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收体主要用于被动调Q和锁模激光器中产生超短脉冲。 ...
饱和吸收体的被动调Q激光器实验装置的示意图如图所示:在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶体中,Ho3的5I7→5I8激光跃迁用于实现2 μm波长范围的激光发射。 Tm,Ho:YAP 晶体用于具有155毫米物理腔长的谐振腔。晶体的端面镀有790-800nm和 1.9-2.2 μm的涂层,反射率小于0.5%。一个装有液氮的杜瓦瓶被设计用来将激光晶体冷却到 77 K 的温度。两个激光二极管的中心输出波长分别为 794.1 nm 和 794.0 nm,对应的输出功率分别为20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。实验中 LD的温度选择为 298.15 K。每个L ...
的调Q脉冲。被动调Q,Q开关是一种可饱和吸收体,这种材料的透射率会在光强超过某个阈值时增加。该材料可以是离子掺杂晶体,如Cr:YAG,用于Nd:YAG 激光器的Q开关、可漂白染料或无源半导体器件。最初,可饱和吸收体的损耗很高,一旦大量能量存储在增益介质中,就可以产生一些激光。随着激光功率的增加,它会使吸收体饱和,即迅速降低谐振腔损耗,从而使功率可以更快地增加。理想情况下,这会使吸收器进入低损耗状态,以允许通过激光脉冲有效提取存储的能量。脉冲结束后,吸收体在增益恢复之前恢复到高损耗状态,从而延迟下一个脉冲,直到增益介质中的能量完全补充。脉冲重复率只能间接控制,例如改变激光器的泵浦功率和腔中可饱和 ...
亚纳秒微片激光器(波长可选1064、946、532、473、355、266、236.5nm)作为意大利Bright Solutions集团的一部分,Bright Microlaser专注于市场上zui强大的DPSS微芯片激光器的开发和制造。Bright Microlaser公司利用母公司的在DPSS被动调q激光器方面的丰富经验,以及美国的微芯片激光器制造商Concepts Research Corporation(CRC)的技术和工厂。微片激光器以更小、更低功率和SLM激光单元完成了Bright Solutions Group目前的产品系列。微芯片激光器的脉冲持续时间从350 ps到3 ns, ...
SPARK有被动调Q和主动调Q两个版本:被动调Q版本脉冲宽度可达750ps , 脉冲能量达5mJ;主动调Q版本脉冲能量可达10mJ,脉冲宽度可至<1.5ns;脉冲重复频率在10-100Hz可选。任何电脑或者手机都可以实现通过以太网实现激光器进行实时监测与控制;提供API用于集成在客户的设备中;可选项:二倍频,三倍频,四倍频,五倍频输出可调衰减器用于能量调谐光纤耦合输出典型特征:能量高达10mJ@1064nm风冷短脉宽可达750ps重复频率可达100Hz高次谐波产生二极管寿面大于2G发SYNC同步输出远程监测与控制可选PC控制的衰减器可选脉冲能量监测可选光纤耦合输出典型应用:光诱导击穿光谱 ...
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