中文：晶格匹配；英文：lattice match

统中制作的，晶格匹配于InP衬底这种特殊的材料系统的导带偏移量(量子阱深度)为520 meV。这些基于InP的器件在中红外光谱范围内达到了非常高的性能水平，实现了高于室温的高功率，连续的波发射。1998年，Sirtori等人实现了GaAs/AlGaAs QCLs，证明了QC概念并不局限于一个材料系统。这种材料系统的量子阱深度随势垒中铝的含量而变化。虽然基于GaAs的QCL在中红外波段的性能水平无法与基于InP的QCL相匹配，但它们已被证明在太赫兹频段非常成功。QCLs的短波长限制是由量子阱的深度决定的，近年来，为了实现短波长发射，在具有非常深量子阱的材料系统中开发了QCLs。InGaAs/Al ...

区域被设计在晶格匹配的Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As中，这样就可以在没有应变松弛[28]的情况下生长由许多核组成的非常厚的宽带结构。虽然这能成功实现的较长波长发射，但在较短的波长晶格匹配QCL性能恶化[4]。应变平衡结构可以解决这一问题，但由于阱和势垒宽度的不同，应变水平和材料组成通常随发射波长而变化。在标准MBE反应器中，通过改变积液细胞温度来动态地改变单个生长过程中的组分，将导致生长速率和组分的不确定性。这将导致单个核的发射波长的不确定性，阻碍实现无间隙的宽发射光谱。因此，如果在所有波长都能保持高效率，那么宽频带QCL中所有核心的材料组成都保持恒定的替代设计方案 ...

的点上，而且晶格匹配合成条件可以减弱MoS2的晶格应力。并且，在合成过程中，晶格匹配的GaN可以控制面缺陷的形成。图2. MoS2畴左边的光谱图像和右边的相关角度分析点图在基底（a）SiO2，（b）Al2O3和（c）GaN上；左边图谱的出去谱图显示了畴方向的参考，右边显示了单个MoS2畴的相关方向相关文献：Woanseo Park, Hyung Joon Kim, etc. Domain Aligned Growth of Molybdenum Disulfide on Various Substrates by Chemical Vapor Deposition[J]. Science of ...

dWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，结合了不同2dm的优点，为新功能的设计提供了巨大的机会。为了识别2DMs和vdWHs的各种基本性质，需要一种方便的原位表征技术。在众多的表征方法中，拉曼光谱是一种快速、无损的表征方法，具有较高的空间和光谱分辨率，在实验室和大规模生产中都很适用。一般来说，2DMs中晶格振动(即声子)的拉曼峰具有几个突出的特征，包括线的形状、峰的位置(Pos)、半Z大值处的全宽度(FWHM)和强度(I)，这些特征包含了描述2DMs的物理和化学性质的有用信息，如量子干涉、声子频率、中间态和拉曼过程的衰减率、电子-声子耦合、电子态等。根据晶格振动的原子位移，在2DMs中有两种拉 ...

限制。例如，晶格匹配对异质结构施加了限制，因为具有非常不同晶体结构的材料在组合时不能很好地耦合。传统的半导体也倾向于形成三维结构，使得不配对的键更容易存在于表面。这些悬空键不仅使这些系统中的表面物理更加难以控制，而且使这些材料的薄膜变成准二维(2D)结构。幸运的是，在过去的二十年里，一种新的材料出现了，它具有真正的二维性质和光学定向自旋的能力。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类 ...

能够充分利用晶格匹配和应变补偿InGaAs/InAlAs材料的带隙偏移，而MWIR激光器需要高应变生长以改善电子约束，从而提高电流注入效率。这种MWIR设计方法的缺点是需要高偏置电压，这反过来又有助于产生更大的热功率。LWIR范围内的典型工作电压（7-10 V）明显低于MWIR范围（10-15 V），从而使应用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能带结构如图3所示与InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的带偏移估计为βECB = 0.52 eV，激光发射波长为λ = 9.1 μm（对应βEL = 0.136 eV）。考虑到激光顶部水平应在远离传导带连续体(例如,至少βEConf = 0.1 ...