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213/224 深紫外纳秒激光器（IMPRESS 系列）
系统概念和特性基本概念一个系统包含了输出和输入变量，当输出和输入变量都仅为一个时称为单变量系统，当输入和输出包含多个时称为多变量系统，输入和输出关系描述了输入和输出的关系R表示一个算子，是将x转换为y的一种规则，方括号表示多个输入或者输出变量。系统的变量是随着时间发生改变的，根据时间是连续或者离散可以进行分类。如果输入和输出系统时间连续的，称为连续时间系统，如果输入和输出系统时间都是离散的，称为离散时间系统，如果输入和输出的时间混杂着连续和离散两种，那么称为混合时间系统。对于一个离散时间系统，如果幅值也是量化的，那么称他为数字系统。输入变量称为控制量，开环系统数控制量与输出无关，然而闭环系统中 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
金属有机化学气相沉积制备室温连续波工作低阈值量子级联激光器通过分子束外延MBE和MOCVD两种方法生长的量子微电子管的室温连续工作结果令人鼓舞，但进一步的性能有望使量子微电子管更适合实际应用系统。在所有需要改进的器件参数中，特别需要更低的阈值电流密度，因为它可以使器件消耗更少的总功率，并有可能提高壁插效率。我们报告了5.07 um的mocvd生长QC激光器，具有BH再生结构和下行安装，其室温连续波阈值电流密度低于所有这些先前报道的结果。本文提出的QCL结构是通过低压MOCVD生长的。有源区域结构与文献中报道的设计非常相似，但对波导结构进行了一些修改，如下所述。一个周期的层序为：从注入层阻挡层厚 ...
光束质量对平顶光衍射光学元件输出的影响在激光加工和表面烧蚀等领域中，平顶光比激光器直接输出的类高斯光具有更高的价值，其中，衍射光学元件（DOE）以其结构简单、容易量产等优点成为很多人进行光束整形的第1选择。DOE利用表面浮雕微结构对波前的振幅和相位进行调控，从而实现入射光束再分布的精密光学器件，可以容易地实现一些传统折光结构难以实现的效果。同时，DOE也存在一些限制条件，其对于入射激光有着严格的要求。在众多影响因素中，光束质量是一个无法被忽视的因子。对于多模输出的激光器，其输出激光可以用近似高斯谢尔模型（GSM）描述。本文利用GSM光束研究光束质量对平顶光DOE输出光斑的影响。通过模式分解的方 ...
外腔半导体激光器稳频控制方式在精密测量以及量子技术等应用领域，对于激光器的稳频锁相有较高的要求。自由运转的外腔半导体激光器由于温度、机械振动等因素影响，其输出的光的频率往往或多或少存在漂移，使得这些自由运转的激光很难运用于精密光谱、原子干涉等，必须对其稳频控制。一般的外腔半导体激光器往往会存在三种频率控制方式：LD温度LD的温度影响半导体的增益轮廓和内腔模式频谱漂移，主要是温度变化造成介质中载流子浓度变化，以及吸收因子变化，此外温度还会影响内部FP腔的参数。温度对LD输出频率影响非常大，如用于数据存储应用（CR-R刻录机）的典型AlGaAs二极管在25℃时的标称波长为λ=784nm，dλ/dT ...
使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...
和氩离子铣削刻蚀对宽度为5 μm、长度50 μm的霍尔交叉器件进行了图像化处理。光学图像如图1d所示。图3SOT的开关行为是通过在MgO/Pt/Co霍尔交叉器件上发送脉冲电流来实现的。电流I的脉冲宽度固定为5ms。电流振幅从+15扫至- 15 mA，然后再回到+15 mA。通过发送470 μA的小读电流，测量每个脉冲电流后的霍尔电压（Vxy）。脉冲电流的间隔约为2秒。测量过程如图2a所示。Vxy切换曲线如图2b所示，Hx从30到−30 Oe变化。在Hx = 0 Oe时观察到一个几乎完全的SOT开关回路。此外，当Hx =−10 ~−20 Oe时，该样品几乎没有检测到开关信号。这些结果表明，存在一 ...
量子级联激光器：长波红外（λ>6 μm）的设计qcl今天能够在λ = 3-24 μm范围内发光，并且z近已经引入到太赫兹域，可能导致光电集成的新水平由于有可能利用为电信/数据通信组件市场开发的已经成熟的InP和GaAs技术，qcl已经显示出令人印象深刻的快速技术发展。自1994年成立以来，2QC激光器仅在几年后就实现了室温（RT）脉冲操作，并在2008年实现了连续（CW） RT操作。由于不断推动这项技术的工业化，由Cho首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与 ...
后，通过化学刻蚀定义脊状波导，并在激光波导侧面重新生长绝缘Fe:InP。极化子C-V和霍尔测试已被用来确保Fe:InP是一个良好的电绝缘体。横向再生的目的是双重的：它允许激光模式的光学限制在横向方向，并有助于优化散热，通过改善在活跃区域产生的热量的横向传输，并通过平面化设备的顶面，从而允许向下安装激光器。通过电子束蒸发沉积顶部和底部触点金属，随后在顶部触点上电解镀一层厚金层，从而完成了器件的制造。这些器件被切成小块，铟被焊接到铜支架上，以获得非常佳的散热效果。设备温度由安装在设备本身附近的温度传感器监测。图2(A)显示了安装的器件和完整波导的面。图2在分布式反馈（DFB）激光器的情况下，MOC ...
量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的制造性能展示到目前为止，在λ = 6-8 μm范围内，已经实现了长波长的高功率（pto bbb1w）工作。当波长达到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）时，性能显著提高，而当波长超过9 μm时，性能迅速下降。本文总结了波长为λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的实验结果。这些器件的激光器结构基本上是相似的，包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有 ...
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