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活性SERS衬底主要被开发为高活性SERS衬底。这主要是因为这些均匀的纳米多孔结构可以提供高曲率和狭窄的内纳米间隙，这在SERS衬底中被称为“热点”，导致更强的电磁场增强。例如，由金的脱合金制成的纳米多孔Au35A65合金表现出较强的SERS增强性，孔径小，表面疙瘩型不规则性细小。此外，纳米多孔金的SERS性能可以通过使纳米多孔金膜起皱来产生大量的纳米间隙用于电磁增强。纳米多孔Cu可以通过单相Cu的选择性腐蚀形成Cu30Mn70的HCl水溶液中的合金。在非常佳形貌下，纳米多孔Cu的SERS增强因子达到~1.85×105。有研究称通过Ag的化学脱合金化形成了纳米多孔Ag30Al70合金。增强系数 ...
高动态范围生物激发偏振成像仪摘要：偏振是光的三个基本特性之一，另外两个是颜色和强度，但大多数脊椎动物，包括人类，对这种光形态是盲目的。相比之下，许多无脊椎动物，包括昆虫、蜘蛛、头足类动物和口足类动物，已经进化到用高动态范围光敏细胞检测偏振信息，并在视觉引导行为中利用这些信息。在本文中，我们提出了一种高动态范围极化成像传感器的灵感来自于螳螂虾的视觉系统。我们的生物灵感成像仪在配备对数光电二极管的384 × 288像素上实现140 dB动态范围和61 dBMax信噪比。与有源像素传感器相反，单个像素中的光电二极管在反向偏置模式下工作，并产生高达~ 60 dB的动态范围，我们的像素通过在正向偏置模式 ...
机溶剂并降解衬底中的PVP。经过TFSI处理和退火处理的SiO2/Si衬底上印刷薄膜的拉曼光谱和光致发光(PL)光谱如图3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1处的两个拉曼峰对应于MoS2面内E1 2g和面外A1g的振动模式。 E1 2g和A1g之间的拉曼位移约为19.4 cm-1，表明MoS2纳米片层数较少。TFSI修饰后，A1g的波数增加了约2 cm-2。这种A1g模式的转变可以解释为TFSI修饰了MoS2表面的缺陷。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感，并且没有改变。在1.87和2.01 eV处的发射峰与PL谱中的A1和B1激子辐射一致。可以观察到TFSI处理后PL发射的显著增强 ...
明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合并提高器件的功率转换效率 （PCE）。然而，这种添加可能会影响空穴传输材料内的均匀性、亲水性和能级排列，从而对其他器件参数产生副作用。太阳能电池在器件架构中集成了HTL和有源层之间的界面层，这不仅可以保护活性层免受劣化，还可以促进和平衡电荷-载流子传输现象。理想情况下，空穴界面层应（i）易于制造，（ ...
oS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄层结构的贵金属半导体。由于其非凡的电学、化学、热学和机械性能，2D TMDs具有发展成为电路中下一代电子元件的巨大潜力，如晶体管、存储器、二极管等，以合理的成本生产高质量单层TMD的可扩展和可控技术对其工业应用至关重要。然而，晶圆规模和高质量的2DTMD生长在实践中 ...
米片用任意的衬底将其浸出水-空气界面，合成岛和纳米片。本文中采用原位拉曼光谱分析方法，研究了氢氧化钴和退火纳米片样品中活性相的性质。从样品中采集了原位光谱（图5a），显示了多个相关物种。值得注意的是，在大约500和15000px-1处观察到两个主峰，明确Co（OH）2的存在。在470和17000px−1处出现了与CoO相对应的特征峰。该光谱中其他的较弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.这些结果与TEM和XPS结果非常吻合。在退火样品的拉曼光谱中，Co3O4的特征峰尤其明显。具体来说，尽管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm−1）、Eg模式（~12000px−1 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（2）-Mems容器结构与加工1.半VCSEL结构BCB MEMS可调谐VCSEL的示意图如图1所示。它主要由两部分组成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一个基于AlInGaAs的有源区、两个InP热和电流扩散层、一个埋地隧道结（BTJ）和一个固定底部DBR反射镜组成。由两个重掺杂p-AlGaInAs和n-GaInAs层组成的圆形BTJ限制了结构中心的电流，以保证有源区域具有足够高的电流密度。为了实现高斯基模的高放大，增益曲线和光模之间的重叠必须是z佳的。这只能在束腰符合BTJ半径的情况下实现。因此，由于其不同的横向 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
离散小波变换连续小波变换公式如上所示，可以改变尺度s，从而改变信号的频率，也可以改变平移的参数。例如对于同样以信号如果对上述信号， 以MorletWavelet作为基底，做连续傅里叶变化连续小波变换的参数是模拟量，可以是无限多的，但实际并不是需要那么多参数。因此离散小波变换在上述公式的基础上，对公式进行离散化，不同参数之间通常是2的倍数。同样的信号，如果以MeyerWavlet作为母小波，层数设置为3， 使用离散小波变换，得到的结果为如下：离散小波变换原理如下，初始信号经过高通滤波器，得到高通信号（一阶细节信号）和一个低通信号（一阶近似信号），高通和低通滤波器带宽为。如果需要继续分解，则将低通 ...
相位偏折测量系统：解锁复杂光学元件的纳米级检测在精密光学制造领域，复杂自由曲面的高精度测量一直是技术挑战的核心。它的难点主要体现在3个方面。➽复杂曲面、离轴结构、半透元件……传统设备“测不全”，形变盲区成良率隐患；➽纳米级起伏即可引发光路偏移，但多数系统分辨率止步于百纳米量级；➽依赖恒温避振环境，工业现场振动、温漂直接“劝退”高精度检测。如今，昊量光电推出的相位偏折术/相位偏折测量系统（Phase-MeasuringDeflectometry,PDM），以纳米级精度（RMS 10-15 nm）解决了复杂光学元件（如自由曲面、离轴非球面）的检测难题。相较传统检测设备，其成本更低、操作更简便（3分 ...
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