n掺杂InP衬底中具有高的自由职业吸收而具有很高的损耗。由于在太赫兹范围内相对于中红外指数(nmidir)有更快的频率依赖有效指数，模态相位匹配只能在相对较窄的频率范围内满足。为了克服这一限制，可以用半绝缘的InP衬底代替有损耗的衬底，并使用Čerenkov相位匹配方案从腔中提取THz光，如图9(b)[41,42]所示。在Čerenkov构型中，QCL有源区的THz指数(nTHz)高于中红外指数，因此基波中红外波的传播速度快于DFG太赫兹波。这种相位匹配方案，加上复合DFB阵列设计，允许产生宽范围的单模太赫兹，即达到1.0至4.6太赫兹(图10(c))。图10.室温下高峰值功率(a)、连续波工 ...
法在SiO2衬底上合成了单层单畴四方三形状的MoS2薄膜一个区域的拉曼光谱成像。此三方MoS2薄膜的尺寸为~30um。MoS2薄膜的拉曼光谱通过两个主峰进行表征。一个被指认为E_2g^1模式（对应于在x-y层面Mo和S原子的振动模式），一个被指认为A_1g模式（对应于单胞中z轴方向两个S原子的振动模式）。峰的精确位置对应于E_2g^1和A_1g的振动模式，并且强度的比值依赖于MoS2样品层的厚度。从图1（a）和（b）拉曼光谱频率图像中可知，E_2g^1和A_1g峰的位置分别位于384cm-1和405cm-1。这些峰确定了合成的三方薄膜确是MoS2原子薄膜。值得注意的是两个峰的频率差为21cm- ...
mm MgO衬底上制备楔形Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Ru/[Co/Pd]3/Co/Ru SAF薄膜，在基底真空优于8.0 × 10−5 mTorr的条件下，工作氩气压力为3 mTorr。楔形Pt层是在沉积过程中通过移动挡板生长的。采用电子束蒸发法制备了Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Pd铁磁堆，基压为5 × 10−6 mTorr。设备是通过标准光刻和随后的氩离子铣削的方式。磁化和输运测量在5 μm通道宽度的霍尔十字槽中，通过四点测量，在室温下对异常霍尔效应和电流诱导磁化开关进行了研究。磁畴图像和磁滞回线是使用VERTISIS MagVision Kerr成像系统捕获的，该系统利用 ...
积到熔融石英衬底上。随后，使用EBL将超表面图案定义到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA）光刻胶里。在接下来的步骤中，图案首先通过剥离转移到铬(Cr)硬掩模，然后通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)进一步转移到Si层。然后可以通过湿蚀刻剂去除Cr掩模。光刻胶旋涂在样品上。在第二部分中，通过光刻、电子束蒸发和剥离的一系列过程，铝掩模使用对准标记在超透镜孔径外部精确地形成。实验结果：(1)a到c为传统的焦距为30mm的平凸透镜成像，孔径半径分别限制在1、2.38、2.7mm。d到i为合成孔径超透镜成像及图像重建。(2)800nm近红外拍摄。b、c分别为孔径半径为1mm和2.38mm的传统透镜 ...
拉曼多组分分析的技术方法拉曼光谱是基于单色光的非弹性散射，是一种可以用来识别特定化学键的强大技术。当入射光子和化学分子相互作用时，就会发生光子散射。大多数散射光子是由瑞利散射(一种弹性散射形式)产生的，并且与激发激光具有相同的波长。一小部分被散射的光子是由称为拉曼散射的非弹性散射过程产生的。虽然与瑞利散射光子相比，光子的数量相对较少，但这些光子的波长和强度携带有关特定化学键存在的定性和定量信息。在给定的拉曼光谱中，出现在特定波数位置的一组峰可以被描述为识别特定化学物质的“指纹”，同时，峰的高度可以与这种化学物质的浓度有关。多组分分析是拉曼光谱的应用之一。在过去的二十年里，许多研究小组提出了光学 ...
