。根据波长、衬底折射率、折射率差、通道的宽度和深度，可以激发一个或多个横向振荡模式。单模操作是非常有价值的，因为它是许多集成的光学元件的功能。集成光学元件特别是在光通信技术中通常配备光纤，线性电光效应，也称为波克尔效应，是一种二阶非线性效应，包括在外加电场时光学材料折射率的变化。折射率的变化量与电场强度、其方向和光的偏振率成正比。制造集成光调制器的shou选材料是铌酸锂（LiNb3）。如果使用长度为L的电极将电场施加于电导，则电极之间区域的折射率会发生变化，从而产生引导光的相移，相移与所施加的电压会呈线性关系。图2：相位调制器图3：相移这相当于几伏特，在给定的电极几何形状下；对于较长的波长，它 ...
膜层的体积比衬底小，因此有效射频介电常数近似等于衬底介电常数。石英的介电常数比铌酸锂的介电常数小20倍。因此，通过在低介电常数衬底(如石英)上使用TFLN波导，可以实现显着高于具有相同相互作用长度的体或波导传感器的灵敏度水平。此外，TFLN传感器允许太赫兹信号和光信号之间的相位匹配以前，使用相位匹配的TFLN波导调制器已经在实验中实现了高达太赫兹的调制速度在TFLN平台中，太赫兹信号的有效折射率几乎等于SiO2(或石英衬底)的折射率(在波长为1550 nm时为~ 2)，并且不受亚微米厚TFLN的影响。该折射率接近于通过TFLN波导的光导模的有效折射率。因此，在太赫兹信号和光信号之间更容易实现相 ...
熔融二氧化硅衬底上制成，工作波长为1550nm。输出MMI 2×2结合这些两相调制信号并产生强度调制信号。该传感器是用x切割LiNO3制造的，其中异常轴在平面内，平行于传感器芯片的表面(图1c)。激光探测光以TE模式在光波导中传播，激光的电场方向与表面平行。太赫兹波的电场平行于异常轴。太赫兹波和光波都共线传播。对于这种安排，MZI的输出由式(1)描述:式(2)中，c为光速，ωopt = (2πc/λ)为探测激光的光频，ne = 2.15为LiNO3在λ = 1550 nm处的非凡折射率。LiNO3的电光系数为r33 = 30.9 pm/V。太赫兹波电场大小为ETHz，干涉仪臂长度为1，传递函数 ...
层将是Si 衬底/3000nm PR。这里PR 将是步骤1 中定义的光刻胶材料。步骤 3. 进行测量测量实际上是一个两步过程：数据采集和数据分析。它们由 TFCompanion 软件透明地处理。在第1次测量期间，可能会也可能不会得到完美的结果——需要调整胶片叠层。如果光刻胶的厚度足够厚（> 1um），可以从厚膜（基于FFT）算法开始。一旦确定了厚度，就可以使用曲线拟合（MarquardtLevenberg 算法）对filmstack 进行微调。此时，根据光刻胶的处理/条件（完全烘烤、未烘烤、部分烘烤等），方法略有不同。如果光刻胶完全烘烤并且柯西系数正确，则无需执行任何操作。否则，需要调整 ...
型，与测量的衬底数据相比较，底部的面板显示了PETN折射率的实际复分量。在所有三个帧中，竖线都被绘制以突出所有三个图中的相似特征。在讨论PETN擦除后的不同表现之前，首先要注意的是，PETN很容易被异丙醇溶剂溶解。因此，擦干后留下的残余PETN很可能是含有炸药的异丙醇薄膜蒸发掉的结果，在键盘键上留下了一层化学薄膜。因此，在这种情况下，PETN的反射光谱应该是作为薄膜而不是作为稀疏的粉末来建模。图5右侧的面板演示了为什么这种方法是成功的。利用PETN的复折射率数据计算光滑表面的镜面反射，结果表明，顶板PETN的实测反射光谱与中心板PETN的模拟光谱匹配良好。复杂折射率数据中的相同特征在右侧面板上 ...
