中文：分布式反馈激光器；英文：distributed feed-back laser / DFB laser

Laser（分布式反馈激光器）多种分立波长将光栅级成在半导体激光器内部，光栅和激光器内部周期结构匹配进行模式筛选得一种激光器DBR Laser（分布式布拉格反射激光器）多种分立波长类似于DFB激光器，光栅位置不同，光栅位于激光器有源区之外vcselLaser（垂直腔面发射激光器）多种分立波长基于半导体层积技术得一种垂直于芯片表面发射得激光器，区别于以前半导体端面发射技术，光束质量及光斑会好很多，有多种分立波长一般都在红光到近红外波段SLED（Superluminescent Light Emitting Diodes）多种分立波长宽带激光器介于半导体激光器和半导体二极管的一种宽带宽的激光器，单 ...

薄膜铌酸锂电场传感器（本文译自Thin film lithium niobate electric fieldsensors（Seyfollah Toroghi ,Payam Rabieia)）1介绍电光电场(E-field)传感器在许多应用中都需要，例如天线近场表征，太赫兹信号检测，加速器中的带电粒子束表征，电网监测，和射频消融手术。电光方法是测量电场的zui佳方法之一，电场会导致电光晶体的折射率变化。然后可以用精确的测量设备检测到这种变化。由于电光材料是一种介电材料，它不会干扰或散射电磁场。此外，由于光纤电缆用于传输信号，任何附加的布线都不会吸收噪音，因此，探头可以在非常嘈杂的环境中使用， ...

，对于经典的分布式反馈激光器，在一定偏置电流下的输出功率强烈依赖于热沉温度，需要对激光功率进行监测和闭环控制，从而提高了激光封装的成本。如图5所示，VCSEL峰值功率随温度线性下降，但对于给定的驱动电流（例如，在这种情况下为5mA）几乎保持恒定，使激光功率保持在1mW左右。此外，5mA的调制带宽足以在0-85℃的温度范围内达到10Gb/s，这是通过优化35nm的模式增益偏移来实现的，从而在60℃时产生Min阈值电流Ith。图5 VCSEL输出的温度特性——功率、阈值电流和调制带宽。单模功率和带宽几乎恒定在5毫安驱动电流，冗余监控二极管。结论在这封信中，我们展示了具有改进的高速和高温性能的1.5 ...

趣。此外，与分布式反馈激光器（DFB）和SiPHotonics等竞争技术相比，VCSELs可能更便宜。使用1530nm的VCSEL和双分导前馈预强调驱动器，在无错误运行下，在2km范围内实现56Gb/s的不归零（NRZ）。为了应用高阶调制格式，需要前向纠错（FEC）编码。有人在1530nm的18gHz带宽VCSEL下，在高达2km的SSMF上展示了56Gb/sPAM-4。假设硬判罚（HD）FEC为7%，需要在接收端进行强大的均衡。在2010年，还有人演示了56Gb/s的PAM-4，误码率（BER）低于1E-6，用于光学背靠背（b2b），由4分频预强调驱动器和22GHzVCSEL在1533nm下 ...

明显的加热。分布式反馈激光器已经由与DFB-C工艺相同的材料制成。波导核心在有源区两侧包括InGaAs包层，以增加光约束。我们的dfb利用了波导的这一特性，在波导InGaAs包层中蚀刻一个周期图案，随后再生长InP低折射率层作为光波导的顶部包层。在另一种方案中，牺牲InGaAs蚀刻层在距离有源核心一定距离的地方生长，中间有一个InP缓冲层。这使我们能够使用选择性蚀刻，并在不影响有源区域的情况下通过InGaAs层进行蚀刻。埋藏异质结构的选择性生长和接触沉积完成了激光加工。图5图6单模器件的结果如图5所示，在15◦C下，我们从单个发射极获得了高达约Pout = 180 mW的连续功率。2毫米长的器 ...