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功于其卓越的电子迁移率、直接带隙和精密调控的生长机制。GaAs单结器件已经实现了卓越的效率,接近惊人的30%阈值。迅速成为薄膜太阳能电池的优质材料。Photon etc.公司的基于体积布拉格光栅的高光谱成像平台(IMA)可以对GaAs进行表征,IPVF(以前称为IRDEP-光伏能源研究与开发研究所)的科学家利用IMA系统对GaAs太阳能电池进行表征。成功地在标准GaAs太阳能电池中获取了光谱和空间分辨光致发光(PL)图像。他们利用532nm激光器通过显微镜物镜实现了整个视场的均匀照明,从而使得能够同时收集来自多个点的PL信号。这种整体照明方法有效地减轻了与侧向载流子扩散相关的挑战,并且避免了样 ...
的特性,如高电子迁移率和可通过门控调节的载流子密度。例如,基于Gr的器件已经证明了长通道上的自旋输运和自旋进动,并且被预测在没有外场的情况下具有光学产生的自旋极化。不幸的是,由于弱自旋轨道耦合(SOC)的困扰,Gr对OISO的适用范围有限。具有重要光学和自旋特性的二维材料的典型例子是过渡金属二硫族化合物(TMDs)。强SOC通过光学选择规则为控制赝自旋态创造了条件,再现了自旋材料的许多光学特征。激子和其他载流子可以被偏振光激发成“谷”,这是单层tmd在k空间中分离的直接带隙跃迁。对这些谷偏振态的光学访问模拟了OISO所需的选择规则。谷的应用创造了一个与自旋电子学平行的“谷电子学”,其中基于谷的 ...
和很好的理论电子迁移率(>200cm2V-1s-1),带隙特征表明其有利于可见光和近红外光的吸收。因此此文章报道了基于Fe掺杂的2DMoTe2纳米片的新型光催化氮还原仿生系统。使用拉曼-荧光光谱测试系统(XperRam 200,Nanobase),通过拉曼Mapping(532nm的激发光)和荧光寿命成像(485nm的激发光)来分别记录拉曼光谱和时间分辨荧光衰减光谱。如下图1为纯物质在532nm激发光下的MoTe2,1% Fe-MoTe2,2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光谱图,从图中可以看出对于理想的2H-MoTe2结构有三个拉曼活性模型,根据第一性原理计算和图1中的 ...
二极管频繁的电子迁移,而有机物的老化速度也明显高于无机物;因此综合来看,有机物+电子迁移+自发光会快速使屏幕老化。另一个问题,如果OLED屏幕的某块区域持续的显示某一种颜色,在显示其他颜色的时候,那部分颜色表现不足就会导致常说的烧屏现象。以上两点,也是OLED发展到现在,LCD还存在的主要原因。在上篇文章提到过,Hyperion只能测量单一某一点的色度值。为了更方便、快速的测量屏幕整体的显示效果,Admesy Atlas成像色度计集成了CCD与频谱仪,可以以极快的速度获的整张屏幕的色度值、色彩空间等最基本的数据,并以可视化的效果显示整块屏幕的缺陷。 ...
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