−3 InP衬底上。活性区有30个活性/注入器堆栈，平均掺杂从原来的21016 cm - 3减少到标称的1.61016 cm- 3。InGaAs波导层的厚度从0.3增加到0.4 um， InGaAs波导层中的掺杂水平从81016降低到5 1016 cm−3。包层由2.5 um的InP（掺杂斜坡为51016 ~ 11017 cm−3）、0.5 m厚的InP等离子体增强约束层和重掺杂InGaAs接触层组成。这与原包层设计的2 um掺杂范围为11017 ~ 3 1017 cm−3的InP加上1 um重掺杂的InGaAs帽层进行了比较。图1经过深入的生长条件优化，可以从这些器件结构表征中证明良好的材料 ...
材料的InP衬底上生长激光结构。图3图2(a)为QC激光器端部在蚀刻短沟槽后的扫描电子显微镜（SEM）图像，图2(b)为用铂填充沟槽后的相同器件。首先，我们使用100 ns宽度和5 kHz重复频率的脉冲，通过测试蚀刻前后激光器的不稳定性，研究了未填充沟槽的影响。实验装置如图4的顶部插入所示，包括一个准直透镜。，焦距¼1.5英寸。另一个相同的透镜将准直光束聚焦到室温碲化汞镉（MCT）探测器上。我们从接收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，达到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脉冲变得不稳定，导致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。这表明蚀刻收缩引入的散射不足 ...
活性SERS衬底主要被开发为高活性SERS衬底。这主要是因为这些均匀的纳米多孔结构可以提供高曲率和狭窄的内纳米间隙，这在SERS衬底中被称为“热点”，导致更强的电磁场增强。例如，由金的脱合金制成的纳米多孔Au35A65合金表现出较强的SERS增强性，孔径小，表面疙瘩型不规则性细小。此外，纳米多孔金的SERS性能可以通过使纳米多孔金膜起皱来产生大量的纳米间隙用于电磁增强。纳米多孔Cu可以通过单相Cu的选择性腐蚀形成Cu30Mn70的HCl水溶液中的合金。在非常佳形貌下，纳米多孔Cu的SERS增强因子达到~1.85×105。有研究称通过Ag的化学脱合金化形成了纳米多孔Ag30Al70合金。增强系数 ...
机溶剂并降解衬底中的PVP。经过TFSI处理和退火处理的SiO2/Si衬底上印刷薄膜的拉曼光谱和光致发光(PL)光谱如图3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1处的两个拉曼峰对应于MoS2面内E1 2g和面外A1g的振动模式。 E1 2g和A1g之间的拉曼位移约为19.4 cm-1，表明MoS2纳米片层数较少。TFSI修饰后，A1g的波数增加了约2 cm-2。这种A1g模式的转变可以解释为TFSI修饰了MoS2表面的缺陷。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感，并且没有改变。在1.87和2.01 eV处的发射峰与PL谱中的A1和B1激子辐射一致。可以观察到TFSI处理后PL发射的显著增强 ...
明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合并提高器件的功率转换效率 （PCE）。然而，这种添加可能会影响空穴传输材料内的均匀性、亲水性和能级排列，从而对其他器件参数产生副作用。太阳能电池在器件架构中集成了HTL和有源层之间的界面层，这不仅可以保护活性层免受劣化，还可以促进和平衡电荷-载流子传输现象。理想情况下，空穴界面层应（i）易于制造，（ ...
oS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄层结构的贵金属半导体。由于其非凡的电学、化学、热学和机械性能，2D TMDs具有发展成为电路中下一代电子元件的巨大潜力，如晶体管、存储器、二极管等，以合理的成本生产高质量单层TMD的可扩展和可控技术对其工业应用至关重要。然而，晶圆规模和高质量的2DTMD生长在实践中 ...
米片用任意的衬底将其浸出水-空气界面，合成岛和纳米片。本文中采用原位拉曼光谱分析方法，研究了氢氧化钴和退火纳米片样品中活性相的性质。从样品中采集了原位光谱（图5a），显示了多个相关物种。值得注意的是，在大约500和15000px-1处观察到两个主峰，明确Co（OH）2的存在。在470和17000px−1处出现了与CoO相对应的特征峰。该光谱中其他的较弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.这些结果与TEM和XPS结果非常吻合。在退火样品的拉曼光谱中，Co3O4的特征峰尤其明显。具体来说，尽管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm−1）、Eg模式（~12000px−1 ...
图1a通过在衬底/X/Pt/Co/Ti异质结构中衬底和Pt之间插入种子层X，展示了衬底/X和X/Pt的界面。当电荷电流沿Pt层x方向流动时，自旋向上和自旋向下的电子通过体SHE向相反方向散射，产生沿y方向排列的极化py的自旋电流。在进入Co层后，自旋电流对Co的磁矩施加抗阻尼转矩τDL≈mx （M × py）和类场转矩τFL≈M× py。由于Pt的自旋扩散长度（1.6 ~ 3 nm）小于种子层的厚度X和Pt，因此基片/X界面的自旋散射可以忽略，从而导致从基片/X界面反射到Co层的自旋可以忽略。因此，在这种特殊的异质结构中，X/Pt界面的自旋散射而不是衬底/X的自旋散射是主要的。图1b显示了Mg ...
D）在InP衬底上生长了QCL结构，该结构由低损耗的InP基波导包层组成，包层位于43个重复的注入/活性区序列之上。每个注入区掺杂片密度为1*1011cm-1。采用传统的III-V型半导体加工技术制备了脊宽为13.5 ~ 21.5 mm的脊波导激光器。采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积0.3 mm的SiOx绝缘层，通过电子束蒸发沉积30 nm/300 nm的薄钛金顶部金属触点，然后将衬底减薄至200 mm，并沉积20 nm/200 nm的锗金底部金属触点。直径为190 mm的圆形平台样品（用于电致发光和电子传输测量）由相同的晶圆使用类似的技术制造，除了不需要SiOx绝缘层。激光器 ...
子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好控制生长参数。用极化子C-V测试来监测结构中的掺杂情况。采用高分辨率扫描电子显微镜（SEM）和诺玛斯基显微镜（Nomarski microscope）技术对生长的 ...
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