中文：衬底；英文：substrate

包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有源阱。活性阱周期性地重复30-40次，并被厚的、低掺杂的、InP包层包围，在顶部触点下方有等离子体增强的约束层。图1图1显示了器件QCL-A的电光特性。这种情况下的波导尺寸为：width×length = 7.5 μm×4 mm。发射波长以λ = 6.14 μm为中心，Max输出功率为P = 1.25 W。高反射涂层可用于器件的单面发射。在电流为I = 1.2 A时，Max壁插效率（定义为器件的电光转换效率，不包括热电冷却器（TEC）所需的功率，η = Pout/Pin）为η = ...

氧化硅片作为衬底。材料堆在室温下使用磁控溅射系统（AJA ATC-Orion 8）沉积，基压为8 × 10−8 Torr或更高。在2.0 mTorr的溅射压力和0.68、0.62、0.37、0.30 Å/s的沉积速率下，采用直流沉积法制备了Pt、Ta、Ir和Fe材料。在3.0 mTorr的溅射压力和0.26 Å/s的沉积速率下，通过射频电流沉积Co。顶部和底部的Ta(5)层分别作为抗氧化和粘附的保护层沉积。添加了额外的Ir底层以为重复层提供类似的接口。随后，采用电子束光刻（Raith e-line）和离子铣削（带有Hiden SIMS元素探测器的AJA离子铣削系统）技术，制作了20 μm × ...

射工具沉积了衬底/Ta(5)/Pt(1)/[Co(0.3)/Pt(0.3)]5/Co(0.46)/Ru(0.4)/Co(0.6)/W(0.3)/CoFeB(0.8)/MgO(1.2)/CoFeB(1.2)/Pt(5)薄膜样品，每层厚度以纳米为单位在括号中表示，如图1a所示。图1b中的高角度环形暗场（HAADF）图像显示了堆叠中的光滑界面和高结晶质量。利用高分辨率亮场扫描透射电子显微镜（STEM）观察了具有清晰界面的单个层的外延生长。图1c中的高分辨率TEM （HRTEM）图像表明，获得了具有特定厚度的几乎完美的单晶连续薄膜堆栈。利用二次电子质谱（SIMS）分析了膜层中元素的分布和界面处的z小混 ...

与左半部分裸衬底进行比较，通过定制的ALD工艺，我们成功地实现了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元级生产。在此我们进行拉曼光谱和作图表征来评价薄膜的质量和均匀性（AUT-Nanobase-XperRamS）。图1c是ALD-Te的典型拉曼光谱，在141、122和2325px-1处分别表现出相应的E2、A1和E1振动模式。三种振动模式与晶体Te的振动模式一致，表明链内共价键和vdW耦合的连间键形成良好。共聚焦拉曼mapping是在整个元片上选取20个分散的具有代表性局部区域图进行检测，检测条件为单个面积为20μm×20 μm，步进为1μm。E2和A1模式的合并图显示了在晶元 ...

/p+-Si衬底上的底部电极(L1/L2/L3 = 0.5/1/2 μm，30 nm厚的Au)。通过光学显微镜和原子力显微镜（AFM）确定的适当选择的显微机械剥离的WSe2多层膜，干转移到底部电极上。 然后利用电子束光刻，制作垂直排列的顶部接触电极（115 nm厚Au）。制造器件的各种通道几何信息精确地由原子力显微镜，如通道厚度（tWSe2≈15 nm，对应于大约18-19层）、长度（L1/L2/L3=0.5/1/2 μm）和宽度（W=6.5μm）。 然后利用532 nm的激光激发波长（λEX），激光功率(P)为0.5 mW)AUT-Nanobase-XperRamC共聚焦显微拉曼光谱仪系统， ...

其他现象，如衬底效应、部分或倾斜照明、微球部分浸入和相干照明效应等，都被认为在较小程度上有助于微球分辨率。微球成像使物体的分辨率远远超过常规分辨率限制的确切物理机制仍然是一个争论的来源。然而，普遍的共识指向一个复杂的理论，其中所有先前描述的现象都在一定程度上起作用，使微球超分辨率显微镜成为一个令人兴奋和有大好前途的领域。目前，科学家们正在利用在应用微球成像领域的领xian地位，研究一种新的理论，探索这些提出的因素对微球成像物理的影响。昊量光电推出了来自英国的Nanoro M超分辨光学微球显微镜，作为新型光学显微镜，采用微球技术（SMAL），突破光学衍射极限，实现超分辨（<100nm）光学 ...