外腔半导体激光器稳频控制方式在精密测量以及量子技术等应用领域，对于激光器的稳频锁相有较高的要求。自由运转的外腔半导体激光器由于温度、机械振动等因素影响，其输出的光的频率往往或多或少存在漂移，使得这些自由运转的激光很难运用于精密光谱、原子干涉等，必须对其稳频控制。一般的外腔半导体激光器往往会存在三种频率控制方式：LD温度LD的温度影响半导体的增益轮廓和内腔模式频谱漂移，主要是温度变化造成介质中载流子浓度变化，以及吸收因子变化，此外温度还会影响内部FP腔的参数。温度对LD输出频率影响非常大，如用于数据存储应用（CR-R刻录机）的典型AlGaAs二极管在25℃时的标称波长为λ=784nm，dλ/dT ...
色散补偿光纤的1.55μmVCSEL调制性能-器件结构及特点随着制造技术的不断发展，垂直腔面发射激光器（VCSELs）已被证明是一种具有成本效益的光源。爆炸性的带宽需求，特别是在上传和下载速度方面，将需要光宽带网络和光纤到户解决方案，以降低每带宽成本，以满足未来的市场条件。特别是直接调制激光器的非冷却、无源粗波分复用（CWDM）解决方案预计将具有成本效益。对于850nm的VCSEL，比特率高达25Gb/s，适用于通过多模光纤的短距离光互连和光以太网解决方案。然而，对于直接调制激光器来说，距离在10到40公里之间、比特率在10Gb/s及以上的城域范围内的光纤链路仍然是一个挑战。一方面，对于1.3 ...
金属有机化学气相沉积制备室温连续波工作低阈值量子级联激光器通过分子束外延MBE和MOCVD两种方法生长的量子微电子管的室温连续工作结果令人鼓舞，但进一步的性能有望使量子微电子管更适合实际应用系统。在所有需要改进的器件参数中，特别需要更低的阈值电流密度，因为它可以使器件消耗更少的总功率，并有可能提高壁插效率。我们报告了5.07 um的mocvd生长QC激光器，具有BH再生结构和下行安装，其室温连续波阈值电流密度低于所有这些先前报道的结果。本文提出的QCL结构是通过低压MOCVD生长的。有源区域结构与文献中报道的设计非常相似，但对波导结构进行了一些修改，如下所述。一个周期的层序为：从注入层阻挡层厚 ...
量子级联激光器：长波红外（λ>6 μm）的设计qcl今天能够在λ = 3-24 μm范围内发光，并且z近已经引入到太赫兹域，可能导致光电集成的新水平由于有可能利用为电信/数据通信组件市场开发的已经成熟的InP和GaAs技术，qcl已经显示出令人印象深刻的快速技术发展。自1994年成立以来，2QC激光器仅在几年后就实现了室温（RT）脉冲操作，并在2008年实现了连续（CW） RT操作。由于不断推动这项技术的工业化，由Cho首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与 ...
的考虑限制在半导体激光器上，半导体激光器的总体尺寸与LED相似，允许它们被纳入阵列中，而无需从根本上重新设计支持基础结构。实际上，LED和激光器在三个重要方面有所不同：（1）光谱分布（图1）（2）光输出生成效率（图2）（3）输出空间分布（图3）。激光的光谱带宽较窄（图1），这在荧光显微镜中并不特别重要，因为荧光染料和荧光蛋白的光谱带宽通常大于LED或激光。相反，是输出空间分布，方便地表示为光学扩展量（étendue）[1]，这主要区分LED和激光器的下游应用。一般来说，光学扩展量是器件的发光表面积与来自该面积的光的角发散度的乘积。因此，激光器的光学扩展量值比LED小得多（表1）。这使得LED主 ...
的单频可调谐半导体激光器，单频钛宝石激光器，单频染料激光器；用于波长锁定的石英真空腔，波长锁定电路，锁相环，锁相放大器，饱和吸收谱装置，高精度标准具，吸收稳频参考；用于移频的声光移频器（AOM，AOFS），PDH电光调制器，铌酸锂电光调制器，用于启偏的偏振光纤，以及用于波长精确测量的各种波长计等等。 ...
激光器、差频半导体激光器、THz晶体、THz天线、THz探针等。 ...
N，各种单频半导体激光器）；用于快速进行偏振态量子编码的高速电光调制器；用于量子计算的电子信号发生，分析任意波形发生器（AWG），高速量子随机数发生器，锁相放大器等。此外好像光电还提供各种量子光学实验演示装置，二阶相干度HBT测量仪，纠缠光子干涉度量实验系统，光粒子性/量子随机产生实验系统， Franson干涉实验系统等，以帮助研究工作者，研究生甚至本科生深入了解量子光学。 ...
于微谐振腔和半导体激光器技术等实现的小型化和芯片级光学频率梳。昊量光电提供各种光频率梳技术所使用的关键部件及完整的光频梳系统。包括：GHz飞秒光频梳、光学频率合成器、载波相位稳定测量仪、重频锁定光学锁相环等。 ...
半导体激光器封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。目前半导体激光器器封装主要包括，单发射腔封装、单阵列（通常称为巴条，Laser Diode Bar），多单管模组（各个独立的发光单元采用串联连接，并将模组各单个发光单元输出光束通过光学系统的会聚后耦合入光纤输出），水平阵列（HORIZONTAL STACKED），垂直叠阵（VERTICAL STACKED），面阵结构等。其中涉及到激光散热，光束整形，频率锁定，光纤耦合等多种技术及相关器件。 ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com
