的升压转换器。3.1 基本开关转换图 1 中的基本开关转换器将使用 ...

中使用特殊低电阻MCP的情况下，MCP的增益只有在特定的输出水平上是恒定的。超过一定的水平，MCP变得饱和，MCP末端的电子数将不再增加。这将导致最大输出亮度对许多高速应用来说是不够的。通过应用多个MCP来增加像增强器的增益同样无济于事:最大输出受到单个MCP相同的最大输出电流的限制。如果我们再额外添加一个像增强器，该增强器没有MCP，作为整体增强的第二级，这会发生什么？这就是我们所说的Booster。第二级将不存在饱和，但额外的增益因素导致在第二级将输出更多的光。如果有更多的光，就可以使用更高的帧率。图2Booster是第二级的像增强器，没有MCP。其优点是在第二级不会发生饱和提高图像的亮度 ...

传感器材料的电阻变化作为应用磁场的函数。磁阻传感器利用电阻的变化(通过电压测量)来确定磁场强度。相比之下，磁光传感器(MO-sensor)是基于法拉第效应而不是电效应来分析磁场。磁光传感器的技术优点是可以直接在磁性材料表面上方立即获得测量数据，这取决于传感器的尺寸。因此，对磁场分布的实时测量可以进行，而不需要耗时的点对点扫描，如使用霍尔传感器所需要的。二、MO-sensor的工作原理磁光传感器是基于迈克尔-法拉第在1845年发现的法拉第效应，他认识到光通过透明介质时，外部施加的磁场会改变光波，这取决于磁场。这一发现是光和磁之间相互作用的第一个迹象，后来导致了麦克斯韦方程的建立，其中包括将光描述 ...

入，交流耦合电阻50 Ω）和输入2（监视器，直流耦合电阻50 Ω）。利用Moku的激光锁盒波形发生器，在3.0 MHz的频率下产生了500 mVpp的本振（LO）信号。然后LO信号从Moku：Lab的输出2输出，通过偏置器 （miniccircuits, ZFBT-6G+）驱动EOM。用LO数字信号波形解调来自光学腔的反射响应信号，这里我们用到了数字混频器和角频300.0 kHz的四阶数字低通滤波器。通过扫描空腔共振的激光频率，调整相位延迟，直到误差信号峰-峰电压（斜率）最大，从而调整混频器处LO信号的相移。快速PID控制器的积分器单位增益频率（0 dB点）为5.8 kHz，初始积分器饱和角为 ...

mini生物电阻抗分析仪（EIS）作为增强测量装置的一部分，使用LabVIEW软件来控制仪器，能够以毫秒级别的瞬时清晰度测量生物阻抗和生物电势，在心脏手术中显示人体心脏实时状态的测量结果。https://www.auniontech.com/details-1819.html手术中所用的高瞬时清晰度的电阻抗分析仪（EIS）技术源自德国的Sciospec公司的研究，不仅有便于携带和集成的手持式ISX3-mini，适配选件多样化的ISX3，还有最高可达16通道的ISX5。ISX-3配备了Sciospec的中频前端，支持简单的2点测量，以及3和4电极配置。在100 mHz至10MHz的测量范围内，它 ...

也必须进行高电阻率屏蔽。较低的电阻率将导致不希望的电流，晶体过度加热，甚至“电弧放电”以及灾难性的裂纹。电源测试和老化也很重要。不仅保证了电源本身的寿命，而且延长了EOM的寿命。G&H（克利夫兰）的部分加工晶体对于AOM，晶体/玻璃的光学质量同样很重要，尤其是透射波前（即光束质量），这就是为什么G&H自己生长大部分的材料，包括TeO2。对于OEM应用，这将为高容量带来一致的质量和性能。主要的非光学挑战是换能器与声光晶体之间的界面，因为强烈的振动必须通过这个界面传递，以及由此产生的热量。毫不奇怪，这个关键界面的分层往往是早期AOM失效的主要因素。因此，G&H完全避免使用通 ...

导率和热边界电阻的确定更加困难，并且具有额外的未知属性。即使样品中和传导层铝模之间总是存在未知的边界热阻，但是通常使用单个调制频率可以从样本中提取两个未知属性，这意味着在大多数情况下测量可以提取层热导率。然而，对于金刚石样品，样品内纵向和横向热导率是不同的，这意味着需要额外的测量来提取这两种特性；这可以通过改变一些系统参数来实现校正，参见系统参数描述（详情联系请上海昊量光电）。另一个困难是确定金刚石 CVD 的热容量，根据生长质量和样品中存在的非金刚石碳（NDC）的数量，生长出来的金刚石的热容量值相差极大。在这种情况下对于<5 um的金刚石薄膜，测量将完全穿透金刚石样品，抵达样品到下面的 ...

起来像一个小电阻，其值取决于电感器的损耗。变压器用于将该电阻与 50Ω 驱动阻抗相匹配。通过与源阻抗匹配并使用低损耗元件，电容器两端的电压可以比输入电压高十倍以上，与宽带调制器相比，可降低半波电压。谐振电路的能量存储特性使这种降低的电压要求成为可能。例如，如果像以前一样使用 4001 型谐振相位调制器来产生 0.5 弧度的调制，则所需的功率将仅为有两个因素限制了集总元件谐振器的性能。首先是电感器的功率处理能力。电感磁芯的饱和会限制可用于调制光束的 RF 输入功率。此外，大部分功率耗散发生在电感器中，过多的输入功率会将其烧毁。其次，在大于 50 MHz 的频率下，普通的集总电路元件很难制造。尺寸 ...

，DNA）的电阻抗谱测量提出了更高的要求。目前有三种常见的方法来观察微流控通道中细胞的大小和速度。第一种是基于光学方法的细胞计数。它需要使用激光照射微流控通道中已经标记好的细胞，并检测产生的散射或荧光。除了使用的染料可能有毒或昂贵之外，维护和设置激光及检测系统同样会限制该技术的便携性和耐用性。第二种是基于图像的细胞计数。它依赖于高速相机的使用。在使用其它设备将细胞分类到不同通道之前，您需要通过进行图像处理来判断细胞的大小。普通摄像机的帧速会限制其检测速度，每记录一帧可能需要 200 微秒的时间。第三种选择是阻抗细胞计数法。它具有快速的响应时间，无需标记且可集成分类操作。该技术基于监控细胞通过微 ...