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过门控调节的载流子密度。例如,基于Gr的器件已经证明了长通道上的自旋输运和自旋进动,并且被预测在没有外场的情况下具有光学产生的自旋极化。不幸的是,由于弱自旋轨道耦合(SOC)的困扰,Gr对OISO的适用范围有限。具有重要光学和自旋特性的二维材料的典型例子是过渡金属二硫族化合物(TMDs)。强SOC通过光学选择规则为控制赝自旋态创造了条件,再现了自旋材料的许多光学特征。激子和其他载流子可以被偏振光激发成“谷”,这是单层tmd在k空间中分离的直接带隙跃迁。对这些谷偏振态的光学访问模拟了OISO所需的选择规则。谷的应用创造了一个与自旋电子学平行的“谷电子学”,其中基于谷的器件表现出“谷霍尔效应”和强 ...
A为振幅,与载流子密度、电荷、质量有关,E0为振子的共振能量,G为振子的展宽系数,与振子的阻力有关。简谐振子模型适合用于晶态半导体材料,当材料的特征不是很清楚的情况下,选用简谐振子模型(即洛伦兹振子模型)是比较好的选择;9.Forouhi-Bloomer模型Forouhi和Bloomer针对的是非晶态半导体,通过量子力学处理结合K-K关系,可以推导出包含5个参数的模型,它比较适合于分析铁电薄膜与半导体薄膜材料:n(∞)为无穷大能量时的折射率,Eg,A,B,C则为正的常数;10.形模型 为了在较宽的频谱上表达物质的光学常数,一般需要考虑上述多种模型,则可以得到:L(E)为某些特定的线形,例如高斯 ...
来增加注入的载流子密度,或者可以通过分别施加栅极电压和降低金属功函数来减小石墨烯/WSe2、金属/WSe2异质结的肖特基势垒来实现。图1图1 石墨烯/WSe2/金属垂直场效应晶体管VFET结构 a)VFET源极、沟道、漏极示意图b) 具有明亮对比度(右面)和黑暗对比度(左面)的截面明场STEM图像 c) 石墨烯/ WSe2 /金属VFET中的陷阱源示意图 d) 器件的光学图像,显示底部石墨烯层(虚线),顶部金属电极(虚线)以及中间WSe2层 e)石墨烯拉曼成像(1585cm-1)f)WSe2拉曼成像(250cm-1)。电荷载流子的迁移率是由WSe2中陷阱的散射决定的,这是由层间间隙中的Se和W ...
面结构,控制载流子密度或通过外部刺激进行相变来原位调节红外发射率.适当的电子结构调节是调节红外发射有效的方法.然而这些材料通常生长在硬质基底上,调节范围非常有限,因此一种可调红外发射率的柔性材料备受瞩目.本文介绍了国防科大江天老师课题组柔性石墨烯基的红外器件研究工作,如有需要也可直接参考原文。01 制备过程如图是该器件的制备过程示意图.石墨烯生长基底镍在饱和氯化铁水溶液中被蚀刻掉,从而在溶液表面形成独立的多层石墨烯膜(如图一b所示).将多层石墨烯膜转移到去离子水中以去除残留的FeCl3,如图一c所示.将多层石墨烯转移到多孔聚乙烯膜上(聚乙烯膜红外透明且柔软)为了除去残留的水,将多孔聚乙烯膜上的 ...
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