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一定要好。在样片制备完成后,我们需要使用3台同型号的光谱型椭偏仪对其测量区域的均匀性和稳定性进行了考核,取这3台仪器测量结果的平均值来作为考核结果。为确保量值准确可溯源,使用相同标称厚度的膜厚标准样片作为标准,光谱型椭偏仪作为比较仪,采用比对测量的方式对制备样片的厚度进行测量,测量结果按照下式进行处理。式中:Tvlsi — VLSI标准样片证书上给出的样片厚度量值;tVLSI13 — 13所测量得到的VLSI标准样片的量值;tCETC13 — 未修正的13所膜厚样片的测量值;tc— 修正后的 1 3所膜厚样片的测量值。选择样片上、中、下、左、右 5 个位置进行考核如图1所示。样片均匀性考核区域 ...
意图膜厚标准样片制备的具体工艺流程如下图2所示。图2 样片制备流程工艺图在膜厚样片的制备过程中,需要严格控制二氧化硅薄膜生长工艺参数,以保证膜层的均匀性和稳定性 ,制备出的膜厚标准样片如下图3所示。图3 制备的膜厚标准样片样片的稳定性考核实验膜厚标准样片作为一种标准物质,其测量区域均匀性和稳定性一定要好。在样片制备完成后,我们需要使用3台同型号的光谱型椭偏仪对其测量区域的均匀性和稳定性进行了考核,取这3台仪器测量结果的平均值来作为考核结果。稳定性是通过使用光谱型椭偏仪对膜厚样片测量区域的5个位置每隔1个月测量一次,5个位测量结果的平均值作为一次稳定性测量数据,通过分析平均值的变化来确定膜厚标准 ...
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