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更厚的半导体有源层导致更差的热性能和更具有挑战性的制造，等等。值得注意的是，2001年Beck等人基于9.1μm inp匹配设计首次演示了QC激光器的室温(RT)连续工作(CW)，而由于高应变InGaAs/InAlAs材料生长技术的改进和发展，才在MWIR波长下演示了高功率RT连续工作，从而实现了防止高能电子从较高激光能级泄漏到更高激光能级的设计活跃区域的能量水平。这是提高QC激光器的特征温度T0和T1的关键因素之一，从而在高温下实现高连续波功率发射。如今，量子级联激光器是一种完全可部署的设备，可在室温及以上环境下工作，能够在具有挑战性的环境条件下操作和存储。总的来说，这种技术的成熟程度正在接 ...
成了HTL和有源层之间的界面层，这不仅可以保护活性层免受劣化，还可以促进和平衡电荷-载流子传输现象。理想情况下，空穴界面层应（i）易于制造，（ii）在表面能方面与PEDOT：PSS HTL和活性层兼容，（iii）具有能级适合的分子轨道（HOMO），以及（iv）表现出良好的导电性和高空穴传输率。从这个角度来看，石墨烯（Gr）因其可调功函数和良好的电导率，比许多二维（2D）材料更受青睐。使用商业化学气相沉积（CVD）石墨烯被认为是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS组分渗透的有利选择。然而，高电导率和电子空穴以及良好的电荷亲和力反而会干扰器件中的电荷传输。石墨烯的sp 2平面内碳的惰性性质不适合 ...
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