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。通过计算圆极化度,可以直接读出自旋极化,P = (I+−I−)/(I+ + I−)。描述半导体P的稳态速率方程为:式中P0为激发时圆偏振度。τr和τs分别为复合寿命和自旋寿命。这种极化可以在磁场中进一步研究。事实上,对于相对于样品施加的面外场,塞曼效应将分裂自旋水平。这导致读出偏振不平衡,即使是线偏振光,这一结果可用于研究磁场与材料中载流子自旋的耦合程度。注意,复合寿命与自旋寿命的比值决定了在半导体系统中观察光学取向的能力。随着比值的增大,P的量减小。这就是这种测量方法的局限性,如果τs≪τr,这种测量方法就不适合研究半导体系统中的光学自旋特性。时间分辨测量使用脉冲激光的时间分辨研究可以绕过 ...
扫描近场光学显微镜反射模式局部磁光克尔效应成像洛伦兹模式透射电子显微镜(TEM)和带极化分析的扫描电子显微镜(SEMPA)可用于高分辨率探测磁畴和磁化。然而,这种方法需要昂贵的电子光学器件和真空条件,这限制了应用范围。在原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)广泛应用于纳米尺度研究的基础上,磁力显微镜(magnetic force microscopy, MFM)可用于磁成像。然而,MFM不能直接测量材料的磁化强度,只能检测表面附近的磁杂散场。此外,为了避免影响TEM和SEMPA中的电子运动,几乎没有施加外磁场。在MFM技术中,外磁场下的测量应谨慎处理,以免磁化 ...
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