中文：中心波长；英文：center wavelength

宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制(1)-简介自1977年Iga首次提出垂直腔面发射激光器（VCSEL）以来，为了使其成为光通信中具有竞争力的高速光源，已经进行了大量的发展。发射波长在850nm左右的GaAs VCSEL由于具有高调制带宽和光输出功率，已经成为部署在多模光纤局域网中的主导光源。报告的z高数据速率可达71Gb/s，适用于链路长度<100m的数据中心应用。另一方面，在1300-1600nm波长范围内发射的长波长VCSEL在电信领域也取得了显著的成熟水平。对于快速发展的应用，如计算机通信、接入网、无线基站之间的互连和通信，它们是非常有吸引力的光源。与传 ...

1550nm中心波长周围的120nm波长范围内的反射率为>99.5%。每层的光学厚度为λ0/4（中心波长λ0=1550nm）。由于DBR提供了宽阻带，因此强烈鼓励选择介电材料。值得一提的是，MEMS的热膨胀对反射率阻带的影响可以忽略不计。图2 低温PECVD沉积表面微机械MEMSDBR的工艺流程制造步骤在图2中简要说明。首先沉积一层λ0/4厚、折射率n=1.7的介质增透涂层（ARC）。对于没有电弧的MEMS VCSEL，随着气隙的增加，反射相移发生得更快，因此，与带有电弧的MEMS VCSEL相比，FSR更小。由于FSR是连续调谐的zui终限制因素，因此，对于需要非常宽的调谐范围的应用来 ...

续单模调谐，中心波长为1554nm。在1584nm的发射波长处，激光模式与下一个高阶纵向模式竞争，当MEMS电流高于27mA时，纵向模式zui终在1524nm处开始激光。排放峰值随加热功率的变化如图4(b)所示。依赖于Lair的发射波长λ与加热功率P热成正比，也与调谐电流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω为MEMS电极的欧姆电阻。由于工艺相关问题，ARC部分蚀刻。因此，激光器无法调谐到整个FSR，该MEMS VCSEL的FSR为94nm。值得一提的是，FSR可以通过进一步减小牺牲层的厚度来提高，从而使半VCSEL和MEMS DBR之间的初始气隙变小。光输出功率(P)和电压(V)随 ...

，调谐范围的中心波长与边缘波长相比具有更低的功率惩罚（参见图11中1527和1582nm的BER曲线），这符合器件的小信号调制响应趋势（中心波长具有更大的3dB带宽S21）。图11 BTB 10Gb/s OOK直接调制的误码率性能与接收光功率的函数关系为了获得1550nm电信波长附近的可调谐发射，通过表面微加工将基于SiNx/SiOy的宽带反射率MEMS DBR集成到BCB封装的高速半VCSEL中。本文介绍了PECVD生长MEMS的制备方法。通过电热驱动MEMS电极，实现了60nm的宽调谐，中心波长为1554nm。在1550nm处，MEMS VCSEL的光纤耦合Max输出功率为1.42mW。半 ...

3.4%。中心波长为λ = 7.85 μm，特征温度为T0 = 145 K。阈值电流对温度的灵敏度越小从QCL-A到QCL-C器件的T0值的增加可以部分地证明，由于较长波长激光器中较高激光能级的能量较低，更小比例的热电子损失到传导带连续体中，从而提高了注入效率。图4QCL-D器件的发射特性如图4所示。对于宽度为12 μm，长度为4 mm的器件，在λ = 8.9 μm的中心波长处，激光器的总输出功率为>.8 W（无涂层的两个面输出之和）。在15◦C连续工作时，典型的功率转换效率约为η = 4%，特征温度为T0 = 149 K，与以前器件在更长波长的情况下观察到的T0增加一致。图4和图2中 ...

m带宽。激光中心波长为637 nm（红色）和748 nm（近红外）。（d）由CELESTA光引擎（Lumencor, Beaverton, OR）产生的光通过直径为1.5毫米（NA = 0.39）的多模光纤传输后的角度分布。激光中心波长为405 nm（紫色）、477 nm（青色）、545 nm（绿色）和639 nm（红色）。（e）由CELESTA光引擎（Lumencor, Beaverton, OR）产生的光通过方形0.4毫米×0.4毫米（NA = 0.22）的多模光纤传输后的角度分布。激光中心波长为405 nm（紫色）、477 nm（青色）、545 nm（绿色）和639 nm（红色）。（f） ...