中文：电致发光；英文：electroluminescence

碳化硅材料的电致发光表征应用SiC内部中存在着各种各样的扩展缺陷，其中zui有害的三种是螺纹位错、内生堆垛故障和复合诱导的堆垛故障（RISFs）。尤其特别的是，RISFs难以控制，因为它们在设备运行过程中膨胀，导致双极器件（如PIN二极管）的导通电压持续增加。这种扩张是由RISFs附近自由载流子的重组引起的。了解它们运动的机制对于减轻它们至关重要。电致发光（EL）通常用于识别扩展缺陷：RISFs在2.89eV（430nm）处发射，而结晶故障区域的部分位错（PDs）在1.8电子eV（690nm）处发射。在4H-SiC中，部分错位在设备运行过程中也沿着碳芯部位会发出绿色荧光。即使通过热处理使RIS ...

集荧光成像、电致发光、光致发光、透射率、反射率成像等诸多功能于一体。参考文献：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indium dis ...

致发光PL和电致发光EL光谱成像进行了探究[1]。实验采用了高光谱成像设备（IMATM），该设备拥有2nm的光谱分辨率和亚微米的空间分辨率。电致发光实验采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波长为532nm的连续激光。在显微镜下的整个视场被激发，并同时收集来自一百万个点的PL信号。 图1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太阳能电池的PL和EL图谱，利用他们的光谱信息和绝对校准与广义普朗克定律相结合，IRDEP的研究人员提取了样品的准费米能级分裂成像图见图（c）和（d）该参数与太阳能电池的最大电压直接相关。借助太阳能电池和LED间的倒易关系，可从EL成像图谱中推算出外量子效率 ...

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.1 eV，电致发光波长短至2.5 μm。QCL还可以在传统上认为光学性能较差的材料上进行激光运行。间接带隙材料如硅在不同动量值下具有最小的电子和空穴能量。对于带间光跃迁，载流子通过一个缓慢的中间散射过程改变动量，显著降低光发射强度。然而，子带间的光跃迁不依赖于导带和价带最小值的相对动量，因此对Si/SiGe量子级联发射体提出了理论建议。在中红外和远红外波段，观察到非极性SiGe异质结构在价带和导带的子带间电致发光。对量子级联增益材料进行处理以制备有用的发光器件的第一步是将增益介质限制在光波导中。这使得将发射的光引导成准直光束成为可能，并允许建立一个激光谐振器，这样光可以耦合回增益介质。电介质 ...

离孔QCL的电致发光和激光发射光谱。(b) EL和DFB光谱，以及宽带QCL的DFB阈值电流密度设计了一个含6个优化子核的非均相QCL活性区，其辐射范围为6 ~ 10 μm。所有子核心均基于相似的复合井方案。首次尝试得到5.9 ~10 μm的单模DFB发射(图5(b))。虽然在子峰之间增益不足，但可以通过改变子核的发射级数、相对排列方式和发射波长来解决，从而实现扁平增益。5. 波长灵活量子级联激光器量子级联激光器是光谱学研究的有力工具。广泛的光谱覆盖，结合窄线宽输出和高功率使广泛的应用，包括光声和对峙光谱。然而，传统的窄线宽QCL的调谐范围只有~5 cm−1，这通常限制了对单一类型分子的检测。 ...

通过直接比较电致发光在顶发射(电子自旋极化方向垂直于量子阱)和边发射(电子自旋极化方向在平面上)的圆极化，验证了这一效应。适用于10 nm和15 nm宽的量子阱在边缘发射几何结构中没有发现明显的圆极化，尽管在顶部发射中测量到了强烈的信号。然而，对于宽(体状)量子阱(d≥50 nm)，在边缘发射中甚至可以检测到圆极化，这表明与窄量子阱相比，由于量子约束减弱，重空穴自旋获得了面内分量因此，对于宽GaAs/(Al,Ga)As-QW系统，光学选择规则应该仍然允许边缘发射中的磁光效应，但与大块GaAs相比效率降低。如果使用限制在GaAs/(Al,Ga)As界面的二维电子气体，情况就会发生变化，就像本实验 ...

件光致发光和电致发光成像瓦伦西亚大学的Henk Bolink博士与IPVF（前身为IRDEP-法国光伏能源研究与发展研究所）的研究人员合作，研究了具有不同电子传输层（PCBM和C60）的混合有机-无机甲基碘化铅钙钛矿（CH3NH3PbI3）太阳能电池的性能。用IMA获得的发光高光谱数据有助于识别此类器件中的严重不均匀性（图1）。这些空间不均匀性与载体提取问题有关，导致细胞的填充因子有限。图1根据在1.15V和1.16V施加偏置下拍摄的EL高光谱图像计算的当前传输效率fT图。对于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作为电子传输层（ETL）的钙钛矿太阳能电池，在微尺度（顶部）和 ...

过p-n结的电致发光。一般来说，发光二极管工作时就是一个普通的半导体二极管：应用前导偏置产生一个流过p-n结的电流。外电场使电子-空穴对进入势垒区的节点界面，在这里发生复合。复合可以是一个自发的辐射过程，也可以是晶体材料以振荡形式将能量释放到晶格的非辐射过程(成为声子)。这个产生额外载体和随后注入载体的重新组合称为注入式电致发光。发光二极管发射的几乎都是单色非相干光。发射光子的能量和发光二极管辐射光的波长取决于半导体材料形成p-n结的带隙能。发射光子的能量近似由下列表达式决定：式中，h为普朗克常量；v为辐射光频率；Eg为带隙能，即半导体器件导带和价带的能量差。电子和空穴的平均动能由波尔兹曼分布 ...

光（PL）或电致发光（EL）的强度映射为评估非辐射损耗和材料效率提供了一种迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光谱显微镜提供了光谱和空间分辨的PL和EL图，覆盖了从几百平方微米到几平方厘米的不同视场。这些图像能够在2cm x 2cm的视场上显示硅器件的EL图像，捕捉到器件上的微小不均匀性，如图1、图2所示。这些不均匀性可能会影响器件的性能和效率，因此通过这些图像进行分析和评估对于改进太阳能电池的设计和制造至关重要。利用这些技术，研究人员和工程师可以迅速识别并解决潜在的问题，以确保生产出高效且可靠的太阳能电池。图1、1040 nm的高光谱数据中提取的硅器件的电致发 ...