s超稳定外腔半导体激光器，空间&光纤双输出！强势回归！！！外腔半导体激光器(ECDL)具有高度可控的发射特性，是相干光通信、光学和原子物理等领域的理想激光源。ECDL使用频率选择性反馈来实现窄线宽和可调谐性，通常使用Littrow或Littman–Metcalf配置的衍射光栅。有很多文献对ECDL的设计做出评论，提到了它许多的优点，包括线宽、被动稳定性、可调性、结构简单、紧凑等。在原子钟中的应用，原子相干过程，如电磁感应透明，和超快光纤通信的相干检测的新发展，需要远低于1MHz的被动激光线宽。一些研究已经介绍了重要的参数和贡献，注意到固有线宽取决于从外部腔的反馈。实验研究了腔长、功率、 ...
D、光导管或半导体激光器，也可以对这些光源技术进行组合。这可以根据zui终用户的应用对亮度、角度分布和辐照度的要求进行定制。根据这一定义，光引擎输出的光谱分布可以通过加法组合，而这与传统的宽光谱照明设备（电弧放电和白炽灯）形成鲜明对比。传统的照明设备产生的光谱分布在物理上是不变的，只能通过选择性的阻挡和衰减来调整。从工程学的角度来看，固态光源的第二个主要优点是，它的输出可以在强度（图2、图4）和时间（图4、图5）方面进行精确控制。因此，光谱输出单元件的差异很小（图2），这使得光引擎应用于不同成像系统时，所获得的数据质量能保持一致。图1.固态光引擎及其输出光谱的概念图。四个固态光源的输出被合并入 ...
是一种强大的半导体激光器，可以发射相干高准直MIR光，亮度高于FTIR和同步加速器。据报道，QCL的一些应用包括化合物的远距离检测，水溶液中蛋白质的传感，土壤中爆炸物的定量分析和土壤中石油的定量分析，以及化学反应的监测。由于QCL的高光功率，这些都是一些具有挑战性的条件，其中测量是可能的。由于高亮度，QCL比FTIR和NIRS需要更少的积分时间，以在更高的信噪比频谱中工作。由于QCL的高分辨率，在极低浓度和高选择性下对气体进行分析监测是可行的，这表明了该仪器的通用性。Ostendorf等人已经证明了漫反射模式下QCL在分析食品质量、检测花生中是否存在霉菌以及通过背反射测量远程检测爆炸物方面的能 ...
M重频的皮秒半导体激光器来激发被测物，需要测量如图1中的拉曼信号，尽可能的屏蔽掉其他非目标信号的干扰。图1但我们只需要第1ns的目标信号，隔绝1ns外的非目标信号，所以在SPAD Lambda的门编辑模式中设置2ns的SPAD工作门，并且激光同步信号和内部工作门信号的上升沿的延迟时间设置为99ns（99000ps），这样两个信号的关系就如同图2所示：图2探测器中的TDC会一直持续工作，但是SPAD只会在上一个激光周期的第99ns（空测）和下一个激光周期的第1ns（有效测量）工作，SPAD在其余时间均为不工作状态，可以有效的隔绝来自非目标信号的干扰，如果需要调整对于目标信号探测时间段，则可以通过 ...
激光器支架，半导体激光器和电控二维位移平台组成。图1 基于二维数控位移台的二维光学测试平台PSD在测试系统中主要用于静止/动态零位重复性，振镜反射镜与电机轴的不平行度测量，测量依赖于二维PSD两个方向的位置信息，二维PSD在x和y两个方向均具有对称性，因此我们只针对其中的x正方向进行测试，测试结果如表1所示。表1 二维PSD在x（0~5mm）方向的测试数据根据z小二乘法和对称性可以拟合计算出在-5mm~5mm量程范围内的拟合曲线，得到如图2所示的结果，计算可以得到PSD在x方向的非线性为0.7%，迟滞误差为0.1%。图2 二维PSD在x方向的数据和拟合曲线除了位置线性度之外，时间漂移也是一个较 ...
