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S2薄膜通过等离子辅助过程沉积在基地物上而被用于控制摩擦力。首先,通过ALD在Al2O3衬底上沉积的MoS2薄膜的层数可以直接由ALD循环次数控制。通过使用拉曼光谱(XperRam C,NANOBASE,532nm激光光源下,激光光斑尺寸为1mm,功率为0.6mW)证明了薄膜层数和ALD圈数之间成线性关系,且随着薄膜层数的增加摩擦减少,即随着MoS2厚度的增加,受基地影响的的2D MoS2的层相关摩擦性能减弱,如图1(a)和图1(b)所示。除此之外,通过高斯公式计算摩擦力的分布可以得到每次等离子处理的平均摩擦力,且发现等离子处理10s的Al2O3基地上沉积的MoS2的平均摩擦为1个ALD循环, ...
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