门控拉曼光谱仪的设置和测量原理门控拉曼光谱仪的组成和典型设置如图1(a)所示。执行门控拉曼的基本组件是具有合适的重复率、脉冲宽度和脉冲能量的脉冲激光激发源。大部分脉冲激光能量聚焦在样品光斑上用于激发，但一小部分用于通过延迟发生器使门控信号与检测序列匹配，并用于与探测器时间同步。主要组件如下:一个脉冲激光器(通常在皮秒时间范围内)，具有快速重复率(通常在兆赫范围内)，一个延迟发生器，通过光电可调延迟设置同步到探测器-光谱仪单元，以及一台计算机，它作为控制器和测量装置。图1(b)显示了TGRS的时间分布，具有可调节的时间门和伴随的荧光抑制。根据图1(a)所示的工作原理，探测器仅在发射脉冲期间被激活 ...
前的商用TG拉曼光谱仪提供的光谱分辨率约为5 (cm−1)波数，而一些基于CCD的系统可以达到1 (cm−1)以下。然而，大多数应用不需要子波数分辨率。5. TG拉曼spad探测器发展综述Blacksberg等人和Nissinen等人在2011年首次展示了SPAD技术在TG RS中的应用。Nissinen小组使用300 ps脉冲Nd:YAG微芯片激光器的上升沿，在532 nm激发波长下，触发延迟发生器和定时电路，以启用SPAD，检测一个SPAD元件上收集的拉曼光子。2013年晚些时候，Kostamovaara等人使用了类似的设置，证明了对于大多数样品诱导的荧光抑制方案，大约100 ps的门控时 ...
不会干扰门控拉曼光谱结果，并且在荧光存在下提高了弱拉曼信号的信噪比。此外，他指出，样品中的同步荧光过程限制了拉曼检测，门控原理允许使用短门控时间，并且可以接受更高的暗电流检测器，例如未冷却的pmt。同年，Harries等人首次将TR实验中的荧光背景抑制水平与在992 cm−1荧光团掺杂的苯拉曼带上连续激发的水平进行了比较。当时的激光系统和探测器需要大型、复杂的设备，需要非常精确的设备校准。到1985年，Deffontaine等人正在测试皮秒(ps)时间门控的主动和被动方法，目的是结合同步条纹相机检测和光学Kerrgate来提高信噪比;然而，他们注意到这种方法的适用性有限。同年，Watanabe ...
S)和减位移拉曼光谱，两者都需要在光谱采集之后进行额外的步骤。将传统的连续波拉曼系统转换为基于CCD光谱仪的SERDS设置只需要小小的修改，即合并两个稍微波长移位的激光激发源，通常在全宽半MAX(FWHM)时分开。一旦荧光变宽或扭曲拉曼峰，计算方法提高信噪比的能力有限。另一个缺点是，由于像素对像素灵敏度的随机变化大于实际的拉曼信号，它们可以忽略尖锐的拉曼峰值。一个显著的优点是，由于非常窄的拉曼峰与宽荧光之间的差异，它们可以用于基线校正。当样品显示出几十个波数的更宽拉曼峰时，这种方法可能会失败。此外，在某些情况下，单一参数的自动计算基线校正可能不适合所有应用和样本类型，因为(i)数据丢失和光谱失 ...
器冷却。传统拉曼光谱(RS)的致命弱点是样品诱导荧光发射。这是一个竞争现象，发生在相对较弱的拉曼散射下，并且可以模糊整个拉曼光谱，使材料的识别或量化成为不可能。解决这一问题的有效方法是时间门控(TG)，这是信号处理中常用的一种技术。热重光谱的目的是测量特定时间段内的信号，从而实现对瞬态过程的监测。早在20世纪70年代，随着科学家们在测量过程中寻找去除荧光背景信号的方法，TG就进入了RS领域。然而，TG拉曼直到zui近几年才开始商业化。为了扩大RS的普遍适用性，克服荧光限制是很重要的。RS基于从激发波长位移的光子的非弹性散射，称为Stokes和AntiStokes位移。它用于提供给定样品中受激分 ...
