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剂体系和使用原子层沉积的铝封装。由于他们的经验在铟硒样品制备中,制作了可行的薄样品和器件,并进行了测量。用hBN干燥封装薄的InSe样品,并且对于门控器件,还加入了Gr以改善样品与金触点之间的电接触。InSe的另一个必须考虑的重要特征是多面体。如前所述,III-VI单硫族化合物的堆叠顺序可以诱导一些新的效应,如铁电性,和自旋分裂。由于常见的多型型(λ, γ, β)在结构上非常相似,区分特定的堆叠顺序可能很困难。为了识别多型,通常需要多种实验方法,如拉曼光谱和二次谐波产生(SHG)。图2.奇数和偶数层数的变化表明SHG。利用中心波长为1.49 eV (830 nm)的脉冲激光产生SHG信号。插图 ...
椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建(二)-在位监控原理1.椭偏仪的在位监控半导体工艺比如CMOS的制作过程,会涉及到结构或者厚度的监控。例如在光刻前后,或者沉积与腐蚀过程,需要控制薄膜的厚度。而椭偏谱可以快速且无损伤进行测量,并且其测试精度可以达到原子级别,因此广泛应用于半导体制备工艺的在位监控中。比如,典型的32nmCMOS制做过程中大概会需要100次厚度的测试控制,而其中就有80次厚度测试需要利用椭偏谱对其厚度进行监控。通常要解构薄膜的厚度,会涉及到有效介质模型近似和Drude+Lorentz Oscillator模型的使用。利用椭偏仪不仅可以得到厚度信息,还可以得到薄膜的光学性质等信息, ...
椭偏仪在位表征电化学沉积的系统搭建(一)-基本原理利用椭偏仪可以精确测量薄膜的厚度和光学常数,其测量原理基于不同偏振光(S,P)与材料的作用。如图1-1所示的单层薄膜模型中,所测的薄膜在衬底上,zui上层为空气,薄膜两侧介质都是半无限大,且薄膜上下表面皆是理想光滑表面,三种介质皆为均匀、各向同性介质。在实际测量过程中,单层模型的三种介质通常指的是空气、待测薄膜和基底。图1-1 光波在多层膜上的反射与透射光波在单层膜上的反射和透射示意图如图1-1所示。定义入射光波矢量E在垂直于入射面上的分量为P光,在入射面上的分量为S光。由折射定律及菲涅耳定律知、、的关系为:上述式子中,n1是空气的折射率(1. ...
,运用了一种原子层沉积法(ALD),由于其优异的机械灵活性、良好的热稳定性和低的自由能等特点,此方法作为一种表面控制薄膜制备技术被广泛应用于二维MoS2薄膜的合成。MoS2薄膜通过等离子辅助过程沉积在基地物上而被用于控制摩擦力。首先,通过ALD在Al2O3衬底上沉积的MoS2薄膜的层数可以直接由ALD循环次数控制。通过使用拉曼光谱(XperRam C,NANOBASE,532nm激光光源下,激光光斑尺寸为1mm,功率为0.6mW)证明了薄膜层数和ALD圈数之间成线性关系,且随着薄膜层数的增加摩擦减少,即随着MoS2厚度的增加,受基地影响的的2D MoS2的层相关摩擦性能减弱,如图1(a)和图1 ...
sker公司原子层沉积首席科学家"The FS-1 is an excellent basic ellipsometer. Reliable, easy to use, low maintenance, and great value for money. Films Sense have been great at helping us characterize our thin films, and get accurate measurements. Fully recommended. ”——Dr Ruy Sebastian Bonilla - Research Fellow ...
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