半导体激光器快慢轴准直误差影响因素一，引言在单管合束光路的调节过程中，使用微透镜夹持器对快轴准直镜(fast axis collimator，FAC)和慢轴准直镜(slow axis collimator，SAC)进行夹持，整个夹持器安装在高精度六轴调整架上，可以进行x、y、z、βx、βy、βz六个方向的运动调节，因此夹持器的运动通过调整架的六轴运动来控制。由于FAC的后工作距离半导体激光器腔面很小，所以对FAC和SAC的装调需要在相机监控下进行精密操作，需要相机实时显示光斑形状、光斑尺寸、发散角等以便于调节快慢轴准直镜的位置。二，快轴准直误差分析在FAC的装调过程中，如图1-1所示，除了位置 ...
半导体激光器的稳频方法简介（调制稳频）由于在冷原子方面应用，对外腔半导体激光器的线宽，频率稳定性，相位等性能有很高的要求。非调制稳频技术对于激光功率的波动较为敏感，稳定度相对较低，并且由于锁定在目标吸收峰的边峰上，而无法锁定在峰顶，容易发生频偏。而调制稳频简单来说就是在实验系统中加入调制信号来获取鉴频曲线，一般为正弦信号。可以在饱和吸收峰附近范围内产生一个单调的误差信号，将激光器频率锁定在饱和吸收峰处。激光调制又分为内调制以及外调制，顾名思义内调制是将调制信号直接加载到激光器本身的输出频率上，而外调制稳频可以使用声光、电光器件或者将调制信号加载到原子的跃迁频率上。内调制稳频内稳频调制一般是在饱 ...
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）都是半导体激光器，有着比近轴光束更大的发散角。从典型的激光腔中检测这类激光非常困难。通常重要参数包括：功率输入-光强输出曲线（称为LI或LIV曲线）、光束的光谱以及发散角。由于半导体激光器的发散角较大，需要用透镜聚焦得到可用光束。通过光束形状和发散特性，能够得出光学设计中设备的工作情况。LI曲线可以提供激光器的输出效率，并能探测到二极管生产工艺中的任何瑕疵。二极管激光器的波长由晶格的物理结构以及它怎么构成激光腔决定，因此，二极管激光器系统不仅需要测量LI曲线和发散角轮廓，还需要进行光谱测试。2.医学/生物技术领域在医学和生物技术行业，激光的应用非常广泛，从 ...
锁定国内外对半导体激光器的光谱特性及其稳定性技术有多年的研究，但是半导体激光器输出功率较低，对其波长进行锁定的技术不能应用到高功率激光器阵列中。但近年来，反射式体布拉格光栅（RBG）被应用于高功率半导体激光器的波长稳定和光谱压缩，取得了明显的效果。可参考L.Glebov和V.Smirnov的《Continuous Wave,30W laser-diode bar with 10GHZ linewidth for Rb laser pumping》和 张雪、李强老师的体布拉格光栅外腔实现激光二极管同相模输出。请参考图1、2图1 布拉格光栅进行半导体激光波长锁定示意图图2 普通激光二极管和布拉格光 ...
外部分发射的半导体激光器，1994年由贝尔实验室的Jerome Faist、FedericoCapasso、Deborah Sivco、Carlo Sirtori、Albert Hutchinson和Alfred Cho首次演示。与通过材料带隙的电子-空穴对重组而发射电磁辐射的典型带间半导体激光器不同，QCLs是单极的，激光发射是通过在半导体多量子阱异质结构的重复堆栈中使用子带间跃迁实现的。这个想法最早是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中，电子可能占据两个连续能带中的一个——价带，其中大量填 ...
激光源。作为半导体激光器，量子级联激光器(QCL)是一种能带工程器件，其电磁辐射是通过超晶格量子阱[1]内能级间的子带间跃迁来实现的。自1994年首次实验演示以来，QCL技术得到了巨大的发展。这些性能水平是结构设计、材料质量和制造技术不断改进的结果[3-5]。目前，它正在成为中红外(中红外)和太赫兹(太赫兹)频率范围内的领先激光源，并在气体传感、环境监测、医疗诊断、安全和国防[6]中有许多应用。西北大学量子器件中心(CQD)的目标是推进光电技术，从紫外到太赫兹光谱区域。这包括基于III-V半导体的许多不同技术的发展[7,8]。自1997年以来，CQD在量子级联激光器QCL的发展上投入了相当大的 ...
降低DMD的半导体器件使用寿命。即使极短时间高温，在多周期操作过程后也可能损坏器件。因此希望DMD像素表面温度保持在150°C的临界温度以下。由此需要一个更鲁棒的伪瞬态模型预测脉冲激光系统中DMD的像素峰值温度，给出相关条件。有了这样一个模型结合DMD所处的环境条件，就有可能根据占空比、重复频率(脉冲频率)、波长和峰值激光功率来确定脉冲激光功率的极限。构建模型：该模型目的是预测像素在脉冲激光操作期间达到的瞬时峰值温度。不论平均输入能量密度如何，单个像素温度必须保持150°C以下。为简化模型，有如下假设：1.像素的反射率遵循：可用范围内器件铝镜的反射率曲线。2.重复速率足够高，并且底层基板的热质 ...
自旋电子学和半导体相关行业中有广泛的应用。自推出以来，许多系统已成功安装在世界知名的大学和研究机构，在新加坡和整个亚太地区取得了优异的成绩。通过不断创新，满足全球目标市场的功能需求，公司始终处于技术的前沿。我们将充满激情，前瞻性，理解并提供解决方案，以满足您的技术创新需求。上海昊量光电作为Vertisis在中国大陆地区独家代理商，为您提供专业的选型以及技术服务。对于Vertisis有兴趣或者任何问题，都欢迎通过电话、电子邮件或者微信与我们联系。如果您对磁光克尔显微镜有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/details-1369.html您可 ...
式金属氧化物半导体。第三步：制作晶圆什么是晶圆？晶圆（wafer），简单来讲就是硅Si，是制造各式电脑芯片的基础。在固体材料中，有一种特殊的晶体结构──单晶（Monocrystalline）。它具有原子一个接着一个紧密排列在一起的特性，可以形成一个平整的原子表层。然而，该如何产生这样的材料呢，主要有二个步骤，分别为纯化以及拉晶，之后便能完成这样的材料。纯化分成两个阶段，第一步是冶金级纯化，此一过程主要是加入碳，以氧化还原的方式，将氧化硅转换成 98%以上纯度的硅。但是，98%对于芯片制造来说依旧不够，仍需要进一步提升。因此，将再进一步采用西门子制程（Siemens process）作纯化，如此 ...
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