SCMOS相机 光束分析仪 DMD 光纤束 合束激光器 共焦 拉曼光谱仪 锁相放大器 无掩膜光刻机 高光谱相机
效应管的发光晶体管,即具有电致发光的场效应晶体管。 ...
都由一个薄膜晶体管直接控制的液晶显示方式。由于每个节点都相对独立,并可以连续控制,不仅提高了显示屏的反应速度,同时可以精确控制显示色阶的液晶显示。 ...
的多栅MOS晶体管。它分为线阵CCD和面阵CCD两种。用于储存和传递电荷信息,以及将光学影像转化为离散电信号。 ...
二极管、光电晶体管等。 ...
又称“光电晶体管”。包含一个光电二极管和放大单元、具有晶体管结构的三端光电探测器。 ...
采用NPN型晶体管的一种光敏三极管。 ...
MOSFET晶体管,挑战在于MOS电容器中的电介质使用高κ材料,这具有减少通过隔离器的漏电流的优点,但同时由于电荷捕获而引起一些问题。短脉冲和慢脉冲测试是研究此类问题的基本技术。Active Technologies Pulse Rider PG-1000 系列脉冲发生器提供低于 70 ps 的快速边沿、+-2.5 V 的基线偏移和 300 ps 至 1 s 的脉冲宽度,因此它是短脉冲和慢脉冲测试生成脉冲的理想仪器。突出特点非易失性存储单元表征MOSFET测试短脉冲、慢脉冲和窄脉冲测试电光调制器应用电光调制器(EOM)是一种可用于通过电控制信号控制光的功率(→强度调制器)、相位(→相调制器)或 ...
子设备存储器晶体管、二极管LED/OLED太阳能电池显示器、TCO传感器快速霍尔效应测量系统RTM2典型测试示例:在标准几何结构(开尔文和霍尔布局)中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量零偏移霍尔 4 线测量(即使是非结构化样品,也能准确分离纵向电阻和横向电阻)比率电阻测量,消除样品和设备漂移高驱动谐波失真测量脉冲和测量例程快速霍尔效应测量系统RTM2软件界面:快速霍尔效应测量系统RTM2规格参数:快速霍尔效应测量系统RTM2产品示意图:设备前面板包括:1. 8个BNC端口,用于多 ...
有相关材料在晶体管、存储器、光电器件、MEMS、光伏等应用中具有广泛的技术意义。在许多这些应用中,热性能是一个关键的考虑因素,促使人们努力测量这些薄膜的热导率。薄膜材料的热导率通常小于其大块材料的热导率,有时甚至非常显着。与块状单晶相比,许多薄膜含有更多的杂质,这往往会降低热导率。此外,由于声子泄漏或相关相互作用,即使是原子级完美的薄膜也有望降低热导率。使用脉冲激光是测量薄材料热导率的众多可能性之一。时域热反射率 (TDTR) 是一种可以测量材料热性能的方法。它甚至更适用于薄膜材料,与散装的相同材料相比,薄膜材料的性能差异很大。激光引起的温度升高可以写成:其中 R 是样品反射率,Q是光脉冲能量 ...
。在COMS晶体管、BJT、分立元器件、非易失性存储器、材料、功率器件、可靠性等测试方面广泛应用。主要特点及优点四象限操作2 线或 4 线连接瞬态波形捕获模式100 fA 测量分辨率200 MSa/s,5 ns 采样率AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)10 mHz - 10 Hz 低频率电容测量主要应用MOSFET, BJT晶体管材料表征非易失性存储设备电阻率系数和霍尔效应测量NBTI/PBTI III-V族器件失效分析纳米器件二极管和pn联结太阳能电池传感器MEMS器件电化学LED和OLED ...
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