用于高带宽WDM-PONs的1.55um VCSEL阵列(1)-设备结构垂直腔面发射激光器（VCSELs）已被证明是波分复用无源光网络（wdm-pon）中具有成本效益的光源，近年来制造技术稳步发展，特别是单片一维（1-D）和二维阵列制造。爆炸性的带宽需求，特别是在上传和下载速度方面，将需要在接入网中采用WDM技术。由于电信系统的主要问题是连通性，因此未来的系统需要对称的上下游带宽。为了在未来实现有吸引力的市场条件，每带宽的成本必须大幅降低。在这里，我们描述并描述了一种一维VCSELs阵列结构，该结构可以在不进一步投资的情况下实现每个客户带宽的升级（从2.5Gb/s到潜在的80Gb/s甚至120 ...
用于高带宽WDM-PONs的1.55um VCSEL阵列(2)-设备属性与实验设备属性通常，单片集成的VCSEL阵列具有非常高的均匀性。我们也证明了我们的长波长阵列的这种行为。在图2中，我们给出了在室温下，没有任何主动冷却的情况下，测量到的112vcsel阵列的光输出-电流（L-I）特性。我们计算出了VCSEL阵列中所有激光器的光输出-电流-电压（L-I-V）和光谱特性非常均匀。1×12 VCSEL阵列室温下的L-I曲线请注意，器件之间没有热串扰，因为它们直接集成到金色散热器中。这些小孔径器件的输出功率通常在1.5mW左右。具有较大孔径的器件显示单模输出功率为几毫瓦，并在85℃时提供高于0dB ...
1.55μmVCSEL与增强调制带宽和温度范围-调制性能与高温操作调制性能由于光学谐振腔中的载流子和光子密度非常高，内部调制行为表现出更高的阻尼，因此低寄生对VCSELs尤为重要。因此，VCSELs的特点是具有较小的松弛振荡超调，可以补偿寄生滚转。在图3中，可以在很宽的温度范围内确定优越的调制性能。如图3(a)所示，3dB带宽在25℃时超过12GHz，在55℃时为11GHz，在85℃时为10GHz，如图3(b)所示。散点代表测量数据，而绘制的穿过线拟合到公式(1)，可以提取如图4所示的内在参数。在这里，我们展示了先前和改进设计的阻尼率与共振频率fR平方的关系，提取了-因子和阻尼偏移。通过速率方 ...
1.55μmVCSEL与增强调制带宽和温度范围-设备结构内部带宽超过20GHz的垂直腔面发射激光器（VCSELs）在近红外光谱中发射约850nm。然而，这个波段只能用于短距离；因此，长波长高速VCSELs的开发一直在不断努力，并不断改进。特别是具有埋地隧道结（BTJ）的长波VCSELs已显示出良好的效果和创纪录的高调制带宽。在讨论100-G以太网标准时，建议采用8×12.5Gb/s、6×17Gb/s和4×25Gb/s的并行方法，由于成本问题，更倾向于采用更高的串行带宽。7~8GHz的调制带宽足以满足10Gb/s的数据传输；因此，10GHz、13GHz和19GHz的激光带宽需要实现更高的数据速率 ...
色散补偿光纤的1.55μmVCSEL调制性能-高速特性与数据传输实验高速特性在芯片级验证了小信号调制性能，如图3所示。对不同偏置电流下VCSEL芯片的小信号频率响应进行了测量。测量使用HP8510C矢量网络分析仪与匹配校准的光电二极管。采用级联微探针对芯片进行探测，并利用标定基板对芯片平面进行标定。实线适用于三极滤波函数，包括弛豫振荡频率、本征阻尼和寄生。曲线拟合允许提取调制电流效率因子和热限制Max松弛振荡频率等几个固有参数。室温时带宽超过11GHz，85℃时带宽降至8GHz，足以满足10Gb/s的数据传输。室温下1.55um VCSEL的小信号频率响应实线适合于三极滤波器函数数据传输实验在 ...
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