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5nm的Ta缓冲层。为避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt组成的盖层。在硅衬底上测量了15 nm厚的Ni样品，并对其进行了纵向几何测量。如果您磁学测量对有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软 ...
nm Pt缓冲层上，采用电子光刻技术制备了厚度为15 nm的CoPt3点。它们具有较大的垂直磁晶各向异性和铁磁行为，其特征是定义良好的平方磁滞回线，矫顽力场为±3.7 kOe。圆点的直径可在0.2 ~ 1 μm范围内变化。下面只给出1 μm点的结果。图1实验配置能成像纳米结构的形貌以及磁化的动力学。图1为泵脉冲激励后直径为1µm的CoPt3点在不同时间延迟下的微分磁化图像。注意，在当前的测量中，激发不是固定在点的中心，而是在成像过程中与探针光束一起移位。图a、b和c的序列表明，可以监测磁点磁化的空间动态。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech ...
nm Pt缓冲层上，通过电子光刻制成的圆盘的直径为0.2 ~ 1m，圆盘之间的距离为0.5 ~ 2um。图2图2(a)表示时间的变化泵浦激励密度为4 mJ cm−2，外加磁场设置为3.5 kOe，使静态磁化达到饱和。插图描绘了超快磁化动力学的详细视图。图2(b)表示类似的曲线，但激发密度为8 mJ cm−2。初始退磁发生在泵浦脉冲期间，对应于自旋的激光加热，发生在电子的热化过程中由于探针脉冲持续时间为180秒，这里的热化过程没有得到解决。注意，对于zui大激励密度[图2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化发生在两个主要步骤。第1个对应于自旋和晶格之间的平衡。两种强度对应的时间常数分别为2.5和 ...
空穴传输界面缓冲层，以提高基于PEDOT：PSS的光电器件（包括有机光伏（OPV）和有机发光二极管（OLED））的器件性能和长期稳定性。利用密度泛函理论（DFT）计算，本文提出了石墨烯在O-种功能化过程中化学结构变化的机理。O-Gr中的含氧空位可以通过抑制电荷复合来有效地接受空穴并传输它们。紫外-臭氧处理的佳干氧化过程成功地引入了氧并在石墨烯中产生了空位，但避免了石墨烯的强氧化。O-Gr夹层的引入促进了高效的电荷迁移，改善了上层的薄膜性能，并抑制了有机光电器件（包括有机光伏（OPV）和有机发光二极管（OLED））中的漏电流。因此，采用 O-Gr 的 OPV 器件在开路电压为0.716 V能达到 ...
在包括InP缓冲层和InGaAs牺牲光栅层的有源核心完成后被中断。电子束光刻是为了直接在InGaAs牺牲层的顶部跟踪光栅图案，然后蚀刻以获得单模工作所需的波导有效折射率的周期调制。包层和顶层生长在图案核心材料的顶部，特别小心，以便在光栅层顶部再生的末端获得一个平坦的表面。随后的器件制造过程如下对于法布里-珀罗埋地异质结构器件。在图2(b)中可以看到z终DFB制造器件沿着波导腔切割的SEM图像，其中活性材料顶部的薄光斑表明存在InGaAs牺牲层。在侧裂波导中，这代表了通过电子束图案化和蚀刻InGaAs层获得的周期性结构。当需要时，通过介质沉积在先前隔离的激光切面上的金属涂层进行电子束蒸发来完成H ...
有一个InP缓冲层。这使我们能够使用选择性蚀刻，并在不影响有源区域的情况下通过InGaAs层进行蚀刻。埋藏异质结构的选择性生长和接触沉积完成了激光加工。图5图6单模器件的结果如图5所示，在15◦C下，我们从单个发射极获得了高达约Pout = 180 mW的连续功率。2毫米长的器件安装在正面朝下，并在高达60°C的连续波中工作，输出功率为10 mW。典型光谱如图6(a)所示，其中对数尺度表示30 db侧模抑制比。从连续波亚阈值光谱[图6(b)]，我们可以确定布拉格阻带的宽度，对应耦合强度的估计约为kL = 3.5。该值高于强耦合分布式反馈设备（kL = 1-2）的通常预期值。对光栅与光学模式耦合 ...
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