高分辨率微型FTIR光谱仪由大型线性行程MEMS弹出式反射镜实现1．光学质量为了在中远红外光谱区域达到所需的反射率，静止和移动的镜子都需要涂上大量的金属，特别是金(Au)。过去，在氢氟酸(HF)中释放之前和之后，确定了典型晶圆级镜面金属化的两个主要技术挑战:(1)由于与必要的粘附促进剂相关的额外残余应力，镜面曲率大幅增加;(2)电子电偶腐蚀，在HF水中，金和多晶硅之间的电极电位差导致多晶硅镜面优先腐蚀，从而产生显著的结构不稳定和晶粒结构扩大。图1为了应对这些挑战，ChemPen™开发了一种可替代的释放后金属化技术，该技术消除了高压粘附层的使用，进一步为电子电偶腐蚀提供了基本解决方案。使用定制的 ...
以减少MCP衬底的排气。尽管mcp - mpt作为拉曼探测器似乎已经过时了，但它们的灵敏度令人满意，具有合适的时间分辨率，并且它们的发展与其他应用相关。例如，zui近的进展表明，mcp - mpt是荧光寿命成像的合适探测器。2. CCDs and ICCDs一般来说，ccd是RS中特别常用的检测器变体，但对于TG设置，它们需要高度敏感(单光子计数能力)，允许快速外部触发，并具有亚纳秒范围内的时间分辨率。iccd符合这些要求。光学克尔门控，它的作用就像光谱仪入口狭缝前的一个光百叶窗，已经被几个小组用来触发CCD。这种设置需要空间，因此限制了系统的可移植性。Talmi制定了拉曼多通道和门控检测的选 ...
延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。基本结构是先前发表的高速1.55um VCSEL结构，单片集成到一维阵列结构中，光刻定义的间距为250um。对于高带宽的电信应用，保持较低的寄生电容是必不可少的。这导致如图1所示的结构，具有10um厚的低介电常数钝化苯并环丁烯，市售名称为Cyclotene 3022-57。该装置本身只有30um宽。芯片的p侧触点可以在设备的顶部和底部进行访问，以实现各种安装方式。在制造过程中，去除InP衬底，并集成电镀金散热器。顶部和底部镜面分别由33.5对InGaAlAs-InAlAs和3.5对附加Au涂层的CaF2-ZnS组成。有源区包括七个由拉伸应变势垒分隔的压缩 ...
于在硅或石英衬底上转移晶体离子切片薄层铌酸锂。我们的技术采用离子注入、晶圆键合、晶体离子切片等方法制备铌酸锂单晶薄膜。用这种方法制备的薄膜是单晶的，其光学和电光性质与大块单晶晶体相同。图2展示了我们基于铌酸锂薄膜平台的铌酸锂电光调制器的制造流程。薄膜铌酸锂脊形波导是通过干法蚀刻已沉积的SiN或直接蚀刻LN形成的。在本文的实验结果中，我们使用了混合SiN-LN波导结构。在形成MESA结构后，涂覆聚合物层，然后在电极位置进行蚀刻。射频电极zui终通过剥离工艺形成。波导结构由铌酸锂核心区域的薄层、二氧化硅（SiO2）底部包层，以及折射率匹配的肋区域（在这种情况下是硅氮化物）组成。波导、多模干涉器（M ...
延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL结构是其他高速器件的改进版本，具有优化的有源区域、失谐、镜像反射率和掺杂水平。激光芯片的示意图如图1所示。BCB用作低介电常数钝化，以实现高速运行。外延输出镜由32对无基波吸收的InGaAlAs和InAlAs组成。为了在高温下实现高速运行和足够的增益，有源区由7个厚度为6纳米的重应变InAlGaAs量子阱组成。在接近临界层厚度的边缘处，将应变调整为压缩应变的2.5%（拟晶）。这将提高增益和差分增益，从而实现低阈值电流和高弛豫振荡频率。模式增益偏置针对高温行为进行了优化。因此，可以得到负T0值，即该器件在60℃散热器温度时阈值电流 ...
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