20)和两种衬底立即在倒置显微镜下对准和密封。组装的装置包括宽150米、高65米的主流通道、上游位移（平行点）和下游阻抗（45◦交错）电极阵列（图2）。为了进行实验，使用平行点电极阵列对流体界面进行电场作用，并在不同的电场频率下强迫fDEP移位(图2b-d)。当流体离开第一个位移阵列时，界面应力停止了。由于惯性对流动的影响很小(Re < 1)，流体界面在退出fDEP数组后，立即保持固定在移位位置。然后，我们通过使用第二个交错电极阵列测量阻抗的大小来确定偏转位置[1]。3.2实验物品介绍液体界面由两种流体组成，每种流体具有不同的电导率(σ)和介电常数（ε）。当被迫以低雷诺数并排流动时，这两 ...
。集成到智能衬底中的温度探头不仅确保了可靠的测量条件，甚至能够感知薄层中的相变。神经科学细胞功能以及细胞间的通讯都依赖于温度。特别是神经科学实验非常依赖于对环境条件的精确和准确的控制，例如对突触功能、其可塑性或动作电位传播的研究。在这里，VAHEAT提供了一个不错的解决方案，在用户定义的温度下进行基于荧光甚至膜片钳的实验，而不需要庞大的孵育室。原子力显微镜原子力显微镜(AFM)不仅对小的热漂移或振动高度敏感，而且对靠近悬臂的电势的轻微变化也非常敏感。VAHEAT满足了这些温度控制的高要求。局部加热机制避免任何热漂移或波动，而全模拟电子电路设计降低电子噪声到较低限度。采用DIRECT模式进一步降 ...
，并呈现出从衬底向上延伸的柱状结构。不过，随着薄膜变厚，晶体尺寸增加，而缺陷和晶界的数量减少。这意味着较厚薄膜的外层通常比初始形核层的质量要好得多。下文中会提到的在金刚石薄膜用作热管理散热器件时，通常将薄膜与其基材分离，底部的 50-100 um 是通过机械抛光去除。尽管如此，在 CVD 过程中获得的金刚石薄膜的表面形态主要取决于各种工艺条件，导致其性能表现个不一致，相差很大。这也为作为散热应用中的一些参数测量，例如热导率等带来了很大挑战。金刚石薄膜的热管理应用金刚石薄膜在作为散热热管理材料应用时，有着不错的前景，与此同时也伴随着巨大挑战。一方面，而在热学方面，金刚石具有目前所知的天然物质中Z ...
杂InP:S衬底上生长出具有100次重复活性注入区的应变平衡InGaAs/InAlAs激光结构。电致发光器件采用深蚀刻、直径130µm的半圆形平台，顶部触点为Ti/Pt/Au，底部触点为退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆盖Ti/Au。将Fabry-Perot激光器制作成双沟槽深蚀刻脊波导激光器，采用380nm SiNx作为侧壁绝缘，并向下安装在复合金刚石底座上。为了进行测试，所有的台面和激光设备都安装在AlN上的直接结合铜衬底上。电致发光(EL)光谱在不同温度和脉冲电流(80kHz重复频率;脉冲宽度100-500ns)，使用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪进行步进扫描模式和ln2冷却MCT探测 ...
。取下后，将衬底薄至~200 μm，通过电子束蒸发沉积20/200 nm的Ge/Au底金属接触层。然后将器件安装在外延侧的铜散热器上。图3由于前面倾斜，采用远场测量来确定发射角。如图1(c)所示，8毫米和12毫米器件的远场测量是在低于阈值的条件下进行的，温度为~2.6 A，温度为80 K，使用液氮冷却的HgCdTe探测器。与先前报道的器件一致，两种器件的光发射在正角方向上呈现两个峰，8mm和12mm器件的半z大全宽(FWHM)分别为~15°和~ 35°。在将器件旋转到与其各自的峰值发射相对应的角度后，这些器件的光、电流和电压(LIV)特性在脉冲模式下以电流脉冲宽度进行100纳秒，重复频率5千赫 ...
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