中文：刻蚀；英文：etching

光束质量对平顶光衍射光学元件输出的影响在激光加工和表面烧蚀等领域中，平顶光比激光器直接输出的类高斯光具有更高的价值，其中，衍射光学元件（DOE）以其结构简单、容易量产等优点成为很多人进行光束整形的第1选择。DOE利用表面浮雕微结构对波前的振幅和相位进行调控，从而实现入射光束再分布的精密光学器件，可以容易地实现一些传统折光结构难以实现的效果。同时，DOE也存在一些限制条件，其对于入射激光有着严格的要求。在众多影响因素中，光束质量是一个无法被忽视的因子。对于多模输出的激光器，其输出激光可以用近似高斯谢尔模型（GSM）描述。本文利用GSM光束研究光束质量对平顶光DOE输出光斑的影响。通过模式分解的方 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...

工艺有光刻、刻蚀、电镀和激光加工等。纳制造则是在纳米尺度上进行制造，一般包括纳米电子器件、纳米材料、纳米药物载体和纳米传感器等的制造过程。常用的纳制造加工方法有纳米印刷、原子层沉积和纳米自组装技术等，能够控制材料实现原子和分子水平上的结构制备。微制造和纳制造技术是现代制造技术的重要组成部分，两种的重要性体现在其能够实现更低的功耗、更高的集成度和更复杂的功能，可以极大促进技术创新和高端制造产业升级。图2微纳加工高精度产品示意图三、微纳加工的应用微纳加工技术是一种精密制造技术，主要通过光刻、离子束刻蚀、金属溅射沉积、化学/物理气相沉积、电镀、电化学腐蚀等工艺实现微米至纳米级别的精细加工。该项技术涉 ...

和氩离子铣削刻蚀对宽度为5 μm、长度50 μm的霍尔交叉器件进行了图像化处理。光学图像如图1d所示。图3SOT的开关行为是通过在MgO/Pt/Co霍尔交叉器件上发送脉冲电流来实现的。电流I的脉冲宽度固定为5ms。电流振幅从+15扫至- 15 mA，然后再回到+15 mA。通过发送470 μA的小读电流，测量每个脉冲电流后的霍尔电压（Vxy）。脉冲电流的间隔约为2秒。测量过程如图2a所示。Vxy切换曲线如图2b所示，Hx从30到−30 Oe变化。在Hx = 0 Oe时观察到一个几乎完全的SOT开关回路。此外，当Hx =−10 ~−20 Oe时，该样品几乎没有检测到开关信号。这些结果表明，存在一 ...

量子级联激光器：长波红外（λ>6 μm）的设计qcl今天能够在λ = 3-24 μm范围内发光，并且z近已经引入到太赫兹域，可能导致光电集成的新水平由于有可能利用为电信/数据通信组件市场开发的已经成熟的InP和GaAs技术，qcl已经显示出令人印象深刻的快速技术发展。自1994年成立以来，2QC激光器仅在几年后就实现了室温（RT）脉冲操作，并在2008年实现了连续（CW） RT操作。由于不断推动这项技术的工业化，由Cho首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与 ...

后，通过化学刻蚀定义脊状波导，并在激光波导侧面重新生长绝缘Fe:InP。极化子C-V和霍尔测试已被用来确保Fe:InP是一个良好的电绝缘体。横向再生的目的是双重的：它允许激光模式的光学限制在横向方向，并有助于优化散热，通过改善在活跃区域产生的热量的横向传输，并通过平面化设备的顶面，从而允许向下安装激光器。通过电子束蒸发沉积顶部和底部触点金属，随后在顶部触点上电解镀一层厚金层，从而完成了器件的制造。这些器件被切成小块，铟被焊接到铜支架上，以获得非常佳的散热效果。设备温度由安装在设备本身附近的温度传感器监测。图2(A)显示了安装的器件和完整波导的面。图2在分布式反馈（DFB）激光器的情况下，MOC ...

量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的制造性能展示到目前为止，在λ = 6-8 μm范围内，已经实现了长波长的高功率（pto bbb1w）工作。当波长达到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）时，性能显著提高，而当波长超过9 μm时，性能迅速下降。本文总结了波长为λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的实验结果。这些器件的激光器结构基本上是相似的，包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有 ...

以10.7Gb/s在99.7公里PON中传输自由运行1550nm VCSEL-结果与讨论我们评估了系统内关键点获得的光信号，并利用不同长度的PRBSs来评估系统对图案长度依赖效应的敏感性。分别在35km、40km、50km（MS1）和99.7km（MS1和MS2）光纤色散补偿传输后对传输信号进行观测。所获得的眼图未观察到随所使用的PRBS的变化而有显著变化。使用长度为27-1比特的PRBS，我们使用20GHz内部光电探测器在示波器上观察了眼图，并给出了图4所示的走线。除非另有说明，进入前置放大器的光功率电平控制在±20dBm，进入PD的光功率电平控制在-9dBm。表2给出了传输上行链路中这些关 ...

以10.7Gb/s在99.7公里PON中传输自由运行1550nm VCSEL-无源光网络上行链路我们使用图3所示的设置模拟了一个延伸无源光网络的上行链路。客户端设备（CPE）由自由运行的VCSEL组成，该VCSEL由来自脉冲模式发生器（PPG）的NRZ-OOK数据信号直接调制；使用从PPG获得的差分数据信号，在VCSEL输入端应用双驱动配置。本实验使用的VCSEL没有温度稳定。环形器用于防止反向散射光能进入激光腔；在实际系统中，这种循环器将促进单光纤上的双向通信。图3系统布局：客户端设备（CPE）上自由运行的无冷却器VCSEL通过传输光纤的色散匹配跨越（MS1和MS2）以10.7Gb/s的速度 ...

基于一阶反转曲线研究的温度调制磁离子相及相变分析(一)磁性粒子是一种粒子状的纳米级磁化状态。由于具有作为高密度信息载体的巨大潜力，磁性基板目前正被积极研究用于存储、计算逻辑和非常规计算系统等应用。磁skyrmions稳定化要求系统有利于非平行相邻自旋，这可以通过Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）和偶极相互作用来支持。铁磁体(FM)-重金属（HM）多层材料通常在室温下稳定磁性粒子，因为在具有大自旋-轨道耦合的FM和HM的界面处会产生强界面- dmi。通过在堆栈中多次重复这些FM/HM层，增强了偶极相互作用，从而进一步稳定了磁天空。由于磁基粒子的稳定性主要取决于其结构扭转 ...