e） Ag的拉曼光谱2O 和 MNPA。图1显示的是还原诱导法制备NMPA的工艺示意图，图二是MNPA样品的表征图。全面减少Ag2O可以通过更灵敏的拉曼光谱证实，还原样品基本上是无特征的（图2（e））。此外，还原后较大面积样品的能量色散X射线光谱（EDS）光谱表明纯银相（图2（a）中插图）。EDS中的Au信号归因于样品的Au喷雾处理，以改善其SEM图像。与传统的脱合金方法相比，这是通过还原法制造清洁多孔金属的另一个显着优势，它避免了引入任何牺牲材料和第二组分，排除了生产中残留物污染和化学废物的可能性。据报道，纳米多孔衬底中残留组分对SERS增强的影响不容忽视，例如，纳米多孔铜衬底中残留的Mn可 ...
现荧光光谱、拉曼光谱、荧光寿命、透射光谱、器件泵浦探测、光子反聚束多种探测模式，在原位超低温、磁场、电化学、放射性材料等多种条件下均可使用。图6：DMD（数字微镜阵列）和SLM（空间光调制器）在本文中，提出了一种仿生高动态范围偏振成像传感器。该传感器以两种方式模拟了螳螂虾的视觉系统:(1)它利用了四个不同的像素偏振滤波器，偏移45°，并集成了光敏元件;(2)底层光电二极管以正偏模式工作，对入射光子产生对数响应。通过整体结合这两项进步，我们创建了一个快照偏光计，工作速度为30 fps，动态范围为140 dB。传统CMOS成像传感器通过在反向偏置模式下操作单个像素的光电二极管，在入射光子通量和输出 ...
链状结构，在拉曼光谱(图b)中，热处理后C=C键在1641 cm−1处的特征峰消失，说明PEGDA交联成功，但LiTFSI中C - N - C键在747 cm−1处的特征峰和SN41中C - C≡N键在814 cm−1处的特征峰没有明显变化，说明这两种物质在高温下仍能保持原有的活性交联PEGDA骨架。这意味着热处理不会破坏添加剂SN和LiTFSI在SPE体系中的锂离子导电结构，而是可以使它们以非晶态均匀分布在SPE中，提高其离子导电性。在PLS内部，SN具有较强的极性，其与TFSI-离子的相互作用削弱了其与Li+离子的结合，使得Li+离子在聚合物体系中更加活跃。图2.PEGDA在60℃下加热一 ...
的印刷薄膜的拉曼光谱 b）TFSI模式前后的MoS2的印刷薄膜的荧光光谱考虑到嵌入过程中纳米片的潜在损伤，需要额外的后处理，如双(三氟甲烷)磺酰亚胺(TFSI)改性和退火。将打印后的器件在80℃的TFSI溶液中浸泡1 h，然后在400℃的Ar中退火，去除有机溶剂并降解衬底中的PVP。经过TFSI处理和退火处理的SiO2/Si衬底上印刷薄膜的拉曼光谱和光致发光(PL)光谱如图3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1处的两个拉曼峰对应于MoS2面内E1 2g和面外A1g的振动模式。 E1 2g和A1g之间的拉曼位移约为19.4 cm-1，表明MoS2纳米片层数较少。TFSI修饰后，A1g的 ...
2O2Te的拉曼光谱在制备过程中，从Bi2Te3到Bi2O2Te的转变也可以在拉曼光谱上观察到，如上图所示。Bi2Te3的经典拉曼位移显示在图的下部显示了在62.7、93.4、124.1和140.3 cm-1处的四个拉曼峰，对应于Bi2Te3的A11g，E2g，A1u和A21g，与Bi2Te3相比，图3上部的拉曼光谱在较高波数处显示了几个新的峰值，例如300.7 cm-1（B1g）和433.6 cm-1(E2g），都是Bi2O2Te的特征峰值，而在低波数处的那些峰值已经变得模糊。表明通过这种低温工艺，可以有效的将Bi2Te3转化为Bi2O2Te。以上结果表明，通过这种低温快递退火相变方法（RA ...
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