化学气相沉积法（CVD）生长的二维材料已被广泛用于研究和应用。不同的衬底会对生长的二维材料产生影响，使它们的形态，晶体
质量，光学性能等被改变。云南大学杨鹏教授课题组研究了衬底对CVD生长MoS2和WS2的影响。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作为衬
底生长二维材料。
化学气相沉积法（CVD）生长的二维材料已被广泛用于研究和应用。不同的衬底会对生长的二维材料产生影响，使它们的形态，晶体
质量，光学性能等被改变。云南大学杨鹏教授课题组研究了衬底对CVD生长MoS2和WS2的影响。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作为衬
底生长二维材料。
形态&晶体质量
如上图a所示，SiO2 / Si衬底上的CVD生长的MoS2具有规则的三角形形状，具有清晰的分层结构，说明了合成了不同层数的MoS2。d
是在Si衬底上生长的MoS2,图中只能看到针状纳米棒的合成。
接着用PTCDA处理了SiO2/Si,Si，PTCDA充当CVD外延生长的成核中心，并有助于在这两种基底上获得相对较大的二维MoS2。但
是图2b,e所示的MoS2结晶性不好，因为没有观察到明显的层状结构和规则形状。
如上图是O2等离子体处理的SiO2/Si,Si，O2等离子体激活了基底表面上的原子，正如图2c所示，在SiO2 / Si上生长的MoS2表现出更
加无序的结构。如图f所示，Si基底尺寸小，在O2等离子体清洗后，二维MoS2结晶良好。
光学性能
如上图是生长在不同衬底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光谱。可以看出长在Si基底上的二维材料的PL信号都很弱，可能是因为Si本身
是半导体，MoS2 / WS2中的电子一旦被激发就更容易逃逸，并且不会复合，那意味着对于PL来说，从激子复活中获取的能量少。而
且，长在SiO2/Si基底上的MoS2/WS2比长在石英玻璃上的有更强的PL.这可能是由于石英的透明度，如下图所示。二维材料-衬底界面
间的反射可以延长入射光激发PL的路径。相反，透明的石英玻璃能允许大量入射光穿过它，因此，只能利用很少的入射光。
拉曼mapping
接下来为了进一步研究样品的晶体质量，对MoS2和WS2进行了拉曼成像测试。图5a,d清晰地展示了生长在石英玻璃上的MoS2/WS2
比生长在其他基底上半峰宽FWHM大，这表明生长的二维材料的晶体质量不均匀。石英上生长的样品均匀性较差是由非晶质衬底和
MoS2/WS2之间的不匹配引起的，这会使得材料-基底的边界产生缺陷。然后正如图b所示，与WS2相似（图e，f），在SiO2 / Si上生
长的MoS2的半峰宽FWHM略小于在Si上的。这个现象表明SiO2/Si基底具有比其他两种基底更高质量生长二维MoS2/WS2的能力。
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