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通常被设计为硬磁层,它受通常的外部磁场的影响很小,而另一层被称为软磁层,它很容易对外加磁场的变化做出反应。这种效应的巨大尺寸使得我们可以检测到硬盘上的杂散磁场的微小变化,就像软磁层的磁排列中的微小偏差一样,这反过来又使磁盘制造商能够减少检测单个比特信息所需的磁盘上方杂散场的数量,并相应地减小其尺寸。这导致了磁性硬盘存储密度的年增长率的变化,在1997年之前,它以每年60%的速度快速增长,从那时起,它以每年惊人的100%的速度加速增长。一个相关的效应,隧道磁阻(TMR),如图1.1b所示。虽然在GMR效应发现之前,但在90年代,当它被讨论在磁性数据存储方面的可能应用时,它经历了复兴。这种效应依赖 ...
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