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最终能到达的峰值温度。临界温度150°C,假设阵列温度50°C,ΔT必须保持在100°C以下。临界关系如下所示。接下来的三张图显示:平均功率密度为25W/cm2时,ΔT高于阵列温度的情况。对于每个脉冲持续时间和峰值功率密度,都有重复率。图 1.像素ΔT,适用于 7.56 μm 像素图 2.像素ΔT,适用于 10.86 μm 像素图 3.像素ΔT代表13.68 μm 像素由上图可知,即使峰值功率密度和脉冲持续时间符合平均功率公式限制条件,在过高的重复率下,也会有超过ΔT = 150°C–T阵列的情况出现。例如图二峰值功率为4kW/cm2,脉冲持续时间为100μs,重复频率为60Hz,平均功率为2 ...
DMD的像素峰值温度,给出相关条件。有了这样一个模型结合DMD所处的环境条件,就有可能根据占空比、重复频率(脉冲频率)、波长和峰值激光功率来确定脉冲激光功率的极限。构建模型:该模型目的是预测像素在脉冲激光操作期间达到的瞬时峰值温度。不论平均输入能量密度如何,单个像素温度必须保持150°C以下。为简化模型,有如下假设:1.像素的反射率遵循:可用范围内器件铝镜的反射率曲线。2.重复速率足够高,并且底层基板的热质量足够大(>>像素的热质量),因此基板(阵列)的温度只是阵列在连续照明下达到的温度,并且具有相同的平均功率。图1.像素热传递到阵列我们只考虑平均面功率等于给定 DMD 的指定最大 ...
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